背接触异质结电池片及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种背接触异质结电池片及其制作方法，背接触异质结电池片包括衬底、第一本征非晶硅钝化层、抗反射层、第二本征非晶硅钝化层、掺杂层、透明导电层和第一本征非晶硅钝化隔离层，第一本征非晶硅钝化层和抗反射层依次沉积于衬底的向光面；第二本征非晶硅钝化层和掺杂层依次沉积于衬底的背光面，掺杂层包括多个交替布置的P区和N区，透明导电层沉积于P区和N区上，任意相邻P区和N区间隔开并形成第一隔离槽；第一本征非晶硅钝化隔离层与第一隔离槽一一对应，第一本征非晶硅钝化隔离层填充于相应第一隔离槽内。本发明专利技术提供的背接触异质结电池片具有P区和N区的有效面积大，电池效率高的优点。高的优点。高的优点。

【技术实现步骤摘要】
背接触异质结电池片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及异质结电池片
，具体涉及一种背接触异质结电池片及其制作方法。

技术介绍

[0002]背接触太阳电池，是将电池的P区及N区均设置在电池背面，避免栅线对电池正面产生遮挡，是一种高效的太阳电池。目前背接触异质结电池面临以下问题：P区与N区隔离距离的设置会对电池效率产生影响。研究表明，P区与N区的间隙电流密度极高，电流在P区与N区的分布不均匀，越靠P区与N区的中心电流密度越低。基于此，一般P区与N区之间的隔离区距离：10
‑
50
µ
m，因为P区与N区的间隙过小，电池则有可能被击穿短路；P区与N区的间隙过大，则会影响P区及N区的面积，影响电池效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0004]为此，本专利技术的实施例提出一种背接触异质结电池片，该背接触异质结电池片具有P区和N区的有效面积大，电池效率高的优点。
[0005]本专利技术的实施例还提出一种背接触异质结电池片的制作方法。
[0006]根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片包括衬底、第一本征非晶硅钝化层、抗反射层、第二本征非晶硅钝化层、掺杂层、透明导电层和第一本征非晶硅钝化隔离层，所述第一本征非晶硅钝化层和所述抗反射层依次沉积于所述衬底的向光面；所述第二本征非晶硅钝化层和所述掺杂层依次沉积于所述衬底的背光面，所述掺杂层包括多个交替布置的P区和N区，所述透明导电层沉积于所述P区和所述N区上，任意相邻所述P区和所述N区间隔开并形成第一隔离槽；所述第一本征非晶硅钝化隔离层与所述第一隔离槽一一对应，所述第一本征非晶硅钝化隔离层填充于相应所述第一隔离槽内。
[0007]根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片，通过设置第一本征非晶硅钝化隔离层将P区和N区分隔开，在避免电池被击穿短路的基础上，P区和N区之间开的第一隔离槽的宽度可以被设置地更小，相比于相关技术中的微米级宽度，可以被限定在纳米级宽度。由此P区和N区的有效面积更大，电池效率更高。
[0008]在一些实施例中，所述掺杂层包括用于构成所述P区的P型非晶硅层和用于构成所述N区的N型非晶硅层，所述第一本征非晶硅钝化隔离层的至少部分充满所述第一隔离槽。
[0009]在一些实施例中，所述第一本征非晶硅钝化隔离层为本征非晶硅、nc
‑
Si:H和
µ
c
‑
Si:H中任意一者构成的硅薄膜。
[0010]在一些实施例中，所述第一隔离槽沿所述衬底的厚度方向贯穿所述第二本征非晶硅钝化层且至少部分位于所述衬底上，所述第一本征非晶硅钝化隔离层充满所述第一隔离槽位于所述衬底内的部分，所述第一隔离槽包括位于所述衬底和所述第二本征非晶硅钝化层的内隔离槽，和位于所述掺杂层的外隔离槽。
[0011]在一些实施例中，所述内隔离槽的宽度D为：0＜D＜10nm。
[0012]在一些实施例中，所述第一隔离槽位于所述衬底内的部分的深度等于所述衬底的厚度。
[0013]在一些实施例中，所述衬底的背光面设有与所述第一隔离槽一一对应的第二隔离槽，所述第二隔离槽的深度小于等于所述衬底的厚度，所述背接触异质结电池片还包括第二本征非晶硅钝化隔离层，所述第二本征非晶硅钝化隔离层填充于所述第二隔离槽。
[0014]在一些实施例中，所述衬底为N型衬底，所述P区面积大于所述N区面积。
[0015]根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法包括以下步骤：在衬底的向光面和背光面分别沉积第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层，再在第一本征非晶硅钝化层上沉积抗反射层；通过第一掩膜和第二掩膜在第二本征非晶硅钝化层上分别沉积N型非晶硅和P型非晶硅；在N型非晶硅与P型非晶硅的交界处，使用激光划刻得到第一隔离槽，开槽后的N型非晶硅和P型非晶硅分别成型N区和P区，P区/N区厚度+第二本征非晶硅钝化层厚度<第一隔离槽深度≤P区/N区厚度+第二本征非晶硅钝化层厚度+衬底厚度；在第一隔离槽内沉积本征非晶硅，得到第一本征非晶硅钝化隔离层。
[0016]根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的技术优势与上述实施例的背接触异质结电池片的技术优势相同，此处不再赘述。
