半导体结构的形成方法技术

本文公开了半导体结构的形成方法，包括提供结构，结构包括长度方向沿第一方向且宽度方向沿垂直于第一方向的第二方向的鳍片；邻近鳍片侧壁的隔离结构；在鳍片上方的第一和第二源极/漏极部件；形成蚀刻遮罩，露出第一源极/漏极部件下方鳍片的第一部分，且覆盖第二源极/漏极部件下方鳍片的第二部分；去除鳍片的第一部分，形成第一沟槽；在第一沟槽中形成第一介电部件；去除鳍片的第二部分以形成第二沟槽，其中隔离结构形成第二沟槽的多个第二侧壁；横向蚀刻第二沟槽的第二侧壁以延伸第二沟槽；在横向蚀刻之后在第二沟槽中形成导孔结构。横向蚀刻之后在第二沟槽中形成导孔结构。横向蚀刻之后在第二沟槽中形成导孔结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体装置的形成方法，特别涉及具有背侧电源轨 和背侧导孔的半导体装置的形成方法。

技术介绍

[0002]传统上，集成电路(integrated circuits,IC)以堆叠方式构建，晶体管在 最低层且互连(interconnect)(导孔和导线)在晶体管的顶部，以提供连接 到晶体管。电源轨(例如用于电压源和接地面的金属线)也位于晶体管上 方，且可以是互连的一部分。随着集成电路的尺寸持续向下微缩，电源轨 也在微缩。这不可避免地导致电源轨的电压降增加，集成电路的功耗增加。 因此，尽管现有的半导体制造方法已经大致能满足其预期目的，但并非在 所有方面都令人满意。感兴趣的领域是如何在集成电路(IC)背侧形成具 有低电阻的电源轨和导孔。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供结构，上 述结构包括：鳍片，上述鳍片的长度方向沿着第一方向，宽度方向沿着垂 直于第一方向的第二方向；隔离结构，邻近鳍片的侧壁；及第一源极/漏极 部件和第二源极/漏极部件，在鳍片上方；形成蚀刻遮罩(掩膜)，露出第一 源极/漏极部件下方的鳍片的第一部分，且覆盖第二源极/漏极部件下方的鳍 片的第二部分；通过蚀刻遮罩，去除鳍片的第一部分，形成第一沟槽；在 第一沟槽中形成第一介电部件；去除鳍片的第二部分以形成第二沟槽，其 中第一介电部件形成第二沟槽的多个第一侧壁，且隔离结构形成第二沟槽 的多个第二侧壁；横向蚀刻第二沟槽的第二侧壁，以沿着第二方向延伸第 二沟槽；以及在所述横向蚀刻之后，在第二沟槽中形成导孔结构。
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供结构，上 述结构包括：基板；鳍片，在该基板上方；隔离结构，在基板上方且邻近 鳍片的侧壁；及第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件，在鳍片上方；向 下薄化基板直至露出该鳍片；形成蚀刻遮罩，露出第一源极/漏极部件下方 的鳍片的第一部分，且覆盖第二源极/漏极部件下方的鳍片的一第二部分； 通过蚀刻遮罩，去除鳍片的第一部分，形成一第一沟槽；在第一沟槽中形 成第一介电部件；去除鳍片的第二部分，形成第二沟槽，其中第一介电部 件形成第二沟槽的多个第一侧壁，隔离结构形成第二沟槽的多个第二侧壁， 且第二沟槽的第一侧壁和第二侧壁包括不同的材料；横向蚀刻第二沟槽的 第二侧壁，其中所述横向蚀刻被调整为选择性蚀刻第二沟槽的第二侧壁的 材料，而不蚀刻第二沟槽的第一侧壁的材料；以及在所述横向蚀刻之后， 在第二沟槽中露出的第二源极/漏极部件的表面上形成硅化物部件。
[0005]本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：电源轨；隔离结构，在电 源轨上方；第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件，在隔离结构上方，其 中从第一源极/漏极部件到第二源极/漏极部件定义为第一方向；一或多个通 道层，在隔离结构上方，且连接第一和第
二源极/漏极部件；第一导孔结构， 延伸穿过隔离结构并且电性连接第一源极/漏极部件和电源轨；以及第一介 电部件，延伸穿过隔离结构并且实体接触第二源极/漏极部件和电源轨，其 中第一导孔结构在垂直于第一方向的第一剖面具有第一宽度，第一介电部 件在平行于第一剖面的第二剖面具有第二宽度，且第一宽度大于第二宽度。
