一种适用于单片微机系统的上电复位电路及单片微机系统技术方案

本实用新型专利技术属于单片微机技术领域，具体提供一种适用于单片微机系统的上电复位电路及单片微机系统，包括：依次级联的用于输出固定电压VA的上电复位检测电路、复位信号生成电路、用于波形整形的复位迟滞电路、复位延迟电路及输出整形电路；且所述上电复位检测电路一端接电源VDD，所述输出整形电路输出上电复位信号。该电路相比传统复位电路不需要特殊的制造工艺，只需要用MOS管就能实现电压检测及产生复位功能，节省了芯片面积。且能够同时满足不同的上电速度需求。此外，在传统电路的基础上增加了迟滞模块，实现对电源噪声的隔离保护作用，该电路结构简单、低静态功耗，能够同时满足快慢上电复位和稳定二次复位，降低了上电复位电路的功耗。位电路的功耗。位电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于单片微机系统的上电复位电路及单片微机系统


[0001]本技术涉及单片微机
，更具体地，涉及一种适用于单片微机系统的上电复位电路及单片微机系统。

技术介绍

[0002]传统的复位电路一般有两种，分别为RC复位电路和电平检测复位电路。
[0003]在传统的RC复位电路中，如图1所示，传统的上电复位电路中电源上电时对电容充电，待稳定之后，通过R放电，高电平持续时间由 RC参数决定，高电平对应的电压值由电容决定，该电路具有结构简单，静态功耗低等优点，但是该电路具有以下缺点：系统中上电时间一般为毫秒级别，而传统的RC复位电路中，如果C太小会致使复位在较低电源电压下就完成，无法使系统在正常复位，即便可以通过加大C 值增加延迟时间，但是C值过大，导致面积过大而不便或无法集成；此外，因电容的残留电荷，在快速掉电、上电过程或二次复位过程中容易导致复位失效。
[0004]在传统的电平检测复位电路中，如图1所示，当电源电压VDD大于PMOS和NMOS的栅端电压时，即VDD＞VGSP+VGSN1+VGSN2 时，根据电流镜原理，P2导通，对电容充电产生复位脉冲。该电路具有结构简单，静态功耗低的优点，但是在不同时间的上电中，无法得到准确的跳变减压(trip
‑
point)。在单片微机系统的不同应用场景中电源上电速度有所不同，会造成跳变电压的严重偏移。另外，该电路不能实现欠压检测，对系统的二次复位效果不好。