[0017]根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法包括以下步骤：在衬底的向光面依次沉积第一本征非晶硅钝化层和抗反射层；在衬底的背光面布置第四掩膜，使用激光划刻第四掩膜和衬底得到第二隔离槽；在第二隔离槽内沉积本征非晶硅，得到第二本征非晶硅钝化隔离层；去除第四掩膜，在衬底的背光面沉积第二本征非晶硅钝化层；通过第五掩膜和第六掩膜在第二本征非晶硅钝化层上分别沉积N型非晶硅和P型非晶硅，以形成间隔开的N区和P区。
[0018]根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的技术优势与上述实施例的背接触异质结电池片的技术优势相同，此处不再赘述。
附图说明
[0019]图1是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤a。
[0020]图2是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤b。
[0021]图3是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤c。
[0022]图4是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤d。
[0023]图5是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤e。
[0024]图6是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤f。
[0025]图7是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤g。
[0026]图8是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的制作方法的步骤h。
[0027]图9是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的示意图。
[0028]图10是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤a。
[0029]图11是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤b。
[0030]图12是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤c。
[0031]图13是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤d。
[0032]图14是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤e。
[0033]图15是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤f。
[0034]图16是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤g。
[0035]图17是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤h。
[0036]图18是根据本专利技术实施例的背接触异质结电池片的另一制作方法的步骤i。
[0037]附图标记：1、衬底；2、第一本征非晶硅钝化层；3、第二本征非晶硅钝化层；4、抗反射层；5、N型非晶硅层；51、N区；6、P型非晶硅层；61本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触异质结电池片，其特征在于，包括：衬底；第一本征非晶硅钝化层和抗反射层，所述第一本征非晶硅钝化层和所述抗反射层依次沉积于所述衬底的向光面；第二本征非晶硅钝化层、掺杂层和透明导电层，所述第二本征非晶硅钝化层和所述掺杂层依次沉积于所述衬底的背光面，所述掺杂层包括多个交替布置的P区和N区，所述透明导电层沉积于所述P区和所述N区上，任意相邻所述P区和所述N区间隔开并形成第一隔离槽；以及第一本征非晶硅钝化隔离层，所述第一本征非晶硅钝化隔离层与所述第一隔离槽一一对应，所述第一本征非晶硅钝化隔离层填充于相应所述第一隔离槽内。2.根据权利要求1所述的背接触异质结电池片，其特征在于，所述掺杂层包括用于构成所述P区的P型非晶硅层和用于构成所述N区的N型非晶硅层，所述第一本征非晶硅钝化隔离层的至少部分充满所述第一隔离槽。3.根据权利要求2所述的背接触异质结电池片，其特征在于，所述第一本征非晶硅钝化隔离层为本征非晶硅、nc
‑
Si:H和
µ
c
‑
Si:H中任意一者构成的硅薄膜。4.根据权利要求1所述的背接触异质结电池片，其特征在于，所述第一隔离槽沿所述衬底的厚度方向贯穿所述第二本征非晶硅钝化层且至少部分位于所述衬底上，所述第一本征非晶硅钝化隔离层充满所述第一隔离槽位于所述衬底内的部分，所述第一隔离槽包括位于所述衬底和所述第二本征非晶硅钝化层的内隔离槽，和位于所述掺杂层的外隔离槽。5.根据权利要求4所述的背接触异质结电池片，其特征在于，所述内隔离槽的宽度D为：0＜D＜10nm。6.根据权利要求4所述的背接触异质结电池片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗丽珍，彭文博，肖平，赵东明，李晓磊，高虎，施悦，葛恒，
申请(专利权)人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：