半导体结构制造技术

半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一导电部件的宽度与第二导电部件的宽度不同，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。小于第二绝缘层的宽度。小于第二绝缘层的宽度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体产业引入具有更高性能和更多功能的新一代集成电路(integrated circuits，IC)，形成集成电路的元件的密度增加，而部件或元件之间的尺度、尺寸和间距缩减。半导体产业通过不断缩减最小部件尺寸来持续提升各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多部件整合至给定区域中
[0003]然而，整合制造也使得不同装置之间的部件特性的调整更加困难。举例来说，不同装置的寄生电阻及/或寄生电容很难在具有不同金属尺寸的装置之间妥协。
[0004]因此，本领域需要提供一种能够解决上述问题的改进装置。

技术实现思路

[0005]根据一些实施例提供半导体结构。此半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一导电部件的宽度与第二导电部件的宽度不同，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。
[0006]根据一些实施例提供半导体结构。此半导体结构包含形成在基底上方的第一半导体装置和形成在基底上方的第二半导体装置。第一半导体装置包含基底上方的第一源极/漏极部件、基底上方的第一栅极结构、第一源极/漏极部件上方的第一导电部件、以及第一栅极结构和第一导电部件之间的第一绝缘层。第二半导体装置包含基底上方的第二源极/漏极部件、基底上方的第二栅极结构、第二源极/漏极部件上方的第二导电部件、以及第二栅极结构和第二导电部件之间的第二绝缘层。第一栅极结构的宽度大致等于第二栅极结构的宽度，并且第一绝缘层的宽度小于第二绝缘层的宽度。
[0007]根据一些实施例提供半导体结构的形成方法。此方法包含在基底的第一区中形成多个第一虚设栅极结构并在基底的第二区中形成多个第二虚设栅极结构。在相邻的第一虚设栅极结构之间形成第一间隙，并在相邻的第二虚设栅极结构之间形成第二间隙，第一间隙小于第二间隙。在多个第一虚设栅极结构、多个第二虚设栅极结构和基底上方形成间隔层。对第一区中的间隔层进行薄化操作。在相邻的第一虚设栅极结构之间的基底上形成第一源极/漏极部件，并在相邻的第二虚设栅极结构之间的基底上形成第二源极/漏极部件。用多个第一栅极结构取代多个第一虚设栅极结构，并且用多个第二栅极结构取代多个第二虚设栅极结构。在相邻的第一栅极结构之间的第一源极/漏极部件上形成第一导电部件，并在相邻的第二栅极结构之间的第二源极/漏极部件上形成第二导电部件。
附图说明
[0008]通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本专利技术实施例的面向。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。
[0009]图1～图13是根据一些实施例的制造半导体结构的各个阶段的剖面侧视图。
[0010]图14～图22是根据一些实施例的制造另一半导体结构的各个阶段的剖面侧视图。
[0011]图23～图26是根据一些实施例的制造另一半导体结构的各个阶段的剖面侧视图。
[0012]图27是根据一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。
[0013]图28是根据一些实施例的另一制造半导体结构的方法的流程图。
[0014]附图标记如下：
[0015]100,200,300:半导体结构
[0016]102:第一区
[0017]104:第二区
[0018]106:基底
[0019]108:虚设栅极介电层
[0020]110:虚设栅极电极层
[0021]112:硬掩模
[0022]114:第一虚设栅极结构
[0023]114a,116a:凹槽
[0024]114b:第一栅极结构
[0025]116:第二虚设栅极结构
[0026]116b:第二栅极结构
[0027]118,118a,118b:间隔层
[0028]120,220:保护层
[0029]122:第一源极/漏极部件
[0030]124:第二源极/漏极部件
[0031]126a,126b:接触蚀刻停止层
[0032]128a,128b:层间电介质
[0033]130:栅极介电层
[0034]132:栅极电极
[0035]134:硬掩模层
[0036]136a:第一导电部件
[0037]136b:第二导电部件
[0038]400,500:方法
[0039]402,404,406,408,410,412,502,504,506,508,510,512,514:操作
[0040]D1:距离
[0041]W1,W3:间隙
[0042]W2,W4:宽度
[0043]W5,W6,W7,W8,W10,W11,W12,W13,W15,W16,W17,W18:厚度
具体实施方式
[0044]以下内容提供许多不同实施例或范例，用于实施本专利技术实施例的不同部件。组件和配置的具体范例描述如下，以简化本专利技术实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用于限定本专利技术实施例。举例来说，叙述中提及第一部件形成于第二部件上或上方，可能包含形成第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一部件和第二部件之间，使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本专利技术实施例在不同范例中可重复使用参考标号及/或字母。此重复是为了简化和清楚的目的，并非代表所讨论的不同实施例及/或状态之间有特定的关系。
[0045]另外，本文可能使用空间相对用语，例如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下方的”、“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上”、“顶部的”、“上方的”及类似的用词，这些空间相对用语是为了便于描述如图所示的一个(些)元件或部件与另一个(些)元件或部件之间的关系。这些空间相对用语涵盖使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中描绘的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
[0046]图1～图13是根据一些实施例的制造半导体结构100的各个阶段的剖面侧视图。半导体结构100可以形成为电子元件的各种装置。举例来说，半导体结构100可以形成为晶体管、二极管、图像感测器、电阻器、电容器、电感器、记忆单元、前述的组合及/或其他合适的装置。在一些实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一第一半导体装置，形成在一基底上方，包括：一第一源极/漏极部件，在该基底上方；一第一栅极结构，在该基底上方；一第一导电部件，在该第一源极/漏极部件上方；以及一第一绝缘层，在该第一栅极结构和该第一导电部件之间；以及一第二半导体装置，形成在该基底上方，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大钧，潘国华，廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：