一种物理气相沉积用双面镀膜载板制造技术

本发明专利技术公开了一种物理气相沉积用双面镀膜载板，属于真空镀膜技术领域。它包括在载板上镂空形成的多个基板放置区，所述基板放置区上下两面均设有开口；至少两个所述基板放置区之间设有穿过载板的通孔；所述通孔的端部相邻于基板放置区一侧设有阻挡件，所述阻挡件由载板表面向外延伸设置，用于阻挡镀膜时溅射出的电子和/或离子和/或原子和/或等离子体。本发明专利技术能解决电子在载板上的积累以及绕镀现象的问题，能够进一步提高基板表面镀膜的质量。能够进一步提高基板表面镀膜的质量。能够进一步提高基板表面镀膜的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉积用双面镀膜载板


[0001]本专利技术属于真空镀膜
，更具体地说，涉及一种物理气相沉积用双面镀膜载板。

技术介绍

[0002]异质结电池是光伏领域的新热点，具有高开路电压，高转换效率，低的温度系数等诸多优点。高效异质结太阳能电池的主要工艺步骤如下：制绒清洗，CVD沉积非晶硅、PVD沉积透明导电膜、印刷或电镀形成金属电极。由于HIT电池是对称结构，PVD沉积了正反双面的透明导电膜。为了避免绕镀现象的存在，载板放置硅片后无镂空，以便进一步提高电池效率。
[0003]目前，现有技术中用于PVD沉积设备的载板常规设置成平面板，平面板内设有若干个用于承载基板的镂空凹槽，镂空凹槽上设有承载基板的边框。使用载板在基片正反面沉积透明导电薄膜层时，基片反面边缘由镂空凹槽的边框遮掩，使透明导电薄膜层在硅片边缘自然形成隔离，使生产更加自动化，不需要盖板，提高了生产效率。但是，这种仅在基片放置区设有镂空凹槽、而其余区域密封的载板在放置基片后完全密封，此时由于载板处于负电位，溅射粒子极易在载板表面沉积，进而导致载板发生放电现象，使镀膜质量变差。
[0004]因此，目前急需设计一种能够有效解决上述问题的镀膜载板，以提升镀膜质量。

