一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术属于晶体管技术领域，且公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端固定有凸块，所述晶体管主体远离凸块的一端安装有晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极，所述晶体管主体的上方设有封盖，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极均包括相连的安装部和极板部，本实用新型专利技术通过增设、通孔、橡胶球和连接杆，在安装晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极时，只需将安装部嵌入至安装槽内即可，安装方便快捷，其次，使橡胶球穿过通孔，利用橡胶球挡住通孔的上端口，在不受外力情况下，能够有效保证安装部安装的稳定性，避免了安装部的滑脱。安装部的滑脱。安装部的滑脱。

【技术实现步骤摘要】
一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管


[0001]本技术属于晶体管
，具体涉及一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。

技术介绍

[0002]晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能，晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，其中场效应晶体管是晶体管中的一种，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
[0003]在申请号为CN201820354347.X的中国专利中，公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，该专利中描述到“在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果”。但是该晶体管的极板安装较为不便，且安装的稳定性较差，容易发生滑脱。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，以解决上述
技术介绍
中提出的传统晶体管的极板安装较为不便以及安装的稳定性较差，易发生滑脱的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端固定有凸块，所述晶体管主体远离凸块的一端安装有晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极，所述晶体管主体的上方设有封盖，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极均包括相连的安装部和极板部，所述晶体管主体的外表壁开设有与安装部相适配的安装槽，所述安装部的外表壁开设有通孔，所述安装槽的内部底部连接有连接杆，所述连接杆的顶端连接有橡胶球。
[0006]优选地，所述晶体管主体的上表壁靠近四个拐角位置处开设有嵌槽，所述封盖朝向晶体管主体的一侧固定有与嵌槽相适配的嵌柱。
[0007]优选地，所述封盖的上表壁两侧对称开设有凹槽，所述晶体管主体的上表壁两侧靠近中间位置处开设有螺孔，所述凹槽的内部底部旋合连接有紧固螺丝，所述紧固螺丝旋合连接至螺孔的内部。
[0008]优选地，所述橡胶球的直径大于通孔的内径。
[0009]优选地，所述凸块的外表壁开设有固定孔，所述固定孔为圆形结构。
[0010]优选地，所述封盖的外表壁固定有凸起，所述凸起的外表壁开设有防滑纹。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012](1)本技术通过增设、通孔、橡胶球和连接杆，在安装晶体管发射极、晶体管基
极和晶体管集电极时，只需将安装部嵌入至安装槽内即可，安装方便快捷，其次，使橡胶球穿过通孔，利用橡胶球挡住通孔的上端口，在不受外力情况下，能够有效保证安装部安装的稳定性，避免了安装部的滑脱。
[0013](2)本技术通过增设嵌槽和嵌柱，在安装封盖时，可先将嵌柱嵌入至嵌槽内，能够有效提高封盖安装的准确度，避免发生歪斜，之后再将紧固螺丝旋进螺孔内部进行限位，能够有效保证封盖安装的稳定性。
附图说明
[0014]图1为本技术的结构示意图；
[0015]图2为本技术的外观图；
[0016]图3为本技术晶体管发射极的结构示意图；
[0017]图4为本技术封盖的侧视图；
[0018]图5为本技术连接杆的正视图；
[0019]图中：1、晶体管主体；2、凸块；3、固定孔；4、安装槽；5、晶体管发射极；6、晶体管基极；7、晶体管集电极；8、嵌槽；9、螺孔；10、封盖；11、凹槽；12、紧固螺丝；13、安装部；14、极板部；15、通孔；16、嵌柱；17、橡胶球；18、连接杆；19、凸起。
具体实施方式
[0020]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]请参阅图1
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图5所示，本技术提供如下技术方案：一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体1，晶体管主体1的一端固定有凸块2，晶体管主体1远离凸块2的一端安装有晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7，晶体管主体1的上方设有封盖10，晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7均包括相连的安装部13和极板部14，晶体管主体1的外表壁开设有与安装部13相适配的安装槽4，安装部13的外表壁开设有通孔15，安装槽4的内部底部连接有连接杆18，连接杆18的顶端连接有橡胶球17，橡胶球17的直径大于通孔15的内径，具体地，在安装晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7时，只需将安装部13嵌入至安装槽4内即可，安装方便快捷，其次，使橡胶球17穿过通孔15，利用橡胶球17挡住通孔15的上端口，在不受外力情况下，能够有效保证安装部13安装的稳定性，避免了安装部13的滑脱。
[0022]进一步地，晶体管主体1的上表壁靠近四个拐角位置处开设有嵌槽8，封盖10朝向晶体管主体1的一侧固定有与嵌槽8相适配的嵌柱16，封盖10的上表壁两侧对称开设有凹槽11，晶体管主体1的上表壁两侧靠近中间位置处开设有螺孔9，凹槽11的内部底部旋合连接有紧固螺丝12，紧固螺丝12旋合连接至螺孔9的内部，具体地，在晶体管发射极5、晶体管基极6和晶体管集电极7安装好后，可安装封盖10，在安装封盖10时，可先将嵌柱16嵌入至嵌槽8内，能够有效提高封盖10安装的准确度，避免发生歪斜，之后再将紧固螺丝12旋进螺孔9内部进行限位，能够有效保证封盖10安装的稳定性。
[0023]进一步地，凸块2的外表壁开设有固定孔3，固定孔3为圆形结构，具体地，固定孔3用于固定该晶体管。
[0024]进一步地，封盖10的外表壁固定有凸起19，凸起19的外表壁开设有防滑纹，具体地，开设有防滑纹的凸起19便于后续封盖10的卸下。
[0025]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：包括晶体管主体(1)，所述晶体管主体(1)的一端固定有凸块(2)，所述晶体管主体(1)远离凸块(2)的一端安装有晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)，所述晶体管主体(1)的上方设有封盖(10)，所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)均包括相连的安装部(13)和极板部(14)，所述晶体管主体(1)的外表壁开设有与安装部(13)相适配的安装槽(4)，所述安装部(13)的外表壁开设有通孔(15)，所述安装槽(4)的内部底部连接有连接杆(18)，所述连接杆(18)的顶端连接有橡胶球(17)。2.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管主体(1)的上表壁靠近四个拐角位置处开设有嵌槽(8)，所述封盖(10)朝向晶体管主体(1)的一侧固...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭嘉洪，郭嘉创，郭嘉智，
申请(专利权)人：亿配芯城深圳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：