附图说明
[0006]以下将配合说明书附图详述本专利技术实施例。应注意的是，依据在业界 的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可 任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本专利技术实施例的特征。
[0007]图1A和1B根据本公开的各个面向，示出形成具有背侧电源轨和背侧 导孔的半导体装置的方法的流程图。
[0008]图2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A、13A和 14A根据一些实施例，示出半导体装置的部分上视图。
[0009]图2B、3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B、10B、11B、12B、13B和14B 根据一些实施例，示出分别沿着图2A、3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A、13A和14A中的B—B线的半导体装置的部分剖面图。
[0010]图2C、3C、4C、5C、6C、7C、8C、9C、10C、11C、11C
‑
1、12C、 12C
‑
1、12C
‑
2、13C和14C根据一些实施例，示出分别沿着图2A、3A、4A、 5A、6A、7A、8A、9A、10A、11A、12A、13A和14A中的C—C线的半 导体装置的部分剖面图。
[0011]附图标记说明：
[0012]100：方法
[0013]102,104,106,108,110,112,114,116,118,120,122,124：操作
[0014]200：装置
[0015]201：基板
[0016]203：盖层、阻挡层
[0017]204：半导体鳍片
[0018]215：通道层
[0019]229：介电鳍片
[0020]230：隔离部件、隔离结构
[0021]230'：顶面
[0022]240：栅极堆叠
[0023]247：栅极间隔物、外侧栅极间隔物
[0024]255：内部间隔物、内部间隔层
[0025]260：源极/漏极(S/D)部件
[0026]269,269'：接触蚀刻停止层
[0027]270,270'：层间介电层
[0028]272：沟槽
[0029]273：硅化物部件
[0030]275：源极/漏极接触件
[0031]276：介电层、介电填充物
[0032]277：互连层
[0033]278：导孔通孔
[0034]279：介电部件
[0035]280：硅化物部件
[0036]282：导孔
[0037]284：背侧电源轨
[0038]286：互连层
[0039]304：介电层、介电衬层
[0040]305：层
[0041]331：空隙、气隙
[0042]349：栅极介电层
[0043]350：栅极电极
[0044]352：自对准盖层、牺牲层
[0045]356：源极/漏极盖层、盖层
[0046]357：胶层
[0047]358：源极/漏极接触导孔、导孔
[0048]359：栅极导孔、导孔
[0049]360：蚀刻遮罩、遮罩
[0050]361：图案化的硬遮罩、遮罩
[0051]363：图案化的阻抗
[0052]370：载板
[0053]B—B,C—C：线
[0054]d1,d1',d1”：厚度
[0055]d2,d3,d3',d4,d4'：宽度
[0056]d5,d5',d6：距离、深度
具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供一结构，该结构包括：一鳍片，该鳍片的长度方向沿着一第一方向，宽度方向沿着垂直于该第一方向的一第二方向；一隔离结构，邻近该鳍片的侧壁；及一第一源极/漏极部件和一第二源极/漏极部件，在该鳍片上方；形成一蚀刻遮罩，露出该第一源极/漏极部件下方的该鳍片的一第一部分，且覆盖该第二源极/漏极部件下方的该鳍片的一第二部分；通...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏焕杰，游力蓁，谌俊元，庄正吉，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：