发光装置制造方法及图纸

一种发光装置，包括电路基板、发光元件、第一延伸垫、第二延伸垫、粘着层、第一导电图案以及第二导电图案。电路基板的表面设置有第一电极及第二电极。发光元件位于电路基板上，且包括：第一型半导体层、第二型半导体层、发光层、第一接垫以及第二接垫，其中第二型半导体层位于第一型半导体层与电路基板之间。第一延伸垫电性连接第一接垫，且第二延伸垫电性连接第二接垫。粘着层位于发光元件与电路基板之间，且至少延伸于第二型半导体层的侧壁。第一导电图案电性连接第一延伸垫与第一电极，且第二导电图案电性连接第二延伸垫与第二电极。图案电性连接第二延伸垫与第二电极。图案电性连接第二延伸垫与第二电极。

【技术实现步骤摘要】
发光装置


[0001]本专利技术涉及一种发光装置。

技术介绍

[0002]微型发光元件(例如微型发光二极管，Micro
‑
LED)显示装置具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点。由于Micro
‑
LED的尺寸极小，目前制作Micro
‑
LED显示装置的方法主要是采用巨量转移(Mass Transfer)技术，亦即利用微机电阵列技术进行微型发光元件取放，以将大量的Micro
‑
LED一次搬运到电路基板上。
[0003]随着Micro
‑
LED的尺寸持续缩减，Micro
‑
LED的出光率因表面缺陷占比增加而快速下降，故需选用具高出光率的结构。考虑简化搭接结构以提升出光率，预期倒装芯片式(Flip chip)Micro
‑
LED将能够提供较高出光率。然而，由于倒装芯片式Micro
‑
LED仅通过P/N接垫与电路基板对接，其搭接良率及可靠度一直不够理想。再者，目前倒装芯片式Micro
‑
LED需要使用热工艺与电路基板建立电性连接，而当焊料等连接材熔融时，Micro
‑
LED由于其尺寸及重量极小，又常发生偏移的情况，导致可靠度更加难以提升。
[0004]此外，巨量转移技术常有发光元件错位的情况发生，目前的处理方式之一是采用余冗位(Redundancy)架构，即当确认Micro
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LED异常时，将异常Micror/>‑
LED进行破坏，再补植新的Micro
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LED至余冗位。然而，补植工艺需再次使用热工艺进行桥接，此又增加了Micro
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LED偏移的可能性。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种发光装置，具有提高的可靠度。
[0006]本专利技术的一个实施例提出一种发光装置，包括：电路基板，其表面设置有第一电极及第二电极；发光元件，位于电路基板上，且包括：第一型半导体层；第二型半导体层，重叠于第一型半导体层，且位于第一型半导体层与电路基板之间；发光层，位于第一型半导体层与第二型半导体层之间；第一接垫，连接第一型半导体层，且位于第一型半导体层与电路基板之间；以及第二接垫，连接第二型半导体层，且位于第二型半导体层与电路基板之间；第一延伸垫，电性连接第一接垫；第二延伸垫，电性连接第二接垫；粘着层，位于发光元件与电路基板之间，且至少延伸于第二型半导体层的侧壁；第一导电图案，电性连接第一延伸垫与第一电极；以及第二导电图案，电性连接第二延伸垫与第二电极。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫于电路基板的正投影部分重叠发光元件于电路基板的正投影。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫的延伸方向相反或相互垂直。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫或第二延伸垫至少一部分悬空。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫包括第一延伸部及第一连接部，第一延伸部连接第一接垫，第一连接部连接第一延伸部与第一导电图案，第二延伸垫包括第二
延伸部及第二连接部，第二延伸部连接第二接垫，且第二连接部连接第二延伸部与第二导电图案，其中，第一延伸部与第一连接部的夹角≥90度，且第二延伸部与第二连接部的夹角≥90度。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫分别与第一接垫以及第二接垫属于相同膜层。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的粘着层的杨氏模数介于2至3之间。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的电路基板还包括开关元件阵列。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括绝缘层，位于第一延伸垫及第二延伸垫与第一电极及第二电极之间。
[0015]本专利技术的另一个实施例提出一种发光装置，具有相邻的转置区及修补区，且包括：电路基板，其表面设置有第一电极及第二电极；多个发光元件，位于电路基板上，且各包括：第一型半导体层；第二型半导体层，重叠于第一型半导体层，且位于第一型半导体层与电路基板之间；发光层，位于第一型半导体层与第二型半导体层之间；第一接垫，连接第一型半导体层，且位于第一型半导体层与电路基板之间；以及第二接垫，连接第二型半导体层，且位于第二型半导体层与电路基板之间，其中，多个发光元件中的第一发光元件位于转置区，且第一发光元件的第一接垫与第一电极之间的电性连接被断开，多个发光元件中的第二发光元件位于修补区，且第二发光元件的第一接垫电性连接第一电极，第二发光元件的第二接垫电性连接第二电极。
