晶圆检测模型构建方法及检测方法技术

本发明专利技术揭示了晶圆检测模型构建方法及检测方法，其包括创建检测模型与设备端交互，检测模型包括xml检测模型和曝光区域特征点模型，xml检测模型包括晶圆名称、晶圆尺寸、曝光区域尺寸、有效曝光区域尺寸、晶圆中心与曝光区域相对位置关系、特征点尺寸、芯片阵列、切割道尺寸、边缘无效区宽度，曝光区域特征点模型包括若干曝光区域特征点矩阵信息；设备端内具备检测执行单元，检测执行单元包括光源自动设定模块、对位执行模块、Golden影像模块。本发明专利技术通过晶圆检测模型构建的方式能实现设计数据编辑，无需实体测绘即可满足检测方案建立需求，同时检测模型易于实现与设备端交互，满足高效高精度切换对位需求。缩短了检测建模时间，提高了设备稼动率。提高了设备稼动率。提高了设备稼动率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检测模型构建方法及检测方法


[0001]本专利技术涉及晶圆检测模型构建方法及检测方法，属于晶圆芯片视觉检测建模的


技术介绍

[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。
[0003]在半导体制程中，晶圆存在几十乃至上百层的分层加工，每层需要经过光刻、刻蚀、抛光等作业。为保证每道工序正常，在工序后需要进行外观检测，每道工序后产品表面形态会有变化，意味着针对一个产品，外观检测设备需要多个检测方案进行检测。随着工艺越来越复杂，一个晶圆产品的外观检测方案可能多达上百个，每个检测方案都存在一定地差异。
[0004]目前，在针对每道工序后的晶圆产品检测时，都需要进行与该道工序成型后晶圆相适配的外观检测方案建立，因此在未加工完成后无法获得建模数据，同时，外观检测方案中涵盖了大量地检测项及检测参数固化建模，在进行当前外观检测方案建立时，会占用大量地人力与检测机台调试时间，影响到晶圆的检测效率。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是解决上述现有技术的不足，针对传统检测方案建立较为僵硬固化及稼动率交底等问题，提出晶圆检测模型构建方法及检测方法。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：晶圆检测模型构建方法，包括如下步骤：创建检测模型，所述检测模型包括xml检测模型和曝光区域特征点模型，所述xml检测模型包括晶圆名称、晶圆尺寸、曝光区域尺寸、有效曝光区域尺寸、晶圆中心与曝光区域相对位置关系、特征点尺寸、芯片阵列、切割道尺寸、边缘无效区宽度，所述曝光区域特征点模型包括若干曝光区域特征点矩阵信息；设备端交互，在设备端内设置用于导入所述检测模型的检测执行单元，所述检测执行单元内设有用于与所述xml检测模型相匹配的光源自动设定模块、用于根据晶圆中心与曝光区域相对位置关系和曝光区域特征点矩阵信息进行对位切换的对位执行模块、用于初始影像采集生成对比Golden影像的Golden影像模块。
[0007]优选地，所述对位执行模块包括用于围绕晶圆摆动采集晶圆切割边际并定位晶圆中心的自动寻边对中模块。
[0008]优选地，所述检测执行单元内设有用于根据芯片阵列进行与对当前曝光区域内芯片切换对位的切换位调节模块。
[0009]优选地，所述xml检测模型包括晶圆工序层数据，所述光源自动设定模块根据所述晶圆工序层数据与所述曝光区域尺寸进行自动光源强度调节。
[0010]优选地，所述检测执行单元内设有用于根据所述xml检测模型对当前晶圆采集数据进行检测判断的检测判断模块。
[0011]优选地，所述检测模型为在线编辑或离线编辑的数据包。
[0012]本专利技术还提出了晶圆检测方法，包括如下步骤：S1检测模型设定，根据待检测晶圆的设计参数进行xml检测模型的编辑及曝光区域特征点模型的编辑；S2设备端响应，设备端的检测执行单元接收经过编辑后的xml检测模型和曝光区域特征点模型，并生成相应的动作执行路径；S3检测运行，根据生成的动作执行路径进行检测作业，进行晶圆中心定点，根据晶圆中心和晶圆中心与曝光区域相对位置关系进行当前曝光区域位置确认，再根据曝光区域特征点矩阵信息进行当前曝光区域精确定位与切换对位；S4芯片影像采集，根据芯片阵列在曝光区域内进行若干芯片的分别影像采集；S5对比Golden影像生成，通过对若干采集的芯片影像进行复合生成对比Golden影像；S6芯片检测，重复步骤S3~S4，将采集的芯片影像与对比Golden影像对比分析。
