一种电磁屏蔽封装结构及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种电磁屏蔽封装结构及制作方法，属于半导体封装领域。针对现有技术中存在的现有电磁屏蔽罩主要采用单步装片的方式，封装结构复杂，产品的整体成本较高的问题，本发明专利技术提供一种电磁屏蔽封装结构及制作方法，基板框架由第一框架和第二框架组成，第一框架和第二框架粘结合，基板上设置有芯片，芯片与正面引脚连接，包封层覆盖在第一框架和芯片上，不覆盖第二框架所在位置，包封层和第二框架所在上方依次设置有整体覆盖的蒸镀层和屏蔽层，基板框架背面引脚设置有背面镀层。它结构简单，制作时候自动化程度高，成本低，且设置有多层金属镀层，可以进一步降低干扰。可以进一步降低干扰。可以进一步降低干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁屏蔽封装结构及制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，更具体地说，涉及一种电磁屏蔽封装结构及制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子设备的普及化，用于实现电路控制或具体实现功能的芯片需求量大幅增加；生产量也随之加大，但是产品性能却参差不齐；例如，现有的芯片在实际使用过程中，不具备电磁屏蔽功能，从而导致芯片极易出现故障而导致电子设备无法正常工作。
[0003]现有电磁屏蔽封装多采用模组类封装结构，产品整体的封装费用较高，结构复杂。如中国专利申请，申请号201510587907.7，申请日2017年10月27日，公开了一种电磁屏蔽封装方法及其封装结构，所述结构包括基板，所述基板正面贴装有射频芯片和多个电子器件，所述射频芯片和多个电子器件上覆盖有一层干膜，所述射频芯片和多个电子器件周围的干膜区域通过曝光显影开设有填充槽，所述填充槽内设置有金属填料，所述干膜和金属填料上表面设置有一层金属层。此专利技术一种电磁屏蔽封装方法及其封装结构，解决了传统工艺中包封和镭射开槽存在的缺陷问题。如上述封装结构，封装结构复杂，产品的整体成本较高，其他现有的电磁屏蔽罩多采用单步装片的方式，置于芯片上，产品的自动化作业性不高。

技术实现思路

[0004]1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的现有电磁屏蔽罩多采用单步装片的方式，封装结构复杂，产品的整体成本较高的问题，本专利技术提供一种电磁屏蔽封装结构及制作方法，它结构简单，制作时候自动化程度高，成本低，且设置有多层金属镀层，可以进一步降低干扰。/>[0005]2.技术方案本专利技术的目的通过以下技术方案实现：一种电磁屏蔽封装结构，包括基板框架，基板框架由第一框架和第二框架组成，第一框架和第二框架粘结合，基板上设置有芯片，芯片与正面引脚连接，包封层覆盖在第一框架和芯片上，不覆盖第二框架所在位置，包封层和第二框架所在上方依次设置有整体覆盖的蒸镀层和屏蔽层，基板框架背面引脚设置有背面镀层。
[0006]更进一步的，所述的屏蔽层外还设置有保护层。
[0007]一种电磁屏蔽封装结构制作方法，步骤如下，取一块基板，经过蚀刻形成正面引脚及外引脚，在管脚上电镀金属，形成第一框架；再取一块基板，进行蚀刻或切割，形成第二框架，第二框架形状为芯片外围的形状；将第一框架和第二框架结合；
将芯片装于结合后的框架基岛上；打线使正面引脚与芯片实现电性连接，包封、后固化，框架正面形成包封层；在第二框架所在的位置上方进行切割，将第二框架正上方的包封层全部去除，露出第二框架，形成与切割区；包封层以及第二框架上方的表面形成蒸镀层，蒸镀层覆盖整个包封层和第二框架上表面；在蒸镀层表面设置屏蔽层；框架背面引脚位置形成背面镀层；最后切割形成单颗产品。
[0008]更进一步的，形成第一框架后，第一框架背面贴膜，在包封层后撕膜。
[0009]更进一步的，所述的膜为高温胶带。
[0010]更进一步的，第一框架和第二框架结合方式为，通过粘贴层结合，粘贴层为不导电胶。
[0011]更进一步的，第二框架所在的位置上方进行切割，将第二框架正上方的包封层全部去除后，继续部分厚度的第二框架。
[0012]更进一步的，所述的蒸镀层为钛层。
[0013]更进一步的，在屏蔽层外还设置一层保护层，所述的保护层为钛镍银保护层。
[0014]更进一步的，背面镀层为锡层。
