本发明专利技术的目的在于提供一种活性气体生成装置，不使活性气体的生成量降低地能够实现供电空间中的绝缘耐性的提高。本发明专利技术的活性气体生成装置(100)中的箱体(7)具有沿着中央底面区域(78)的外周设置且形成高度高于中央底面区域(78)的周边阶差区域(79)。通过设置在周边阶差区域(79)上的高压电极用介电膜(1)而设置对供电空间(8)与包含放电空间(3)的活性气体生成空间之间的气体流动进行分离的气体分离构造。设置在箱体(7)外部的真空泵(15)将供电空间(8)设定为真空状态。空间(8)设定为真空状态。空间(8)设定为真空状态。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】活性气体生成装置
[0001]本专利技术涉及一种通过平行平板方式的介电势垒放电来生成活性气体的活性气体生成装置。
技术介绍
[0002]作为将包含放电空间的活性气体生成空间与供电空间(交流电压施加空间)的气体流动分离的活性气体生成装置，例如具有专利文献1所公开的活性气体生成装置。
[0003]在该活性气体生成装置中，通过第1及第2辅助部件将活性气体生成空间与供电空间的气体流动进行分离。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2019/138456号
技术实现思路
[0007]专利技术要解决的课题
[0008]在以往的活性气体生成装置中，通过在活性气体生成空间与供电空间之间将气体流动进行分离，由此能够得到不会将由于在供电空间中产生的绝缘破坏而导致的污染带入活性气体生成空间这样的优点。此外，由于绝缘破坏而导致的污染是指，例如若在形成供电空间的金属箱体等的金属表面产生绝缘破坏，则会导致金属的蒸发
·
离子化，结果成为半导体的污染原因。以下，有时将在包含放电空间的活性气体生成空间与供电空间之间将气体流动分离的构造简称为“气体分离构造”。
[0009]如此，在以往的活性气体生成装置中，由于具有气体分离构造，由此能够防止活性气体生成空间受到由于供电空间内的绝缘破坏而导致的污染的影响。然而，在供电空间内产生绝缘破坏，则意味着为了生成活性气体而投入的放电用施加电压(放电用能量)的一部分由于供电空间内的绝缘破坏而被使用。
[0010]即，由于在供电空间内产生绝缘破坏，因此放电用施加电压(电力)被多余地消耗，与此相对应对放电空间施加的放电电压(电力)降低，因此活性气体生成用的能量效率变差。
[0011]例如，即使对活性气体生成装置投入了100W的放电用施加电力，在由于供电空间内产生绝缘破坏而多余地消耗了20W的电力的情况下，为了生成活性气体而在放电空间中使用的放电电力会减低到80W。
[0012]如此，在以往的活性气体生成装置中，随着供电空间中的绝缘破坏，活性气体产生用的能量效率变差，因此存在活性气体的生成量降低这样的问题点。
[0013]为了消除上述问题点，作为用于防止供电空间中的绝缘破坏的方法，可以考虑提高供电空间的压力、例如使供电空间的压力成为大气压的10倍这样的第1对应策略。但是，在采用了第1对应策略的情况下，由于供电空间与活性气体生成空间之间的差压(压力差)
增加，因此对承受差压的部件(例如，高压侧的电极用介电膜)施加的力变强，承受差压的部件有可能破损。
[0014]以下，在本说明书中，有时将承受差压的部件简称为“差压承受部件”，将通过差压而对差压承受部件施加的力简称为“差压施加力”。
[0015]为了防止差压承受部件即高压侧的电极用介电膜的破损，可以考虑使高压侧的电极用介电膜的膜厚变厚这样的第2对应策略。
[0016]如此，为了使供电空间的绝缘耐性提高并且使活性气体的生成量增加，需要同时采用上述第1及第2对应策略。
[0017]另一方面，高压供电体4也是差压承受部件，但高压供电体4与高压电极用介电膜1相比较为牢固的金属制。此外，为金属制的高压供电体4的尺寸能够自由地变更。因此，高压供电体4不会由于差压施加力而破损。
[0018]然而，同时采用第1及第2对应策略并不优选。在以下说明其理由。
[0019]作为差压承受部件之一的高压侧的电极用介电膜，还是向生成活性气体的活性气体生成空间传递电场的部件，因此随着电极用介电膜的膜厚增加，电极用介电膜的上表面、下表面之间的电压即差压承受电压增加。即，若使电极用介电膜的膜厚增加，则会使放电用施加电压中的差压承受电压的比例增加。
[0020]如此，在以往的活性气体生成装置中，若使成为差压承受部件的电极用介电膜的膜厚增厚，则对放电空间施加的放电电压会降低与差压承受电压增加相应的量。随着放电电压的降低，放电电力也降低。