[0013]优选地，所述对位执行模块包括用于围绕晶圆摆动采集晶圆切割边际并定位晶圆中心的自动寻边对中模块，所述步骤S2中，通过自动寻边对中模块进行晶圆中心定点。
[0014]优选地，所述检测执行单元内设有用于根据所述xml检测模型对当前晶圆采集数据进行检测判断的检测判断模块，所述步骤S2中，在自动寻边对中模块进行摆动采集晶圆切割边际时进行晶圆尺寸采集、曝光区域尺寸采集、特征点尺寸采集、切割道尺寸采集，并通过检测判断模块将采集信息与xml检测模型进行对比。
[0015]本专利技术的有益效果主要体现在：1.通过晶圆检测模型构建的方式能实现设计数据编辑，无需实体晶圆成型测绘即可满足检测方案建立需求，同时检测模型易于实现与设备端交互，满足高效高精度切换对位需求。
[0016]2.缩短了检测建模时间，提高了设备稼动率，使得检测周期得到有效缩短。
[0017]3.检测模型构建巧妙，使得检测作业高效流畅，具备较高地经济价值。
附图说明
[0018]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是本专利技术晶圆检测方法的流程示意图。
[0019]图2是本专利技术中xml检测模型的列表图。
[0020]图3是本专利技术中设备端的互动定位运行示意图。
具体实施方式
[0021]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0022]下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0023]本专利技术提供晶圆检测模型构建方法，包括如下步骤：创建检测模型，检测模型包括xml检测模型和曝光区域特征点模型，xml检测模型如图2所示，包括晶圆名称(Product ID)、晶圆尺寸（Wafer Diameter）、曝光区域尺寸（Shot Size）、有效曝光区域尺寸（Step size）、晶圆中心与曝光区域相对位置关系（Offset）、特征点尺寸（Locking Corner Size）、芯片阵列（Chip_Array）、切割道尺寸（Scribe Width）、边缘无效区宽度(EBR Size)，曝光区域特征点模型包括若干曝光区域特征点矩阵信息。
[0024]具体地说明，传统外观检测方案为配方形式，即采用一个固定地配方文件，文件内存在固定属性值，该固定属性值为晶圆成型后采集影像测绘的数据值，在没有成型晶圆的情况下，无法进行外观检测方案的建立，另外，传统检测方案中，基本为尺寸数据，并没有相关坐标系关系、特征点等具体参考系，在后端Camtek外观检测设备进行影像检测数据采集时，需要另外设置对位程序，一般采用影像分析、定位点抓捕的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶圆检测模型构建方法，其特征在于包括如下步骤：创建检测模型，所述检测模型包括xml检测模型和曝光区域特征点模型，所述xml检测模型包括晶圆名称、晶圆尺寸、曝光区域尺寸、有效曝光区域尺寸、晶圆中心与曝光区域相对位置关系、特征点尺寸、芯片阵列、切割道尺寸、边缘无效区宽度，所述曝光区域特征点模型包括若干曝光区域特征点矩阵信息；设备端交互，在设备端内设置用于导入所述检测模型的检测执行单元，所述检测执行单元内设有用于与所述xml检测模型相匹配的光源自动设定模块、用于根据晶圆中心与曝光区域相对位置关系和曝光区域特征点矩阵信息进行对位切换的对位执行模块、用于初始影像采集生成对比Golden影像的Golden影像模块。2.根据权利要求1所述晶圆检测模型构建方法，其特征在于：所述对位执行模块包括用于围绕晶圆摆动采集晶圆切割边际并定位晶圆中心的自动寻边对中模块。3.根据权利要求2所述晶圆检测模型构建方法，其特征在于：所述检测执行单元内设有用于根据芯片阵列进行与对当前曝光区域内芯片切换对位的切换位调节模块。4.根据权利要求1所述晶圆检测模型构建方法，其特征在于：所述xml检测模型包括晶圆工序层数据，所述光源自动设定模块根据所述晶圆工序层数据与所述曝光区域尺寸进行自动光源强度调节。5.根据权利要求1所述晶圆检测模型构建方法，其特征在于：所述检测执行单元内设有用于根据所述xml检测模型对当前晶圆采集数据进行检测判断的检测判断模块。6.根据权利要求1任意所述晶圆检测模型构建方法，其特征在于：所述检测模型为...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾振鹏，凌栋，茅志敏，
申请(专利权)人：苏州康钛检测科技有限公司，
类型：发明
国别省市：