[0015]3.有益效果本专利技术在设置第二框架，形成一个可以独立覆盖单个芯片的屏蔽层，通过先设置第二框架结合后续一层又一层的屏蔽和保护层，有效保证了单个封装的屏蔽效果，且结构简单，工艺可控，可靠性更好。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的第一框架结构示意图；图2为本专利技术的粘合第二框架后结构示意图；图3为本专利技术的装片后结构示意图；图4为本专利技术的打线后结构示意图；图5为本专利技术的包封后结构示意图；图6为本专利技术的预切割后结构示意图；图7为本专利技术的增加蒸镀后结构示意图；图8为本专利技术的增加屏蔽层后结构示意图；图9为本专利技术的增加保护层后结构示意图；图10为本专利技术的管脚镀锡后结构示意图；图11为本专利技术的切割后结构示意图。
[0017]图中标号说明：1、第一框架；2、粘贴层；3、第二框架；4、芯片；5、包封层；6、预切割区；7、蒸镀层；8、屏蔽层；9、保护层；10、背面镀层。
具体实施方式
[0018]下面结合说明书附图和具体的实施例，对本专利技术作详细描述。
[0019]实施例1由于上述结构复杂，我方设计了相应的一种电磁屏蔽封装结构和对应的制造方法。
[0020]如图1首先取一块基板，本实施例为铜基板，经过蚀刻形成正面引脚及外引脚，在管脚上电镀银、金等金属便于打线作业；通过上述的步骤为正常的常规安装芯片前制作框架的步骤，此步骤形成第一框架1；第一框架1背面贴膜，如可以设置有高温胶带，进行保护，防止后续工艺对芯片产生影响。
[0021]再取一块基板，进行蚀刻或切割，形成的框架大小为每一个芯片外围的形状，目的是为了后续形成一个可以方便后续屏蔽安装的结构，类似于一个单条框架，如图2所示形成的一个第二框架3，通过粘贴层2，将第一框架1和第二框架3粘合，粘贴层2为不导电胶，利用不导电胶将框第一框架1与第二框架3粘合形成整体框架，后续的描述直接框架来描述整体框架。
[0022]如图3所示，将芯片4装于框架基岛上，具体的可以通过利用不导电胶或导电胶进行安装，通过刷胶、安装芯片后固化，使芯片4固定在框架上，此工艺步骤为常规现有技术的步骤，在此不多做赘述。
[0023]如图4、5所示，通过后续步骤打线使管脚与芯片实现电性连接，包封、后固化、撕膜（贴有膜的情况），正面框架进行包封，正面形成包封层5，形成包封后的框架。此工艺步骤为常规现有技术的步骤，在此不多做赘述。
[0024]如图6所示，在第二框架3所在的位置进行切割，将第二框架3正上方的包封层全部去除，露出第二框架3，更进一步的，可以继续去除一部分第二框架3，保留一定厚度的第二框架3，本实施例如图所示，可以割塑封体正面至第二框架3的二分之一厚度，具体的根据需求进行选择，至少要保证第二框架3的强度以及连接性能，以备后续工艺的工作，形成与切割区6，从截面看为一个在第二框架3上竖直的空间。这里的去除可以用机械切割的方式进行，也可以用其他合适的方式进行。
[0025]如图7所示，利用蒸镀的方法在包封层5表面形成蒸镀层7，蒸镀层7覆盖整个包封层5，以及第二框架2的上层，整个框架的上层都是被蒸镀层7覆盖，蒸镀层7为钛层，将钛等材料镀于塑封体面，提高塑封体与屏蔽材料的结合。
[0026]如图8所示，在蒸镀层7表面设置屏蔽层8，具体的方案可以利用热浸镀屏蔽材料的方法将屏蔽材料镀在蒸镀层7表面，起到真正屏蔽的作用。屏蔽材料只要是现有技术中可以进行电磁屏蔽的材料都可以，如金属层，或者其他形式的屏蔽材料。
[0027]优选的，如图9所示，在屏蔽层8外再设置一层保护层9，如通过蒸镀钛镍银钛保护层，避免屏蔽材料受外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽封装结构，其特征在于，包括基板框架，基板框架由第一框架和第二框架组成，第一框架和第二框架粘结合，基板上设置有芯片，芯片与正面引脚连接，包封层覆盖在第一框架和芯片上，不覆盖第二框架所在位置，包封层和第二框架所在上方依次设置有整体覆盖的蒸镀层和屏蔽层，基板框架背面引脚设置有背面镀层。2.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽封装结构，其特征在于，所述的屏蔽层外还设置有保护层。3.一种电磁屏蔽封装结构制作方法，步骤如下，取一块基板，经过蚀刻形成正面引脚及外引脚，在管脚上电镀金属，形成第一框架；再取一块基板，进行蚀刻或切割，形成第二框架，第二框架形状为芯片外围的形状；将第一框架和第二框架结合；将芯片装于结合后的框架基岛上；打线使正面引脚与芯片实现电性连接，包封、后固化，框架正面形成包封层；在第二框架所在的位置上方进行切割，将第二框架正上方的包封层全部去除，露出第二框架，形成与切割区；包封层以及第二框架上方的表面形成蒸镀层，蒸镀层覆盖整个包封层和第二框架上表面；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，郭智，吴涛，汪阳，
申请(专利权)人：江苏长晶浦联功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：