技术实现思路

[0005]本技术针对现有技术中存在的传统复位电路存在的二次复位失效的技术问题。
[0006]本技术提供了一种适用于单片微机系统的上电复位电路，包括：
[0007]用于输出固定电压VA的上电复位检测电路、复位信号生成电路、用于波形整形的复位迟滞电路、复位延迟电路及输出整形电路；
[0008]所述上电复位检测电路一端接电源VDD，输出端与所述复位信号生成电路的输入端连接，所述复位信号生成电路的输出端与所述复位迟滞电路的输入端连接，所述复位迟滞电路的输出端与所述复位延迟电路的输入端连接，所述复位延迟电路的输出端接通所述输出整形电路后输出上电复位信号。
[0009]优选地，所述上电复位检测电路包括NMOS管M1与NMOS管 M2；
[0010]所述M1的栅端接至电源VDD，所述M1的源端与所述M2的漏端相接后输出至下一级，所述M2的栅端接地。
[0011]优选地，所述M2为Native MOS管。
[0012]优选地，所述复位信号生成电路包括MOS管M3和MOS管M4；
[0013]所述M3的栅端接至电源VDD，所述M3的源端与所述M4的漏端相接后输出，所述M4的栅端接地，所述M4的栅端接上一级输入。
[0014]优选地，所述M3为Native MOS管。
[0015]优选地，所述复位迟滞电路为施密特触发器。
[0016]优选地，所述复位延迟电路包括延时电路，所述延时电路的输入端与所述复位迟滞电路的输出端连接，所述延时电路的输出端与所述输出整形电路的输入端连接。
[0017]优选地，所述延时电路包括MOS管P1、P2、M5及M6；
[0018]P1的源端与电源VDD相接，P1的漏端与P2的源端相接；P2的漏端、M5的漏端及M6的栅端相接后输出至下一级；P1的栅端、P2 的栅端相接后接上一级输出端。
[0019]优选地，所述输出整形电路包括MOS管P3、P4、M7及M8；
[0020]P3的源端与P4的源端一起接电源VDD，P3的栅端与M7的栅端相接后接上一级输出端，P3的漏端与M7的漏端相接后接P4的栅端， P4的栅端与M8的栅端连接，P4的漏端与M8的漏端相接后输出上电复位信号。
[0021]本技术还提供了一种单片微机系统，包括单片机，所述单片机包括适用于单片微机系统的上电复位电路。
[0022]有益效果：本技术提供的一种适用于单片微机系统的上电复位电路及单片微机系统，包括：用于输出固定电压VA的上电复位检测电路、复位信号生成电路、用于波形整形的复位迟滞电路、复位延迟电路及输出整形电路；所述上电复位检测电路一端接电源VDD，输出端与所述复位信号生成电路的输入端连接，所述复位信号生成电路的输出端与所述复位迟滞电路的输入端连接，所述复位迟滞电路的输出端与所述复位延迟电路的输入端连接，所述复位延迟电路的输出端接通所述输出整形电路后输出上电复位信号。该电路相比传统复位电路不需要特殊的制造工艺，只需要用MOS管就能实现电压检测及产生复位功能，节省了芯片面积。且能够同时满足不同的上电速度需求。此外，在传统电路的基础上增加了迟滞模块，实现对电源噪声的隔离保护作用，该电路结构简单、低静态功耗，能够同时满足快慢上电复位和稳定二次复位，降低了上电复位电路的功耗。
附图说明
[0023]图1为传统的复位电路原理图；
[0024]图2为本技术提供的上电复位检测电路图；
[0025]图3为本技术提供的复位信号生成电路图；
[0026]图4为本技术提供的复位迟滞电路图；
[0027]图5为本技术提供的复位延迟电路图；
[0028]图6为本技术提供的适用于单片微机系统的上电复位电路图。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。
[0030]如图1所示，传统的上电复位电路中电源上电时对电容充电，待稳定之后，通过R放电，高电平持续时间由RC参数决定，高电平对应的电压值由电容决定。该电路具有结构简单，静态功耗低等优点。但是该电路具有以下缺点：系统中上电时间一般为毫秒级别，而传统的RC复位电路中，如果C太小会致使复位在较低电源电压下就完成，无法使系统在正常复
位。即便可以通过加大C值增加延迟时间，但是 C值过大，导致面积过大而不便或无法集成；此外，因电容的残留电荷，在快速掉电、上电过程或二次复位过程中容易导致复位失效。
[0031]如图1所示，在传统电平检测复位电路中，当电源电压VDD大于 PMOS和NMOS的栅端电压时，即VDD＞VGSP+VGSN1+VGSN2 时，根据电流镜原理，P2导通，对电容充电产生复位脉冲。该电路具有结构简单，静态功耗低的优点，但是在不同时间的上电中，无法得到准确的跳变减压(trip
‑
point)。在单片微机系统的不同应用场景中电源上电速度有所不同，会造成跳变电压的严重偏移。另外，该电路不能实现欠压检测，对系统的二次复位效果不好。
[0032]图2至图6为本技术提供的一种适用于单片微机系统的上电复位电路及单片微机系统，包括：用于输出固定电压VA的上电复位检测电路、复位信号生成电路、用于波形整形的复位迟滞电路、复位延迟电路及输出整形电路；所述上电复位检测电路一端接电源VDD，输出端与所述复位信号生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于单片微机系统的上电复位电路，其特征在于，包括：用于输出固定电压VA的上电复位检测电路、复位信号生成电路、用于波形整形的复位迟滞电路、复位延迟电路及输出整形电路；所述上电复位检测电路一端接电源VDD，输出端与所述复位信号生成电路的输入端连接，所述复位信号生成电路的输出端与所述复位迟滞电路的输入端连接，所述复位迟滞电路的输出端与所述复位延迟电路的输入端连接，所述复位延迟电路的输出端接通所述输出整形电路后输出上电复位信号。2.根据权利要求1所述的适用于单片微机系统的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位检测电路包括NMOS管M1与NMOS管M2；所述M1的栅端接至电源VDD，所述M1的源端与所述M2的漏端相接后输出至下一级，所述M2的栅端接地。3.根据权利要求2所述的适用于单片微机系统的上电复位电路，其特征在于，所述M2为Native MOS管。4.根据权利要求1所述的适用于单片微机系统的上电复位电路，其特征在于，所述复位信号生成电路包括MOS管M3和MOS管M4；所述M3的栅端接至电源VDD，所述M3的源端与所述M4的漏端相接后输出，所述M4的栅端接地，所述M4的栅端接上一级输入。5.根据权利要求4所述的适用于单片微机系统的上电复位电路，其特征在于，所述M3为N...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭河锦，夏建宝，陈志明，田杰峰，陈肃，钟旭恒，
申请(专利权)人：厦门澎湃微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：