[0016]在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括第一延伸垫及第二延伸垫，其中，第一延伸垫电性连接第一接垫，第二延伸垫电性连接第二接垫。
[0017]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫于电路基板的正投影部分重叠发光元件于电路基板的正投影。
[0018]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫的延伸方向相反或相互垂直。
[0019]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫或第二延伸垫至少一部分悬空。
[0020]在本专利技术的一实施例中，上述的第一延伸垫以及第二延伸垫分别与第一接垫以及第二接垫属于相同膜层。
[0021]在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括第一导电图案及第二导电图案，其中，第一导电图案电性连接第一延伸垫与第一电极，第二导电图案电性连接第二延伸垫与第二电极。
[0022]在本专利技术的一实施例中，电性连接第一发光元件的第一导电图案及第二导电图案与电性连接第二发光元件的第一导电图案及第二导电图案的材质不同。
[0023]在本专利技术的一实施例中，上述的第一发光元件的第一接垫与第一电极之间的电性连接或第一发光元件的第二接垫与第二电极之间的电性连接被断开包括于电性连接其间的第一延伸垫、第一导电图案、第二延伸垫或第二导电图案中形成开口。
[0024]在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置还包括粘着层，位于发光元件与电路基板之间，且至少延伸于第二型半导体层的侧壁。
[0025]在本专利技术的一实施例中，上述的粘着层的杨氏模数介于2至3之间。
[0026]本专利技术的有益效果在于，本专利技术的发光装置通过第一延伸垫及第二延伸垫来辅助
发光元件与电路基板的对接，同时增加发光元件对于粘着层的附着力，能够提高发光元件与电路基板的搭接良率，进而提高发光装置的可靠度。另外，本专利技术的发光装置通过薄膜沉积工艺及光刻工艺来形成第一导电图案以及第二导电图案，能够避免使用热工艺造成发光元件偏移的问题。
[0027]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
[0028]图1A是依照本专利技术一实施例的发光装置的局部俯视示意图。
[0029]图1B是沿图1A的剖本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：电路基板，其表面设置有第一电极及第二电极；发光元件，位于所述电路基板上，且包括：第一型半导体层；第二型半导体层，重叠于所述第一型半导体层，且位于所述第一型半导体层与所述电路基板之间；发光层，位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；第一接垫，连接所述第一型半导体层，且位于所述第一型半导体层与所述电路基板之间；以及第二接垫，连接所述第二型半导体层，且位于所述第二型半导体层与所述电路基板之间；第一延伸垫，电性连接所述第一接垫；第二延伸垫，电性连接所述第二接垫；粘着层，位于所述发光元件与所述电路基板之间，且至少延伸于所述第二型半导体层的侧壁；第一导电图案，电性连接所述第一延伸垫与所述第一电极；以及第二导电图案，电性连接所述第二延伸垫与所述第二电极。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一延伸垫以及所述第二延伸垫于所述电路基板的正投影部分重叠所述发光元件于所述电路基板的正投影。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一延伸垫以及所述第二延伸垫的延伸方向相反或相互垂直。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一延伸垫或所述第二延伸垫至少一部分悬空。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一延伸垫包括第一延伸部及第一连接部，所述第一延伸部连接所述第一接垫，所述第一连接部连接所述第一延伸部与所述第一导电图案，所述第二延伸垫包括第二延伸部及第二连接部，所述第二延伸部连接所述第二接垫，且所述第二连接部连接所述第二延伸部与所述第二导电图案，其中，所述第一延伸部与所述第一连接部的夹角≥90度，且所述第二延伸部与所述第二连接部的夹角≥90度。6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一延伸垫以及所述第二延伸垫分别与所述第一接垫以及所述第二接垫属于相同膜层。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述粘着层的杨氏模数介于2至3之间。8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电路基板还包括开关元件阵列。9.如权利要求1所述的发光装置，还包括绝缘层，位于所述第一延伸垫及所述第二延伸垫与所述第一电极及所述第二电极之间。10.一种发光装置，具有相邻的转置区及修补区，且包括：电路基板，其表面设置有第一电极及第二电极；多个发光元件，位于所述电路基板上，且各包括：第一型半导体层；第二型半导体层，重叠于所述第一型半导体层，且位于所述第一型半导体层与所述电

【专利技术属性】
技术研发人员：周珊霙，俞方正，李锡烈，陈弘胤，黄柏荣，冯玟菲，杨文玮，蔡正晔，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：