电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备技术

本发明专利技术涉及电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备。提供一种电子照相感光构件，其抑制由其支承体引起的图像缺陷并且减小长期电位波动。电子照相感光构件为包括圆筒状的支承体和形成在支承体上的感光层的电子照相感光构件，其中支承体具有由Al和/或Al合金形成的表面，并且其中由傅里叶变换红外光谱法确定的支承体的表面的IR峰面积比A满足以下条件：A≥0.50，其中IR峰面积比A表示在1,016cm

【技术实现步骤摘要】
电子照相感光构件及其制造方法、处理盒和电子照相设备


[0001]本专利技术涉及电子照相感光构件、包括电子照相感光构件的处理盒、电子照相设备，和涉及电子照相感光构件的制造方法。

技术介绍

[0002]电子照相感光构件用作电子照相图像形成设备(例如，打印机或多功能外部设备)中的图像承载构件。电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的感光层。支承体的表面的粗糙度根据支承体的材料而波动。支承体的表面的粗糙度可以影响电子照相过程中潜像的形成以引起图像缺陷。
[0003]在日本专利申请特开No.H01
‑
29852中，描述了一种包括处理圆筒状支承体的表面以抑制由支承体表面的粗糙度引起的图像缺陷的技术。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的专利技术人的研究，日本专利申请特开No.H01
‑
29852中描述的电子照相感光构件尽管可以抑制由支承体引起的图像缺陷，但涉及长期电位波动大的问题。鉴于以上情况，本专利技术人研究了处理圆筒状支承体的表面的技术，通过所述技术可以实现图像缺陷的抑制和长期电位波动的减小二者。
[0005]本专利技术的一个目的是提供一种电子照相感光构件，其抑制由其支承体引起的图像缺陷并且减小长期电位波动。
[0006]该目的通过以下描述的本专利技术来实现。
[0007]即，根据本专利技术，提供一种电子照相感光构件，其包括：圆筒状的支承体；和形成在支承体上的感光层，其中支承体具有由Al和/或Al合金形成的表面，并且其中由傅里叶变换红外光谱法确定的支承体的表面的IR峰面积比A满足以下条件：
[0008]A≥0.50
[0009]其中IR峰面积比A表示在1,016cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"a"与在650cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"z"的比a/z。
[0010]另外，根据本专利技术，提供一种处理盒，其包括：上述电子照相感光构件；和选自由充电单元、显影单元和清洁单元组成的组中的至少一种单元，该处理盒一体化支承电子照相感光构件和所述至少一种单元，并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体。
[0011]另外，根据本专利技术，提供一种电子照相设备，其包括：上述电子照相感光构件；充电单元；曝光单元；显影单元；和转印单元。
[0012]另外，根据本专利技术，提供一种电子照相感光构件的制造方法，该电子照相感光构件包括圆筒状的支承体和形成在支承体上的感光层，其中形成支承体包括用纯水对由Al和/或Al合金形成的圆筒体进行浸渍处理以获得支承体，其中纯水的温度为91℃以上且98℃以下，并且将圆筒体浸渍在纯水中60秒以上且300秒以下的时间，并且其中由傅里叶变换红外光谱法确定的支承体的表面的IR峰面积比A满足以下条件：
[0013]A≥0.50
[0014]其中IR峰面积比A表示在1,016cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"a"与在650cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"z"的比a/z。
[0015]根据本专利技术，可以提供电子照相感光构件，其抑制由其支承体引起的图像缺陷并且减小长期电位波动。
[0016]参照附图，从以下示例性实施方案的描述，本专利技术的进一步特征将变得明显。
附图说明
[0017]图1为示出电子照相设备的示意性构成的实例的图，所述电子照相设备包括包含本专利技术的电子照相感光构件的处理盒。
[0018]图2为示意性地示出本专利技术中定义的IR峰面积比A和B的图表。
具体实施方式
[0019]以下通过示例性实施方案的方式详细地描述本专利技术。