技术实现思路

[0005]1.要解决的问题
[0006]针对现有技术中镀膜用载板无法解决电荷积累的问题，本专利技术提供一种物理气相沉积用双面镀膜载板；通过在特定位置设计特定结构的通孔与阻挡件，从而有效解决现有载板的电荷积累的技术问题。
[0007]2.技术方案
[0008]为了解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：
[0009]本专利技术的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其包括在载板上镂空形成的多个基板放置区，所述基板放置区上下两面均设有开口；至少两个所述基板放置区之间设有穿过载板的通孔。
[0010]优选地，所述通孔的端部相邻于基板放置区一侧设有阻挡件，所述阻挡件由载板表面向外延伸设置，用于阻挡镀膜时溅射出的电子和/或离子和/或原子和/或等离子体。
[0011]优选地，所述阻挡件靠近基板放置区的一侧设有阻挡面，所述阻挡面由载板表面向通孔一侧延伸。
[0012]优选地，所述阻挡面为向外凸起的弧面，该弧面的曲率为50m
‑1～66.6m
‑1，所述阻挡件的宽度为10
‑
30mm，所述阻挡件的高度为10
‑
30mm。其目的是避免因镂空导致的严重绕镀现象，可能是由于弧面的设计能够适应于溅射粒子的轨迹，将大部分的溅射粒子阻挡于阻挡面上，能够大幅降低基片另一面绕镀形成的薄膜厚度，提高镀膜整体均匀性。具体的，
可在通孔两端加类圆柱形横梁，保证阻挡件靠近基板放置区一侧为弧面设计。该弧面高度过高会导致镀膜不均匀，靠近弧面侧硅片厚度较薄；高度过低会导致绕镀现象加重，因此弧面高度和宽度优选设置为10
‑
30mm，更优选为15mm～20mm。
[0013]优选地，所述基板放置区的开口边缘向阻挡件延伸设置有过渡结构。本专利技术过渡结构起到为阻挡面缓冲的作用，避免因阻挡面的设置导致硅片表面、尤其是硅片边缘的溅射粒子复发有效镀覆，进而导致镀膜不均匀的问题。
[0014]优选地，所述过渡结构为一平面结构，具体可为第一平面，所述过渡结构的宽度为5
‑
15mm。
[0015]优选地，所述通孔两侧为第二平面，所述第二平面向通孔端部延伸并与所述阻挡面相交。
[0016]优选地，所述基板放置区的开口内侧设有支撑面，支撑面与基板的边缘相对应。
[0017]优选地，所述基板放置区的开口包括上开口和下开口；所述支撑面向上开口边缘延伸形成第一斜面，所述支撑面向下开口边缘延伸形成第二斜面。
[0018]优选地，所述基板放置区呈阵列布置于载板上，所述通孔设置于相邻行和/或相邻列的基板放置区之间。
[0019]优选地，所述通孔为与相邻行和/或相邻列的基板放置区相适应的条形孔。其目的是实现等离子体/电子直接溅射到水冷板上，减少载板电子积累和放电现象；具体的，每个条形孔的长与该方向上硅片数量与硅片尺寸的乘积正相关，条形孔的宽度即其左右两个第二平面的距离，该宽度优选设置为20mm
‑
40mm，该宽度的设计既能使得等离子体/电子直接溅射到载板下部的水冷板上，也能保持载板结构不会因镂空过大而导致载板变形。
[0020]优选地，所述载板进入腔室的头部和与其相对的尾端，至少设置一挡板。
[0021]优选地，所述基板包括电池片或半导体片，所述半导体片包括硅片。本专利技术的一种镀膜方法，使用本专利技术中所述的载板盛放基板，再对基板表面镀膜。
[0022]优选地，其具体步骤包括：
[0023](1)将基板放于载板上，再将载板放入镀膜装置中，抽真空；
[0024](2)将载板移至基板一面装有溅射靶材的位置，开始溅射对基板一面镀膜，该面镀膜完成后停止溅射；
[0025](3)将载板移至基板另一面装有溅射靶材的位置，开始溅射对基板另一面镀膜，该面镀膜完成后停止溅射；
[0026](4)向镀膜装置通气，取出载板，完成镀膜。
[0027]本专利技术的一种电池片，采用本专利技术中所述的镀膜方法对基板镀膜得到。
[0028]3.有益效果
[0029]相比于现有技术，本专利技术的有益效果为：本专利技术在载板中实现了通孔和阻挡件的设计，通孔的设计可以使得等离子体或电子等其他粒子在磁控溅射过程中从载板的通孔穿过，进而溅射到载板下部的水冷板上，减少载板上电子积累；另外，通孔端部一侧阻挡件的设计能够阻挡等离子体或电子等其他粒子由通孔向基板放置区、或从基板放置区向通孔传递，进而避免因通孔设计导致的绕镀现象。此外，本专利技术还将阻挡件靠近基片放置区一侧的表面设置成弧面结构，并在阻挡件和放置区之间还设置一过渡结构，从而进一步提高镀膜质量。
[0030]因此，本专利技术既解决了电子在载板上的积累，也避免了绕镀现象的存在，能够进一步提高基板表面镀膜的质量。
附图说明
[0031]图1为本专利技术的一种物理气相沉积用双面镀膜载板俯视图；
[0032]图2为本专利技术的一种物理气相沉积用双面镀膜载板局部示意图；
[0033]图3为本专利技术的基板放置区示意图；
[0034]图4为图2中双面镀膜载板A
‑
A
’
剖视图；
[0035]图5为图4的载板放置基板后的示意图；
[0036]图6为本专利技术另一种实施方式的物理气相沉积用双面镀膜载板剖视图；
[0037]图7为本专利技术又一种实施方式的物理气相沉积用双面镀膜载板剖视图；
[0038]图8为对比例1的载板剖视图；
[0039]图9为对比例3的载板示意图。
[0040]图中：
[0041]100、基板放置区；101、上开口；102、下开口；103、支撑面；104、第一斜面；105、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特征在于，包括在载板上镂空形成的多个基板放置区(100)，所述基板放置区(100)上下两面均设有开口；至少两个所述基板放置区(100)之间设有穿过载板的通孔(300)。2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特征在于，所述通孔(300)的端部相邻于基板放置区(100)一侧设有阻挡件(210)，所述阻挡件(210)由载板表面向外延伸设置。3.根据权利要求2所述的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特征在于，所述阻挡件(210)靠近基板放置区(100)的一侧设有阻挡面(200)，所述阻挡面(200)由载板表面向通孔(300)一侧延伸。4.根据权利要求3所述的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特征在于，所述阻挡面(200)为向外凸起的弧面，所述阻挡件(210)的宽度为10
‑
30mm，所述阻挡件(210)的高度为10
‑
30mm。5.根据权利要求3或4所述的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特征在于，所述基板放置区(100)的开口边缘向阻挡件(210)延伸设置有过渡结构(400)。6.根据权利要求5所述的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特征在于，所述通孔(300)两侧为第二平面(310)，所述第二平面(310)向通孔(300)端部延伸并与所述阻挡面(200)相交。7.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积用双面镀膜载板，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，董刚强，郁操，冉孝超，张永胜，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：