一种双焊点半导体器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种双焊点半导体器件封装结构，包括一塑封体，所述塑封体内部具有金属基板、半导体芯片和第一金属基岛；所述半导体芯片焊接于所述金属基板的上表面；所述第一金属基岛通过至少一条第一键合线与所述半导体芯片连接；其中，每条所述第一键合线具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片上。通过在芯片上增加第二焊点，增强了芯片的均流能力，提高引线键合强度，降低了电流过度集中于一点引发的热失效概率，有助于提高器件的稳定性和寿命，增加可靠性，进一步提高了产品的良品率，大幅提升器件的电压、电流导通能力，进而提高半导体器件的性能。体器件的性能。体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种双焊点半导体器件封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种双焊点半导体器件封装结构。

技术介绍

[0002]半导体功率器件泛指应用于控制大电流(100A以上)或高电压(1200V以上)的功率处理类半导体器件，其主要类型有功率二极管、功率MOSFET管、晶闸管、IGBT等，是电力电子和信息技术等领域最基础和核心的技术。
[0003]TO
‑
263作为当前一种主流的贴片式封装，市场需求很大。但传统的TO
‑
263的内部芯片与引脚之间大多采用两点键合。但随着器件向大电流高电压的发展，芯片尺寸相应增大，器件性能要求更高，传统的两点键合容易导致芯片均流能力不足，大电流器件热失效概率大。

技术实现思路

[0004]基于现有技术中的问题，本技术提供一种双焊点半导体器件封装结构，旨在解决现有技术中半导体功率器件芯片均流能力不足、热失效概率大等技术问题。
[0005]一种双焊点半导体器件封装结构，包括一塑封体，所述塑封体内部具有金属基板、半导体芯片和第一金属基岛；
[0006]所述半导体芯片焊接于所述金属基板的上表面；
[0007]所述第一金属基岛通过至少一条第一键合线与所述半导体芯片连接；
[0008]其中，每条所述第一键合线具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片上。
[0009]进一步的，所述塑封体内还包括第二金属基岛；
[0010]所述第二金属基岛与所述半导体芯片通过第二键合线连接。
[0011]进一步的，所述第一金属基岛和第一引脚连接，所述第二金属基岛和第二引脚连接；
[0012]所述第一引脚和所述第二引脚延伸至所述塑封体的外部。
[0013]进一步的，所述金属基板的厚度范围为1.0mm～1.5mm。
[0014]进一步的，所述第一键合线的数量为1～6，所述第一键合线采用铝线。
[0015]进一步的，所述第二键合线采用铝线。
[0016]进一步的，所述第一引脚和所述第二引脚分别具有连接的第一部分和第二部分；
[0017]所述第一金属基岛与所述第一引脚的第一部分连接，所述第二金属基岛与所述第二引脚的第一部分连接；
[0018]所述第一引脚的第一部分和所所述第二引脚的第一部分延伸至所述塑封体的外部；
[0019]所述第一引脚的第二部分和所述第二引脚的第二部分均为弯折部，且弯折后的底
面与所述金属基板的下表面共平面。
[0020]进一步的，所述第一引脚和所述第二引脚的厚度分别为0.2mm～0.8mm。
[0021]进一步的，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度。
[0022]进一步的，所述第一部分的宽度为1.0mm～1.5mm；所述第二部分的宽度为0.5mm～1mm。
[0023]本技术的有益技术效果在于：键合线在芯片上的焊接方式采用双焊点焊接，即通过在芯片上增加第二焊点，增强了芯片的均流能力，提高引线键合强度，降低了电流过度集中于一点引发的热失效概率，有助于提高器件的稳定性和寿命，增加可靠性，进一步提高了产品的良品率，大幅提升器件的电压、电流导通能力，进而提高半导体器件的性能。
附图说明
[0024]图1为本技术提供的半导体器件封装结构的结构示意图；
[0025]图2为本技术提供的半导体器件封装结构的结构后视图；
[0026]图3为本技术提供的半导体器件封装结构的左视截面示意图；
[0027]图4为本技术提供的半导体器件封装结构的前视的外观示意图；
[0028]图5为本技术提供的半导体器件封装结构的后视的外观示意图；
[0029]图6为本技术提供的半导体器件封装结构的左视的外观示意图。
[0030]其中，
[0031]1‑
半导体芯片；
[0032]2‑
金属基板；
[0033]3‑
第一键合线；
[0034]4‑
第二键合线；
[0035]5‑
第二金属基岛；
[0036]6‑
第一金属基岛；
[0037]7‑
塑封体；
[0038]8‑
第三引脚；
[0039]61
‑
第一引脚；
[0040]51
‑
第二引脚。
具体实施方式
[0041]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0042]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0043]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。
[0044]参见图1
‑
6，本技术提供一种双焊点半导体器件封装结构，包括一塑封体(7)，
所述塑封体(7)内部具有金属基板(2)、半导体芯片(1)和第一金属基岛(6)；
[0045]所述半导体芯片(1)焊接于所述金属基板(2)的上表面；
[0046]所述第一金属基岛(6)通过至少一条第一键合线(3)与所述半导体芯片(1)连接；
[0047]其中，每条所述第一键合线(3)具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片(1)上。
[0048]每条所述第一键合线(3)双焊点焊接方法，即通过在芯片上增加第二焊点，增强了芯片的均流能力，降低了电流过度集中于一点引发的热失效概率，增加可靠性，进一步提高了产品的良品率。
[0049]进一步的，所述塑封体(7)内还包括第二金属基岛(5)；
[0050]所述第二金属基岛(5)与所述半导体芯片(1)通过第二键合线(4)连接。
[0051]进一步的，所述第一金属基岛(6)和第一引脚(61)连接，所述第二金属基岛(5)和第二引脚(51)连接；
[0052]所述第一引脚(61)和所述第二引脚(51)延伸至所述塑封体(7)的外部。
[0053]进一步的，所述金属基板(2)的厚度范围为1.0mm～1.5mm。
[0054]进一步的，所述第一键合线(3)的数量为1～6，所述第一键合线(3)采用铝线。
[0055]进一步的，所述第二键合线(4)采用铝线。
[0056]具体的，所述第二键合线(4)采用一根5mil铝线作为门极线。所述第一键合线(3)采用1～6根12mil～20mil铝线作为功率线。
[0057]进一步的，所述第一引脚(61)和所述第二引脚分别具有连接的第一部分和第二部分；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双焊点半导体器件封装结构，其特征在于，包括一塑封体，所述塑封体内部具有金属基板、半导体芯片和第一金属基岛；所述半导体芯片焊接于所述金属基板的上表面；所述第一金属基岛通过至少一条第一键合线与所述半导体芯片连接；其中，每条所述第一键合线具有第一焊点和第二焊点，通过所述第一焊点与所述第二焊点焊接在所述半导体芯片上。2.如权利要求1所述的一种双焊点半导体器件封装结构，其特征在于，所述塑封体内还包括第二金属基岛；所述第二金属基岛与所述半导体芯片通过第二键合线连接。3.如权利要求2所述的一种双焊点半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一金属基岛和第一引脚连接，所述第二金属基岛和第二引脚连接；所述第一引脚和所述第二引脚延伸至所述塑封体的外部。4.如权利要求1所述的一种双焊点半导体器件封装结构，其特征在于，所述金属基板的厚度范围为1.0mm～1.5mm。5.如权利要求1所述的一种双焊点半导体器件封装结构，其特征在于，所述第一键合线的数量为1～6，所述第一键合线采用铝线。...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳扬，田哲伟，
申请(专利权)人：浙江谷蓝电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：