[0021]作为其结果，在以往的活性气体生成装置中，若同时应用第1及第2对应策略，则在放电用施加电压恒定的情况下，放电电力减少与使电极用介电膜的膜厚增加相应的量，因此存在活性气体的生成量减少这样的问题点。
[0022]另一方面，若为了使活性气体的生成量增加而使放电用施加电压增加，则与此相伴随，需要使供电空间的压力进一步提高而使供电空间中的绝缘耐性提高。然而，若使供电空间的压力进一步提高，则对电极用介电膜施加的差压施加力进一步变大，因此需要与其相应地使电极用介电膜的膜厚增加。
[0023]如上所述，使电极用介电膜的膜厚增加会导致活性气体的生成量减少。如此，在以往的活性气体生成装置中，使放电用施加电压增加与使电极用介电膜的膜厚增厚，对于活性气体的生成量(放电电力)会起到相反的效果。
[0024]即，“使电极用介电膜的膜厚增厚”这样的上述第2对应策略，存在导致活性气体的生成量降低这样的负面因素，因此通过上述第1及第2对应策略的组合极其难以抑制活性气体的生成量的降低。
[0025]如此，在以往的活性气体生成装置中，存在不使活性气体的生成量降低就无法实现供电空间中的绝缘耐性的提高这样的问题点。
[0026]本专利技术的目的在于提供一种活性气体生成装置，解决上述那样的问题点，不使活性气体的生成量降低地实现供电空间中的绝缘耐性的提高。
[0027]用于解决课题的手段
[0028]本专利技术的活性气体生成装置为，通过向产生有介电势垒放电的放电空间供给原料气体而使上述原料气体活化而生成活性气体，具备：第1电极用介电膜；第2电极用介电膜，
设置在上述第1电极用介电膜的下方；第1供电体，形成在上述第1电极用介电膜的上表面上，具有导电性；以及第2供电体，形成在上述第2电极用介电膜的下表面上，上述第1供电体被施加交流电压，上述第2供电体被设定为接地电位，在上述第1及第2电极用介电膜相对置的电介质空间内包含有上述放电空间，上述第2电极用介电膜具有用于将上述活性气体向下方喷出的气体喷出孔，上述活性气体生成装置还具备箱体，该箱体具有导电性，收容上述第1及第2电极用介电膜和上述第1及第2供电体，在上述箱体的内部，在上述第1供电体的上方设置有供电空间，上述箱体具有：原料气体导入口，从外部接受上述原料气体；气体中继区域，用于将上述原料气体向上述放电空间供给；以及箱体用气体喷出孔，用于将从上述气体喷出孔喷出的上述活性气体向下方喷出，从上述原料气体导入口经由上述气体中继区域以及上述放电空间而到达上述箱体用气体喷出孔的空间，被规定为活性气体生成空间，通过上述箱体和上述第1电极用介电膜，设置将上述活性气体生成空间与上述供电空间之间的气体流动进行分离的气体分离构造，上述活性气体生成装置还具备真空泵，该真空泵设置在上述箱体的外部，将上述供电空间设定为真空状态。
[0029]专利技术的效果
[0030]本专利技术的活性气体生成装置具有对活性气体生成空间与供电空间之间的气体流动进行分离本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种活性气体生成装置，通过向产生有介电势垒放电的放电空间供给原料气体而使上述原料气体活化而生成活性气体，具备：第1电极用介电膜；第2电极用介电膜，设置在上述第1电极用介电膜的下方；第1供电体，形成在上述第1电极用介电膜的上表面上，具有导电性；以及第2供电体，形成在上述第2电极用介电膜的下表面上，上述第1供电体被施加交流电压，上述第2供电体被设定为接地电位，在上述第1及第2电极用介电膜相对置的电介质空间内包含有上述放电空间，上述第2电极用介电膜具有用于将上述活性气体向下方喷出的气体喷出孔，上述活性气体生成装置还具备箱体，该箱体具有导电性，收容上述第1及第2电极用介电膜和上述第1及第2供电体，在上述箱体的内部，在上述第1供电体的上方设置有供电空间，上述箱体具有：原料气体导入口，从外部接受上述原料气体；气体中继区域，用于将上述原料气体向上述放电空间供给；以及箱体用气体喷出孔，用于将从上述气体喷出孔喷出的上述活性气体向下方喷出，从上述原料气体导入口经由上述气体中继区域以及上述放电空间而到达上述箱体用气体喷出孔的空间，被规定为活性气体生成空间，通过上述箱体和上述第1电极用介电膜，设置将上述活性气体生成空间与上述供电空间之间的气体流动进行分离的气体分离构造，上述活性气体生成装置还具备真空泵，该真空泵设置在上述箱体的外部，将上述供电空间设定为真空状态。2.如权利要求1所述的活性气体生成装置，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：有田廉，渡边谦资，
申请(专利权)人：东芝三菱电机产业系统株式会社，
类型：发明
国别省市：
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