一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明专利技术含三芳胺和菲结构的化合物结构如通式(1)所示，将其应用于有机电致发光器件，具有较强的空穴注入传输能力和适宜的能级，空穴可以有效传输并注入至发光层，可以实现有机电致发光器件的低驱动电压下的高效率发光。低驱动电压下的高效率发光。低驱动电压下的高效率发光。

【技术实现步骤摘要】
一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中，并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱，空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配，导致复合区域偏移较大，不利于器件的稳定性。另外，空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素，因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域，一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋，截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高，因此，如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体，因此为了调节发光层的载流子平衡，需要空穴传输材料具有优异的空穴传输性能。空穴注入和传输越好，调节复合区域会向远离电子阻挡层侧偏移，从而远离界面发光，使得器件性能提高，寿命增加。因此要求空穴传输区域材料具有高空穴注入性、高空穴迁移率、高电子阻挡性和高电子耐候性。
[0004]空穴传输材料因为具有较厚的膜厚，因此材料的耐热性和非晶性会对器件的寿命产生至关重要的影响。耐热性较差的材料在蒸镀过程中易发生分解，污染蒸镀腔体且损坏器件寿命；膜相态稳定性较差的材料，在器件使用过程中会发生结晶，降低器件使用寿命。因此，要求空穴传输材料在使用过程中具有较高的膜相态稳定性和分解温度。但是，对用于有机电致发光器件的稳定且有效的有机材料层的材料的开发尚未充分实现。因此，需要不断开发一种新的材料以更好地适用于有机电致发光器件的性能需求。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术申请人提供了一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用。本专利技术化合物含有菲基和三芳胺结构，具有优异的空穴传输能力、膜相态稳定性和耐候性。通过使用三芳胺和菲类化合物来形成有机电致发光器件的空穴注入和传输材料时，可显示出器件性能的提高，例如器件效率提升、驱动电压降低和寿命延长等效果。
[0006]本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种含三芳胺和菲结构的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：
[0008][0009]通式(1)中，L、L1、L2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基或亚二苯并呋喃基；
[0010]R1、R2分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
C
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种；
[0011]R表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、苯并呋喃基或二苯并呋喃基；
[0012]用于取代基团的取代基任选自氘、氚、C1‑
10
的烷基、C6‑
C
30
芳基、含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种或多种；
[0013]所述杂原子为氧、硫或氮原子。
[0014]优选方案，所述R1、R2分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯并二噁英、取代或未取代的苊基、取代或未取代的胡椒环基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的咔唑基中的一种；
[0015]所述用于取代基团的取代基为氘、氚、甲基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、芴基、菲基、芘基、苊基、胡椒环基中的一种或多种。
[0016]优选方案，R表示为苯基，R2表示为联苯基或苯基。
[0017]优选方案，R表示为苯基，R1与R2相同。
[0018]优选方案，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
[0019][0020][0021][0022][0023][0024][0025][0026][0027][0028]一种有机电致发光器件，包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极，所述空穴传输区域包含所述含三芳胺和菲结构的化合物。
[0029]优选方案，所述空穴传输区域依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层；所述空穴注入层与空穴传输层均包含所述含三芳胺和菲结构的化合物；优选所述空穴注入层为所述含三芳胺和菲结构的化合物与P型掺杂材料的混合膜层。
[0030]优选方案，所述发光区域包含主体材料和客体材料，其中所述主体材料包含蒽基团，客体材料为荧光材料；
[0031]优选方案，所述电子传输区域包含由以下通式(3)所示的氮杂环化合物：
[0032][0033]通式(3)中，Ar1、Ar2、Ar3彼此独立地表示为取代或未取代的C6‑
C
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C5‑
C
30
杂环基中的一种；
[0034]L1选自单键、取代或未取代的C6‑
C
30
亚芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C5‑
C
30
亚杂环基中的一种；
[0035]所述杂原子各自独立地选自N、O或S；n表示1或2；
[0036]X1、X2、X3彼此独立地表示N或CH，X1、X2、X3中的至少一个表示N。
[0037]优选方案，所述电子传输区域包括电子传输层和电子注入层，其中所述电子传输层包含所述的氮杂环化合物；所述电子注入层为N型金属材料。
[0038]优选方案，所述氮杂环化合物的结构为如下化合物中的任一种：
[0039][0040]优选方案，所述电子传输区域包括电子传输层和电子注入层，其中所述电子传输层包含所述的氮杂环化合物；所述电子注入层为N型金属材料。
[0041]本专利技术有益的技术效果在于：
[0042]本专利技术的三芳胺和菲类化合物，该种结构类型有较高的玻璃化转变温度、具有优异的膜相态稳定性和优异的高温耐候性，使得器件不会因为点亮过程中产生的热量而使得器件老化或结晶。
[0043]本专利技术化合物由于具有较小的重整能(由电子态改变引起的分子构型变化和环境极化所产生的能量)，使得本申请化合物具有较高的迁移率，从而具有优异的空穴传输性能，应用于OLED器件能够显著降低器件的电压。
[0044]本专利技术提供的化合物具有合适的HOMO能级，能够与P掺杂材料在低掺杂比例下形成稳定的CT络合物，进一步提高空穴注入效率，降低Cross
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含三芳胺和菲结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，L、L1、L2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基或亚二苯并呋喃基；R1、R2分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
C
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种；R表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、苯并呋喃基或二苯并呋喃基；用于取代基团的取代基任选自氘、氚、C1‑
10
的烷基、C6‑
C
30
芳基、含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种或多种；所述杂原子为氧、硫或氮原子。2.根据权利要求1所述的含三芳胺和菲结构的化合物，其特征在于，所述R1、R2分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯并二噁英、取代或未取代的苊基、取代或未取代的胡椒环基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的咔唑基中的一种；所述用于取代基团的取代基为氘、氚、甲基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基、二联苯基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、芴基、菲基、芘基、苊基、胡椒环基中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的含三芳胺和菲结构的化合物，其特征在于，R表示为苯基，R2表示为联苯基或苯基。4.根据权利要求1所述的含三芳胺和菲结构的化合物，其特征在于，R表示为苯基，R1与R2相同。5.根据权利要求1所述的含三芳胺和菲结构的化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴秀芹，尚书夏，谢丹丹，李崇，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：