一种晶圆临时键合方法及解键合方法技术

本申请公开一种晶圆临时键合方法及解键合方法，涉及半导体技术领域，能够解决现有临时键合方式以及解键合方式存在的粘结胶残留的问题。一种晶圆临时键合方法，包括：分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理；利用光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。得到临时键合体。得到临时键合体。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆临时键合方法及解键合方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆临时键合方法及解键合方法。

技术介绍

[0002]目前，在进行晶圆与晶圆的键合形成三维芯片之前，部分单片晶圆需要进行晶圆薄化或晶圆刻蚀等工艺处理。在晶圆薄化或晶圆刻蚀等工艺处理过程中，为保护单片晶圆的线路侧的线路不受损伤，需要对单片晶圆进行临时键合和解键合的处理。在临时键合的过程中，通常通过在晶圆表面旋涂粘结胶，将单片晶圆与保护晶片对准贴合，粘结胶固化后两晶圆贴合在一起，之后在外界作用下使粘结胶失效，实现解键合。
[0003]然而，现有的解键合通常采用热熔解键合的工艺，容易发生粘结胶去除不彻底，存在粘结胶残留在晶圆表面的问题，进而影响晶圆上器件或线路的性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种晶圆临时键合方法及解键合方法，能够解决现有临时键合方式以及解键合方式存在的粘结胶残留的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种晶圆临时键合方法，包括：
[0006]分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理；
[0007]利用光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。
[0008]在一些实施方式中，所述分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理，包括：
[0009]利用清洗液，对以第一设定速度旋转的所述晶圆的键合面进行扫描式清洗；以及，
[0010]利用所述清洗液，对以第二设定速度旋转的所述保护晶片的键合面进行扫描式清洗。
[0011]在一些实施方式中，所述分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理，还包括：
[0012]对清洗后的所述晶圆的键合面和/或所述保护晶片的键合面进行表面疏水性处理。
[0013]在一些实施方式中，所述对清洗后的所述晶圆的键合面和/或所述保护晶片的键合面进行表面疏水性处理，包括：
[0014]在设定温度环境中，向所述晶圆的键合面喷涂六甲基二硅氮烷，和/或，向所述保护晶片的键合面喷涂六甲基二硅氮烷；
[0015]将喷涂完六甲基二硅氮烷的所述晶圆和/或所述保护晶片冷却至室温。
[0016]在一些实施方式中，所述利用光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体，包括：
[0017]对所述晶圆的键合面或所述保护晶片的键合面涂覆光刻胶；
[0018]对涂覆有所述光刻胶的所述晶圆或所述保护晶片进行前烘烤；
[0019]通过所述光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。
[0020]在一些实施方式中，所述通过所述光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体之前，还包括：
[0021]对所述保护晶片的键合面进行喷雾处理，在喷雾处理的喷雾溶液完全覆盖所述保护晶片的键合面的情况下停止；
[0022]所述通过所述光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体，包括：
[0023]将喷雾处理后的所述保护晶片的键合面与涂覆有所述光刻胶的所述晶圆的键合面贴合，得到贴合体；
[0024]对所述贴合体进行后烘烤，得到所述临时键合体。
[0025]在一些实施方式中，所述对涂覆有所述光刻胶的所述晶圆或所述保护晶片进行前烘烤之前，还包括：
[0026]对涂覆有所述光刻胶的所述晶圆或所述保护晶片进行洗边处理。
[0027]本申请实施例的第二方面，提供一种晶圆临时键合的解键合方法，包括：
[0028]对按照如第一方面所述的晶圆临时键合方法得到的临时键合体进行曝光；
[0029]分别对曝光后的所述临时键合体的晶圆和保护晶片施加剪切力，以将所述临时键合体的所述晶圆和所述保护晶片分离；
[0030]利用显影液，分别对分离后的所述晶圆的键合面上的光刻胶以及所述保护晶片的键合面上的光刻胶进行显影处理。
[0031]在一些实施方式中，所述对所述临时键合体进行曝光，包括：
[0032]在所述临时键合体靠近所述保护晶片的一侧，向所述保护晶片照射紫外光，以对所述临时键合体进行曝光。
[0033]在一些实施方式中，所述对所述临时键合体进行曝光，包括：
[0034]按照第一设定时间，对所述临时键合体进行曝光；
[0035]曝光完成后，检查所述光刻胶是否产生气泡；
[0036]响应于所述光刻胶未产生气泡，按照二设定时间，对所述临时键合体进行曝光。
[0037]本申请实施例提供的晶圆临时键合方法及解键合方法，通过利用光刻胶，将晶圆的键合面与保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。利用光刻胶的粘性将保护晶片和晶圆贴合在一起，得到临时键合体，临时键合体中的保护晶片对晶圆起到临时保护的作用。在解键合工艺中，可以利用光刻胶的光感性能，进行曝光和显影，以将保护晶片与晶圆分离，并去除光刻胶，显影液对光刻胶的溶解，可以保证光刻胶的去除效果，不容易产生光刻胶残留，能够解决现有临时键合方式以及解键合方式存在的粘结胶残留的问题，避免粘结胶残留影响晶圆上元器件和线路的性能。
附图说明
[0038]图1为本申请实施例提供的一种晶圆临时键合方法的示意性流程图；
[0039]图2为本申请实施例提供的一种晶圆临时键合的解键合方法的示意性流程图；
[0040]图3为本申请实施例提供的一种晶圆临时键合的解键合方法的临时键合体的示意性状态图。
具体实施方式
[0041]为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明，而不是对本说明书技术方案的限定，在不冲突的情况下，本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0042]在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
[0043]目前，在进行晶圆与晶圆的键合形成三维芯片之前，部分单片晶圆需要进行晶圆薄化或晶圆刻蚀等工艺处理。在晶圆薄化或晶圆刻蚀等工艺处理过程中，为保护单片晶圆的线路侧的线路不受损伤，需要对单片晶圆进行临时键合和解键合的处理。在临时键合的过程中，通常通过在晶圆表面旋涂粘结胶，将单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆临时键合方法，其特征在于，包括：分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理；利用光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。2.根据权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理，包括：利用清洗液，对以第一设定速度旋转的所述晶圆的键合面进行扫描式清洗；以及，利用所述清洗液，对以第二设定速度旋转的所述保护晶片的键合面进行扫描式清洗。3.根据权利要求2所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述分别对晶圆的键合面和保护晶片的键合面进行表面处理，还包括：对清洗后的所述晶圆的键合面和/或所述保护晶片的键合面进行表面疏水性处理。4.根据权利要求3所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述对清洗后的所述晶圆的键合面和/或所述保护晶片的键合面进行表面疏水性处理，包括：在设定温度环境中，向所述晶圆的键合面喷涂六甲基二硅氮烷，和/或，向所述保护晶片的键合面喷涂六甲基二硅氮烷；将喷涂完六甲基二硅氮烷的所述晶圆和/或所述保护晶片冷却至室温。5.根据权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述利用光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体，包括：对所述晶圆的键合面或所述保护晶片的键合面涂覆光刻胶；对涂覆有所述光刻胶的所述晶圆或所述保护晶片进行前烘烤；通过所述光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行贴合，得到临时键合体。6.根据权利要求5所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述通过所述光刻胶，将所述晶圆的键合面与所述保护晶片的键合面进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晨星，杨云春，郭鹏飞，陆原，张栓，赵立芳，王文正，范建国，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：