一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，该电路包含4个P型MOS管，12个N型MOS管，7个BJT三极管，1个电阻器R，其中，第七N型MOS管NM7，第八N型MOS管NM8，第九N型MOS管NM9，第十N型MOS管NM10，第十一N型MOS管NM11，第十二N型MOS管NM12组成电流镜结构，本方案可以在输出级的电流发生波动时，通过负反馈结构，来保持输出端电流的稳定。同时可以通过控制BJT三极管参数的比值，来设定输出级的静态电流的大小，本实用新型专利技术电路通过设计静态电流的大小，在输出级的电流发生波动时，通过负反馈结构，来保持输出端电流的稳定。来保持输出端电流的稳定。来保持输出端电流的稳定。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路


[0001]本技术属于集成电路
，涉及一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路。

技术介绍

[0002]运算放大器是若干晶体管构成的集成电路，其中，运算放大器的静态电流是指运放的状态为稳定态时自身消耗的电流，这里的稳定态是指运放内晶体管的工作状态不发生改变且不计负载的电流消耗。然而，静态电流的大小决定了静态功耗，静态功耗是指放大器输出不驱动负载时，内部电路所消耗的功耗。现有技术中许多便携式电子设备，绝大部分时间处于待机状态，静态电流的大小影响着功耗，更小的静态电流不仅可以降低功耗、提高转换速率，从而可以延长设备续航时间。但是运放低阻抗输出级静态工作点往往不确定，也不能设定静态功耗的大小。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中存在的问题，本技术提供一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，通过设计静态电流的大小，保证了静态电流的稳定性。
[0004]本技术是通过以下技术方案来实现：
[0005]一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，其特征在于，包括4个P型MOS管，12个N型MOS管，7个BJT三极管和1个电阻器；
[0006]第六N型MOS管的源极、第四BJT三极管的基极、第二BJT三极管的基极与电阻器的一端连接；第一P型MOS管的漏极、第三P型MOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接；第二P型MOS管的漏极、第四P型MOS管的源极与第一N型MOS管的漏极连接；第三P型MOS管的漏极、第七N型MOS管的漏极与第五N型MOS管的栅极连接；第四P型MOS管的漏极、第八N型MOS管的漏极与第六N型MOS管的栅极连接；第七BJT三极管的发射极、第一N型MOS管的栅极、第二N型MOS管的栅极与第九N型MOS管的漏极连接；第五BJT三极管的发射极、第三BJT三极管的集电极与第三N型MOS管的栅极连接；第六BJT三极管的发射极、第四BJT三极管的集电极与第四N型MOS管的栅极连接；第一N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极与第十N型MOS管的漏极连接；第五N型MOS管的源极、第三BJT三极管的基极、第一BJT三极管的基极与第十一N型MOS管的漏极连接。
[0007]优选的，所述第一P型MOS管的栅极、第二P型MOS管的栅极连接至第一偏置电压；第三P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的栅极连接至第二偏置电压；第一BJT三极管的发射极、第三BJT三极管的发射极、第二BJT三极管的集电极与电源输出端连接。
[0008]优选的，所述第一P型MOS管的源极、第二P型MOS管的源极、第七BJT三极管的基极和集电极、第三N型MOS管的漏极、第四N型MOS管的漏极、第五N型MOS管的漏极、第六N型MOS管的漏极、第六BJT三极管的基极和集电极、第五BJT三极管的基极和集电极、第一BJT三极管的集电极连接至电源电压。
[0009]优选的，所述第七N型MOS管的源极、第八N型MOS管的源极、第九N型MOS管的源极、第十N型MOS管的源极、第十一N型MOS管的源极、第十二N型MOS管的源极、电阻器的另一端、第四BJT三极管的发射极、第二BJT三极管的发射极连接至接地端。
[0010]优选的，所述第七N型MOS管的栅极、第八N型MOS管的栅极、第九N型MOS管的栅极、第十N型MOS管的栅极、第十一N型MOS管的栅极、第十二N型MOS管的栅极和漏极连接至偏置电路。
[0011]优选的，所述第一BJT三极管的面积是第三BJT三极管的n倍，所述第二BJT三极管的面积是第四BJT三极管的n倍，其中n为正整数。
[0012]优选的，所述第七BJT三极管、第八BJT三极管、第九BJT三极管、第十BJT三极管、第十一BJT三极管和第十二BJT三极管为电流镜结构。
[0013]优选的，所述第一P型MOS管和第二P型MOS管为电流镜结构。
[0014]优选的，所述BJT三极管为垂直型高β三极管。
