一种具有NP堆叠漂移区的IGBT制造技术

本发明专利技术属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。本发明专利技术将IGBT的耐压层设置为由N型漂移区(4)和P型漂移区(5)通过上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区，从而NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构，此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极，基极：N型场截止层，集电极：P型漂移区和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层，基极：P型漂移区，集电极：N型漂移区构成，从而实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。关断损耗的折中关系。关断损耗的折中关系。

【技术实现步骤摘要】
一种具有NP堆叠漂移区的IGBT


[0001]本专利技术属于功率半导体
，特别涉及一种具有NP堆叠漂移区的IGBT(Insulated gate bipolar transistor，绝缘栅双极型晶体管)结构。

技术介绍

[0002]IGBT是一种重要的功率器件，被广泛使用。其追求更优的导通压降与关断损耗的折衷关系。传统优化IGBT导通压降与关断损耗的方法主要改变栅极、阴极结构来增强阴极侧载流子存储、改变阳极结构来减少阳极侧载流子积累，以及改变耐压层结构来加速漂移区内载流子的抽取。对耐压层的改变主要是在漂移区内引入交替的PN条形成超结结构来实现。但是超结结构对N/P条电荷要求高，设计制造难度高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的，就是为了优化IGBT的导通压降与关断损耗，提出一种具有NP堆叠漂移区的IGBT。
[0004]本专利技术的技术方案：一种具有NP堆叠漂移区的IGBT，其半元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于集电极结构之上、发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上：
[0005]所述集电极结构包括集电极金属1、P+集电极区2和N型场截止层3；所述集电极金属1的下表面引出端为器件的集电极C；所述P+集电极区2位于集电极金属1的上表面；所述N型场截止层3位于P+集电极区2的上表面；
[0006]所述发射极结构包括N型载流子存储层6、P型阱区7、N型发射极区9、P型体接触区8以及发射极金属10；所述N型载流子存储层6位于耐压层结构上表面；所述P型阱区7位于N型载流子存储层6上表面；所述N型发射极区9和P型体接触区8位于P型阱区7上表面；所述发射极金属10的下表面同时与N型发射极区9和P型体接触区8的上表面接触，其上表面的引出端为器件的发射极E；
[0007]所述栅极结构为沟槽栅结构，其包括绝缘介质12和导电材料11；所述导电材料11位于绝缘介质12内，其引出端为器件的栅极G；所述绝缘介质12从器件表面垂直穿过P型阱区7与N型载流子存储层6，其侧面与N型载流子存储层6、P型阱区7、N型发射极区9接触；
[0008]其特征在于，所述耐压层包括N型漂移区4和P型漂移区5，两者呈现上下堆叠的形式，形成NP堆叠漂移区；所述N型漂移区4的下表面与N型场截止层3的上表面接触，其上表面与P型漂移区5的下表面接触；所述P型漂移区的上表面同时与绝缘介质12的下表面和侧面以及N型载流子存储层6的下表面接触。
[0009]本专利技术的有益效果为，本专利技术的一种具有NP堆叠漂移区的IGBT实现了更好的导通压降与关断损耗的折中关系。
附图说明
[0010]图1是本专利技术的IGBT结构；
[0011]图2是本专利技术的IGBT等效电路；
[0012]图3是本专利技术的IGBT等效电路与结构对应图；
[0013]图4是常规IGBT结构；
[0014]图5是常规IGBT等效电路；
具体实施方式
[0015]下面结合附图对本专利技术进行详细的描述
[0016]如图1所示，为本专利技术的一种具有NP堆叠漂移区的IGBT结构，其等效电路如图2所示。图3将图2中的等效电路映射到了结构中。图4和图5分别为常规IGBT结构和等效电路图。可以看出，本专利技术器件的NP叠型漂移区使器件内部形成了一个肖克来(Shockley)二极管结构。此肖克来二极管由一个PNP晶体管(发射极：P+集电极2，基极：N型场截止层3，集电极：P型漂移区5和一个NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层6，基极：P型漂移区5，集电极：N型漂移区4构成。
[0017]本专利技术器件工作原理如下：
[0018]耐压时：器件栅极关断，发射极接地和集电极接正电位。此时肖克来二极管中的NPN晶体管的发射极(N型载流子存储层6)是浮空的状态，因此这个肖克来二极管不会导通，此肖克来二极管耐压。电场主要由N型漂移区4和P型漂移区5这个结来承担。由于这个结远离器件表面，因此耐压时高电场位于体内，表面的栅极结构以及N型载流子存储层处的电场均较低，器件因此可以取得高的耐压。
[0019]正向导通时：器件栅极开启，发射极接地和集电极接正电位。此时栅极沟道开启，肖克来二极管中的NPN晶体管的发射极(N型载流子存储层6)与N+发射极9相连，其不再浮空。因此随着阳极电压的增加，P+阳极2注入P型漂移区5的空穴逐渐使NPN晶体管(发射极：N型载流子存储层6，基极：P型漂移区5，集电极：N型漂移区4)开启，开启后的NPN晶体管注入到电子到N型漂移区4中，使PNP晶体管(发射极：P+集电极2，基极：N型场截止层3，集电极：P型漂移区5开启。最终肖克来二极管进入PNPN晶闸管导通模式。N型漂移区4以及P型漂移区5都存在电导调制效应，器件导通压降低。
[0020]关断时：器件栅极关断，发射极接地和集电极接正电位。此时栅极沟道从开启到关断，肖克来二极管中的NPN晶体管的发射极(N型载流子存储层6)断开与N+发射极9的连接，其重新进入浮空状态，肖克来二极管逐渐从PNPN晶闸管导通模式退出。由于耐压的N型漂移区4和P型漂移区5这个结位于漂移区内部，器件要耐压的话，电场需在此处建立。由于漂移区内有大量空穴载流子，需要将此PN结附近的浓度降低才能使电场在此PN结建立，因此的话，位于P型漂移区内的空穴在PN结处电场建立前已通过发射极排出，而位于N型漂移区的空穴也降低了。从而在电场建立的时候，P型漂移区内以及N型漂移区内的载流子已急剧降低，并且耗尽区是往两个方向进行耗尽，因此的话，器件内电场建立速度更快，电压上升时间降低，从而器件关断损耗将降低。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有NP堆叠漂移区的IGBT，其半元胞包括集电极结构、耐压层结构、发射极结构和栅极结构，其中耐压层结构位于集电极结构之上，发射极结构和栅极结构位于耐压层结构之上：所述集电极结构包括集电极金属(1)、P+集电极区(2)和N型场截止层(3)；所述集电极金属(1)的下表面引出端为器件的集电极(C)；所述P+集电极区(2)位于集电极金属(1)的上表面；所述N型场截止层(3)位于P+集电极区(2)的上表面；所述发射极结构包括N型载流子存储层(6)、P型阱区(7)、N型发射极区(9)、P型体接触区(8)以及发射极金属(10)；所述N型载流子存储层(6)位于耐压层结构上表面；所述P型阱区(7)位于N型载流子存储层(6)上表面；所述N型发射极区(9)和P型体接触区(8)位于P型阱区(7)上表面；所述发射极金属(10)的下表面同时与N...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈万军，夏云，程峥，孙瑞泽，刘超，郑崇芝，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：