半导体结构及其制作方法技术

本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：布线结构层，布线结构层包括金属导电层以及覆盖金属导电层的介电层，布线结构层包括测试垫设置区，测试垫设置区包括中部区域以及设置于中部区域外围的外围区域；开口，设置于外围区域，并暴露出部分金属导电层；测试垫，覆盖测试垫设置区，且测试垫经开口与金属导电层接触。在本公开中，测试垫仅在外围区域下沉入开口内，而覆盖中部区域的测试垫较为平整，从而在测试时能够保证测试垫与测试探针形成可靠接触，保证测试的准确性。保证测试的准确性。保证测试的准确性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体器件因其体积小、集成度高、功耗低等优点在电子器件中得到广泛应用。随着技术进步，半导体器件的集成度越来越高，以满足对更高的性能以及更小的物理尺寸的需求。
[0003]在半导体器件的开发、生产等过程中，需要对半导体器件进行测试，以测试半导体结构的电学性能等是否合乎预期。半导体器件的测试准确性一直是行业内关注的问题。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供一种半导体结构及半导体结构及半导体结构的制作方法。
[0006]本公开的第一方面提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：
[0007]布线结构层，所述布线结构层包括金属导电层以及覆盖所述金属导电层的介电层，所述布线结构层包括测试垫设置区，所述测试垫设置区包括中部区域以及设置于所述中部区域外围的外围区域；
[0008]开口，设置于所述外围区域，并暴露出部分所述金属导电层；
[0009]测试垫，覆盖所述测试垫设置区，且所述测试垫经所述开口与所述金属导电层接触。
[0010]根据本公开的一些实施例，所述开口在所述布线结构层上的投影呈围绕所述中部区域的周向封闭图案。
[0011]根据本公开的一些实施例，所述周向封闭图案为矩形、正方形或六边形。
[0012]根据本公开的一些实施例，所述开口设置有多个，多个所述开口围绕所述中部区域设置。
[0013]根据本公开的一些实施例，所述开口在所述布线结构层上的投影呈条形图案，所述条形图案包括至少两条首尾相接的条形段，相邻所述条形段之间呈夹角设置。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述中部区域呈矩形或正方形，所述条形图案沿所述中部区域的至少两个侧边延伸。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述中部区域呈矩形或正方形，所述中部区域的至少一侧设置有所述开口，位于所述中部区域的同一侧的所述开口在所述布线结构层上的投影呈所述条形图案。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述测试垫在所述布线结构层上的投影呈矩形或正方形，所述测试垫在所述布线结构层上的投影形状的边长为30至60微米。
[0017]根据本公开的一些实施例，所述开口在所述布线结构层上的投影形状的线条宽度
为1至7微米。
[0018]本公开的第二方面提供一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：
[0019]提供衬底；
[0020]在所述衬底上形成布线结构层，所述布线结构层包括金属导电层以及覆盖所述金属导电层的介电层，所述布线结构层包括测试垫设置区，所述测试垫设置区包括中部区域以及设置于所述中部区域外围的外围区域；
[0021]在所述外围区域去除至少部分所述介电层，形成开口，所述开口暴露出部分所述金属导电层；
[0022]在所述测试垫设置区形成测试垫，所述测试垫经所述开口与所述金属导电层接触。
[0023]根据本公开的一些实施例，所述在所述外围区域去除至少部分所述介电层，形成开口，包括：
[0024]在所述布线结构层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括第一预设图案，所述第一预设图案在所述布线结构层上的投影呈围绕所述中部区域的周向封闭图案，或者，所述第一预设图案在所述布线结构层上的投影呈围绕部分所述中部区域的至少一个条形图案；
[0025]基于所述第一掩膜层，刻蚀所述介电层，得到所述开口。
[0026]根据本公开的一些实施例，所述第一预设图案的线条宽度为1至7微米。
[0027]根据本公开的一些实施例，所述在所述测试垫设置区形成测试垫，包括：
[0028]在所述布线结构层上形成导电材料层，所述导电材料层覆盖所述介电层、所述开口的侧壁以及经所述开口暴露出的所述金属导电层；
[0029]去除部分所述导电材料层，保留的所述导电材料层构成所述测试垫。
[0030]根据本公开的一些实施例，所述去除部分所述导电材料层，包括：
[0031]在所述导电材料层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括第二预设图案，所述第二预设图案在所述布线结构层上的投影呈网格图案；
[0032]基于所述第二掩膜层，刻蚀所述导电材料层，得到多个所述测试垫。
[0033]根据本公开的一些实施例，所述网格图案中的网格孔呈矩形或正方形，且网格孔的边长为30至60微米。
[0034]本公开实施例所提供的半导体结构及半导体结构的制作方法中，在布线结构层的测试垫设置区的外围区域设置开口，通过开口暴露出金属导电层，测试垫覆盖测试垫设置区且经外围区域的开口与金属导电层接触，如此，测试垫仅在外围区域下沉入开口内，而覆盖中部区域的测试垫较为平整，从而在测试时能够保证测试垫与测试探针形成可靠接触，保证测试的准确性。
[0035]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0036]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的
要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1是相关技术中半导体结构的结构示意图；
[0038]图2是相关技术中半导体结构进行测试时的示意图；
[0039]图3是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的结构示意图；
[0040]图4是根据一示例性实施例示出的半导体结构中布线结构层的俯视图；
[0041]图5是根据一示例性实施例示出的半导体结构中布线结构层的俯视图；
[0042]图6是根据一示例性实施例示出的半导体结构中布线结构层的俯视图；
[0043]图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构中布线结构层的俯视图；
[0044]图8是根据一示例性实施例示出的半导体结构中布线结构层的俯视图；
[0045]图9是根据一示例性实施例示出的半导体结构中布线结构层的俯视图；
[0046]图10是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图；
[0047]图11是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中形成布线结构层的结构示意图；
[0048]图12是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中形成开口后的结构示意图；
[0049]图13是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图；
[0050]图14是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中形成第一掩膜层后的结构示意图；
[0051]图15是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法中形成开口的过程示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：布线结构层，所述布线结构层包括金属导电层以及覆盖所述金属导电层的介电层，所述布线结构层包括测试垫设置区，所述测试垫设置区包括中部区域以及设置于所述中部区域外围的外围区域；开口，设置于所述外围区域，并暴露出部分所述金属导电层；测试垫，覆盖所述测试垫设置区，且所述测试垫经所述开口与所述金属导电层接触。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口在所述布线结构层上的投影呈围绕所述中部区域的周向封闭图案。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述周向封闭图案为矩形、正方形或六边形。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口设置有多个，多个所述开口围绕所述中部区域设置。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口在所述布线结构层上的投影呈条形图案，所述条形图案包括至少两条首尾相接的条形段，相邻所述条形段之间呈夹角设置。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述中部区域呈矩形或正方形，所述条形图案沿所述中部区域的至少两个侧边延伸。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述中部区域呈矩形或正方形，所述中部区域的至少一侧设置有所述开口，位于所述中部区域的同一侧的所述开口在所述布线结构层上的投影呈所述条形图案。8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述测试垫在所述布线结构层上的投影呈矩形或正方形，所述测试垫在所述布线结构层上的投影形状的边长为30至60微米。9.根据权利要求1至7任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述开口在所述布线结构层上的投影形状的线条宽度为1至7微米。10.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成布线结构层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亮，许杞安，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：