[0015]优选的，所述P型MOS管和N型MOS管均为LDMOS管。
[0016]与现有技术相比，本技术具有以下有益的技术效果：
[0017]本技术提供一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，通过设计静态电流的大小，在输出级的电流发生波动时，通过负反馈结构，来保持输出端电流的稳定；此外，本技术的电路结构简单，功耗低，有利于在电路
应用推广。
[0018]进一步，本技术通过控制第四BJT三极管和第三BJT三极管的面积与第二BJT三极管和第一BJT三极管的面积的参数比值，来设定输出级的静态电流的大小。
[0019]进一步，本技术通过设计第七BJT三极管、第八BJT三极管、第九BJT三极管、第十BJT三极管、第十一BJT三极管和第十二BJT三极管组成电流镜结构，有效的提高了输出端电流的稳定性；
[0020]进一步，本技术通过设计的偏置电路为第十二BJT三极管提供流过的稳定电流。
附图说明
[0021]图1为本技术的应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定结构电路原理图；
具体实施方式
[0022]下面结合具体的实施例对本技术做进一步的详细说明，所述是对本技术的解释而不是限定。
[0023]本技术提供一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，其特征在于：该电路包含4个P型MOS管，12个N型MOS管，7个BJT三极管，1个电阻器R，第一P型MOS管PM1，第二P型MOS管PM2，第三P型MOS管PM3，第四P型MOS管PM4；第一N型MOS管NM1，第二N型MOS管NM2，第三N型MOS管NM3，第四N型MOS管NM4，第五N型MOS管NM5，第六N型MOS管NM6，第七N型MOS管NM7，第八N型MOS管NM8，第九N型MOS管NM9，第十N型MOS管NM10，第十一N型MOS管NM11，第十二N型MOS管NM12；第一BJT三极管Q1，第二BJT三极管Q2，第三BJT三极管Q3，第四BJT三极管Q4，第五BJT三极管Q5，第六BJT三极管Q6，第七BJT三极管Q7。详细电路如图1所示，第七N型MOS管NM7，第八N型MOS管NM8，第九N型MOS管NM9，第十N型MOS管NM10，第十一N型
MOS管NM11，第十二N型MOS管NM12组成电流镜结构，偏置电路是为了提供流过第十二N型MOS管NM12的电流。本方案可以在输出级的电流发生波动时，通过负反馈结构，来保持输出端电流的稳定。同时可以通过控制第四BJT三极管Q4和第三BJT三极管Q3与第二BJT三极管Q2和第一BJT三极管Q1参数比1：n的比值，来设定输出级的静态电流的大小，流过第二BJT三极管Q2和第一BJT三极管Q1的静态电流是流过第七BJT三极管Q7电流的n倍。
[0024]第一P型MOS管PM1的源极、第二P型MOS管PM2的源极、第七BJT三极管Q7的基极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，其特征在于，包括4个P型MOS管，12个N型MOS管，7个BJT三极管和1个电阻器；第六N型MOS管的源极、第四BJT三极管的基极、第二BJT三极管的基极与电阻器的一端连接；第一P型MOS管的漏极、第三P型MOS管的源极与第二N型MOS管的漏极连接；第二P型MOS管的漏极、第四P型MOS管的源极与第一N型MOS管的漏极连接；第三P型MOS管的漏极、第七N型MOS管的漏极与第五N型MOS管的栅极连接；第四P型MOS管的漏极、第八N型MOS管的漏极与第六N型MOS管的栅极连接；第七BJT三极管的发射极、第一N型MOS管的栅极、第二N型MOS管的栅极与第九N型MOS管的漏极连接；第五BJT三极管的发射极、第三BJT三极管的集电极与第三N型MOS管的栅极连接；第六BJT三极管的发射极、第四BJT三极管的集电极与第四N型MOS管的栅极连接；第一N型MOS管的源极、第二N型MOS管的源极、第三N型MOS管的源极、第四N型MOS管的源极与第十N型MOS管的漏极连接；第五N型MOS管的源极、第三BJT三极管的基极、第一BJT三极管的基极与第十一N型MOS管的漏极连接。2.根据权利要求1所述一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，其特征在于，所述第一P型MOS管的栅极、第二P型MOS管的栅极连接至第一偏置电压；第三P型MOS管的栅极、第四P型MOS管的栅极连接至第二偏置电压；第一BJT三极管的发射极、第三BJT三极管的发射极、第二BJT三极管的集电极与电源输出端连接。3.根据权利要求1所述一种应用于运放低阻抗输出级的静态电流恒定电路，其特征在于，所述第一P型MOS管的源极、第二P型MOS管的源极、第七BJT三极管的基极和集电极、第三N型MOS管的漏极、第四N型MOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏雪，孙权，王婉，王勇，袁婷，闫鹏程，
申请(专利权)人：西安航天民芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：