半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，制作方法包括：在基底上形成多个位线结构，相邻的位线结构之间具有第一接触孔，不同区域的位线结构的初始水平高度不同；形成导电接触层填充多个第一接触孔；化学机械研磨使导电接触层顶部平坦化；控制对导电接触层和对位线结构的刻蚀选择比相同，回刻导电接触层和位线结构，使不同区域的位线结构在同一水平高度；第一接触孔的导电接触层形成电容接触插塞。本公开的半导体结构的制作方法及半导体结构中，通过控制对不同结构的刻蚀选择比，控制第一接触孔的深度，以使位于不同区域的第一接触孔的深度相同，有效增大制程窗口，保证制程的稳定性及提升产品良率。良率。良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着半导体集成度不断提高，半导体制造技术的工艺线宽不断缩小，为了保证半导体器件对电容的要求，半导体器件朝着高深宽比方向发展。然而，由于制程过程中各机台性能等原因造成晶圆中不同位置的位线的高度有所差异，进而使得电容接触孔的最终深度有所差异，电容接触孔的制程窗口小，当制程条件偏掉些许时，就可能造成产品质量和良率下降。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
[0005]本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：
[0006]提供基底；
[0007]在所述基底上形成彼此分立的多个位线结构，相邻的所述位线结构之间具有第一接触孔，所述基底上不同区域的所述位线结构的初始水平高度不同；
[0008]形成导电接触层，所述导电接触层填充多个所述第一接触孔，并覆盖多个所述位线结构的表面；
[0009]对所述导电接触层进行化学机械研磨，使所述导电接触层顶部平坦化；
[0010]控制对所述导电接触层和对所述位线结构的刻蚀选择比相同，回刻所述导电接触层和所述位线结构，使所述基底上不同区域的位线结构在同一水平高度；
[0011]其中，所述第一接触孔的所述导电接触层形成电容接触插塞。
[0012]其中，所述半导体结构的制作方法还包括：
[0013]继续刻蚀位于所述第一接触孔内的所述导电接触层，以在多个所述第一接触孔内分别形成水平高度相同的第二接触孔，所述第一接触孔中被保留的所述导电接触层形成为第一导电块；
[0014]在所述第一导电块的表面形成第二导电块，所述第二导电块填充所述第二接触孔，所述第一导电块和所述第二导电块形成所述电容接触插塞。
[0015]其中，所述第一导电块的材料包括掺杂的硅材料，所述第二导电块的材料包括导电金属。
[0016]其中，形成导电接触层，包括：
[0017]形成第一导电接触层，所述第一导电接触层填充多个所述第一接触孔，并覆盖多
个所述位线结构的表面；
[0018]回刻所述第一导电接触层；
[0019]在所述第一导电接触层表面形成第二导电接触层，所述第二导电接触层填充剩余的所述第一接触孔，并覆盖多个位线结构的表面。
[0020]其中，形成导电接触层，还包括：
[0021]在所述第一导电接触层和所述位线结构之间形成第三导电接触层。
[0022]其中，在回刻所述第一导电接触层的过程中，回刻第三导电接触层，其中，所述第一导电接触层相对于所述第三导电接触层的刻蚀选择比大于1，以在多个所述第一接触孔内分别形成多个第一凹槽，所述第一凹槽的槽口在所述基底上的投影，覆盖所述第一凹槽的底壁在所述基底上的投影；
[0023]所述第二导电接触层填充所述第一凹槽。
[0024]其中，所述第一导电接触层的材料中掺杂有第一掺杂元素，所述第三导电接触层的材料中掺杂有第二掺杂元素，所述第一导电接触层中所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第三导电接触层中所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
[0025]其中，所述位线结构包括依次设置在所述基底上的位线导电层和保护层，所述位线结构还包括覆盖所述位线导电层和所述保护层的隔离层，所述隔离层和所述保护层之间具有相同的刻蚀选择比。
[0026]其中，多个所述位线结构包括相对位于初始水平高度最高的第一位线结构，以及相对位于初始水平高度最低的第二位线结构，对所述导电接触层和所述位线结构进行回刻，包括：
[0027]刻蚀所述导电接触层，至暴露所述第一位线结构；
[0028]调整刻蚀条件，以使对所述导电接触层和对所述位线结构的刻蚀选择比相同，刻蚀所述导电接触层和所述位线结构，至暴露所述第二位线结构。
[0029]其中，通过刻蚀终点检测法刻蚀所述导电接触层和所述位线结构。
[0030]本公开的第二方面提供了一种半导体结构，所述半导体结构由第一方面中所述的制作方法制作，其包括：
[0031]基底；
[0032]多个位线结构，独立设置在所述基底上，多个所述位线结构的水平高度相同；
[0033]多个第一接触孔，每个所述第一接触孔位于相邻的两个所述位线结构之间；
[0034]多个电容接触插塞，多个所述电容接触插塞对应设置在多个所述第一接触孔中，多个所述电容接触插塞的水平高度相同。
