硅基光子集成的器件及制作方法技术

一种锗硅的光波导器件，包括一个ＳｉＧｅ的波导阵列光栅的波长复用／解复用器和一组ＳｉＧｅ的光探测器。它工作光波长范围１．１～１．６微米。制作方法为：器件基片通过一次外延得到，先生长低Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ导波层；然后生长具有高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ光探测层；器件含复用／解复用器和探测器两部分，用刻蚀方法将复用／解复用器部分上的高组分的ＳｉＧｅ层腐蚀掉，然后在复用／解复用器部分制作波导阵列光栅，在探测器部分制作波导型光探测器。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种硅基光子集成的器件，其特征在于，用硅锗制作平面光波回路的解复用器将光网络中不同波长的载波实现空间分离，然后通过集成在同一芯片上的多个硅锗光电探测器，实现光电转化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄昌俊，邓晓清，成步文，王红杰，杨沁清，余金中，胡雄伟，王启明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]