[0020][电子照相感光构件][0021]根据该实施方案的电子照相感光构件为对其支承体进行表面处理使得支承体表面的IR峰面积比A可以示出预定值范围的电子照相感光构件。已经发现，虽然现有技术的具有此类对其支承体的表面进行氧化处理的构造的电子照相感光构件遮蔽源自支承体的图像缺陷的性质优异，但该感光构件涉及感光构件的重复充电扩大其长期电位波动的问题。为了解决该问题，本专利技术的专利技术人为了通过改善支承体的表面处理方法而优化支承体表面组成的目的而进行了研究。作为研究的结果，本专利技术人发现，当通过表面处理将由傅里叶变换红外光谱法确定的支承体的表面的IR峰面积比A控制在下述条件下时，与遮蔽由支承体引起的图像缺陷的常规电子照相感光构件相比，可以抑制感光构件的长期电位波动：
[0022]A≥0.50
[0023]其中IR峰面积比A表示在1,016cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"a"与在650cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"z"的比a/z。
[0024]另外，本专利技术人揭示了，随着A值增大，对长期电位波动的抑制效果变得更高。
[0025]尽管尚未阐明可以抑制长期电位波动的真正原因的一些部分，但作为从上述结果推断的机制，可以想到的是，尽管已经由现有技术构造的电子照相感光构件中的氧化部分中的电荷累积引起电位波动，但在具有该IR峰面积比的构造中，此类几乎不发生电荷累积的组成的结构在支承体的表面上充分生长。如上所述，当选择适当地支承体的处理方法并且将支承体表面的组成设定为最佳组成时，可以实现本专利技术的效果。
[0026]更优选的情况是其中将IR峰面积比A控制在下述条件下的情况。
[0027]A≥0.75
[0028]另外，将由傅里叶变换红外光谱法确定的支承体的表面的IR峰面积比B控制在下述条件下的情况是优选的：
[0029]B≤0.20
[0030]其中IR峰面积比B表示在831cm
‑1以上且1,015cm
‑1以下范围内的峰面积"b"与在650cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"z"的比b/z。
[0031][电子照相感光构件][0032]本专利技术的电子照相感光构件的特征在于，其包括支承体和感光层。
[0033]本专利技术的电子照相感光构件的制造方法的实例为包括以下的方法：制备后述各层的涂布液；以期望的层顺序涂布液体；并且将液体干燥。在该情况下，各涂布液的涂布方法的实例包括浸渍涂布、喷雾涂布、喷墨涂布、辊涂布、模涂、刮涂、帘涂、线棒涂布、和环涂。其中，从效率性和生产性的观点，浸渍涂布是优选的。
[0034]以下描述各层。
[0035]<支承体>
[0036]在本专利技术中，电子照相感光构件包括支承体。关于支承体的形状，使用圆筒状的支承体。另外，可以对支承体的表面进行喷砂处理或切削处理等。
[0037]关于支承体的材料，使用用铝(Al)和/或Al合金的铝制支承体。尽管对待使用的铝合金没有特别限制，但其实例包括A3003系铝合金、A5052系铝合金、和A6063系铝合金。其中，优选使用A3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子照相感光构件，其特征在于，其包括：圆筒状的支承体；和形成在所述支承体上的感光层，其中所述支承体具有由Al和/或Al合金形成的表面，和其中由傅里叶变换红外光谱法确定的所述支承体的表面的IR峰面积比A满足以下条件：A≥0.50其中所述IR峰面积比A表示在1,016cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"a"与在650cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"z"的比a/z。2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述IR峰面积比A满足以下条件：A≥0.75。3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中由傅里叶变换红外光谱法确定的所述支承体的表面的IR峰面积比B满足以下条件：B≤0.20其中所述IR峰面积比B表示在831cm
‑1以上且1,015cm
‑1以下范围内的峰面积"b"与在650cm
‑1以上且1,130cm
‑1以下范围内的峰面积"z"的比b/z。4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中，在所述支承体中，当由X射线光电子能谱法确定的所述支承体的最外表面的元素比O/Al由X表示，并且满足X
±
0.1X的值的区域的深度由D表示时，D为40nm以上且1μm以下。5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：篠塚正之，山田基也，高桥孝治，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：