[0035]其中，所述电容接触插塞包括：
[0036]第一导电块，填充于所述第一接触孔的部分空间内，所述第一接触孔中剩余的空间形成为第二接触孔，分别位于多个所述第一接触孔中的多个第二接触孔水平高度相同；
[0037]第二导电块，覆盖所述第一导电块的表面，并填充所述第二接触孔。
[0038]其中，所述第一导电块包括：
[0039]第一导电接触层，填充于所述第一接触孔内；
[0040]第二导电接触层，覆盖所述第一导电接触层的表面。
[0041]其中，所述第一导电块还包括：
[0042]第三导电接触层，设置在所述第一导电接触层和所述位线结构之间。
[0043]其中，所述第一导电接触层的材料中掺杂有第一掺杂元素，所述第三导电接触层的材料中掺杂有第二掺杂元素，所述第一导电接触层中所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第三导电接触层中所述第二掺杂元素的掺杂浓度。
[0044]本公开提供的半导体结构的制作方法及半导体结构中，半导体结构的制作方法在第一接触孔中形成导电接触层后，刻蚀导电接触层和位线结构，将位于不同区域的位线结构刻蚀至同一水平高度，第一接触孔内被保留的导电接触层形成电容接触插塞，位于不同区域的电容接触插塞的高度相同，通过控制对不同结构的刻蚀选择比，控制第一接触孔的深度，以使位于不同区域的第一接触孔的深度相同，有效增大制程窗口，保证制程的稳定性及提升产品良率。
[0045]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0046]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0047]图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。
[0048]图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。
[0049]图3是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。
[0050]图4是根据一示例性实施例示出的基底的示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底；在所述基底上形成彼此分立的多个位线结构，相邻的所述位线结构之间具有第一接触孔，所述基底上不同区域的所述位线结构的初始水平高度不同；形成导电接触层，所述导电接触层填充多个所述第一接触孔，并覆盖多个所述位线结构的表面；对所述导电接触层进行化学机械研磨，使所述导电接触层顶部平坦化；控制对所述导电接触层和对所述位线结构的刻蚀选择比相同，回刻所述导电接触层和所述位线结构，使所述基底上不同区域的位线结构在同一水平高度；其中，所述第一接触孔的所述导电接触层形成电容接触插塞。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：继续刻蚀位于所述第一接触孔内的所述导电接触层，以在多个所述第一接触孔内分别形成水平高度相同的第二接触孔，所述第一接触孔中被保留的所述导电接触层形成为第一导电块；在所述第一导电块的表面形成第二导电块，所述第二导电块填充所述第二接触孔，所述第一导电块和所述第二导电块形成所述电容接触插塞。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电块的材料包括掺杂的硅材料，所述第二导电块的材料包括导电金属。4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成导电接触层，包括：形成第一导电接触层，所述第一导电接触层填充多个所述第一接触孔，并覆盖多个所述位线结构的表面；回刻所述第一导电接触层；在所述第一导电接触层表面形成第二导电接触层，所述第二导电接触层填充剩余的所述第一接触孔，并覆盖多个位线结构的表面。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成导电接触层，还包括：在所述第一导电接触层和所述位线结构之间形成第三导电接触层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在回刻所述第一导电接触层的过程中，回刻第三导电接触层，其中，所述第一导电接触层相对于所述第三导电接触层的刻蚀选择比大于1，以在多个所述第一接触孔内分别形成多个第一凹槽，所述第一凹槽的槽口在所述基底上的投影，覆盖所述第一凹槽的底壁在所述基底上的投影；所述第二导电接触层填充所述第一凹槽。7.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电接触层的材料中掺杂有第一掺杂元素，所述第三导电接触层的材料中掺杂有第二掺杂元素，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：巩金峰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：