【技术实现步骤摘要】
一种两次曝光改善厚光刻胶角度的方法
[0001]本专利技术涉及半导体芯片生产制造工艺,尤其涉及到深沟槽刻蚀过程中需要用厚胶掩膜的生产制造过程。
技术介绍
[0002]在功率芯片或其他芯片生产制造过程中经常涉及到深槽或选择比较小的刻蚀工艺,需要用厚度较高的光刻胶作为掩膜,厚胶在光刻过程中由于曝光时景深无法覆盖光刻胶厚度,导致曝光过程无法保证光刻胶的角度。该专利技术通过对光刻的焦平面、景深等相关参数的探索,选择最优的曝光条件进行两次曝光,可以极大地改善光刻胶的角度。
技术实现思路
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[0003]为了解决上述现有技术的一个或多个技术问题,本专利技术提出一种两次曝改善厚光刻胶角度的方法。
[0004]根据本专利技术提出的一种两次曝改善厚光刻胶角度的方法,其特征在于:将光刻的曝光强度从焦平面开始向上下分别延伸出有效景深区、扩展区及衰减区,如图1所示。有效景深区中间的点画线为焦平面所在位置,曝光的光强在焦平面附近形成有效景深区,在该区域内光表现比较收敛,超出有效景深区的光开始表现的发散即图中扩展区所示,扩展区之外光强度减弱,如图1中的衰减区所示。
[0005]当光刻胶厚度低于有效景深时,光刻胶落在有效景深范围内时,如图2所示,曝光后的图形角度可以达到90
°
角;而当光刻胶厚度大于有效景深时,如图3所示,部分光刻胶会落在扩展区内,导致光刻胶的角度无法很好的控制或无法做到90
°
的直角形貌。
[0006]曝光线宽和曝光强度相关,随着曝光强度的增加,线条会发生 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种两次曝光改善厚光刻胶角度的方法,其特征在于,包含一下步骤:步骤一、测量不同曝光强度下曝光的有效景深范围及景深范围并描绘景深附近的扩展区曲线。步骤二、根据光刻胶的厚度选择最优的一次曝光强度及焦平面进行第一次曝光,第一次曝光时的焦平面靠近晶圆表面。步骤三、选择合适的二次曝光条件,在相同位置进行第二次曝光,二次曝光的焦平面高于第一次曝光的焦平面。2.根据权利要求书1,一种两次曝光改善厚光刻胶角度的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱小云,
申请(专利权)人:杭州讯微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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