均衡网络及微波组件制造技术

本申请适用于射频电路技术领域，提供了一种均衡网络及微波组件。该均衡网络包括：第一射频输入端口、第一射频输出端口、第一电容、第二电容、第一T型节、第二T型节、第一微带线与第二微带线；其中第一电容的一端与第一射频输入端口连接，另一端与第一T型节的第一端连接；第二电容的一端与第一T型节的第二端连接，另一端与第二T型节的第一端连接；第一T型节的第三端与第一微带线的第一端连接；第二T型节的第二端与第一射频输出端口连接，第三端与第二微带线的第一端连接；第一微带线的第二端接地；第二微带线的第二端接地。本申请提供的均衡网络，能够有效抑制微波脉冲调制中由PIN开关引起的射频泄漏信号，避免损坏敏感器件。避免损坏敏感器件。避免损坏敏感器件。

【技术实现步骤摘要】
均衡网络及微波组件


[0001]本申请涉及射频电路
，具体涉及一种均衡网络及微波组件。

技术介绍

[0002]微波脉冲调制用于调制产生系统所需的特定脉宽、重复频率的微波信号，广泛应用于雷达系统、微波通信收发机系统、生物医学、粒子加速器、电磁环境效应研究等领域。通常采用PIN开关来实现微波脉冲调制。
[0003]然而，在采用PIN开关进行微波脉冲调制过程中，会在射频主线上产生直接泄漏，该射频泄漏信号称为“视频泄漏”。无论射频信号输入端有无信号注入，PIN开关在正常工作时，射频信号输出端均会产生射频泄漏信号，该射频泄漏信号会损坏其后的敏感器件，因此需要对射频泄漏信号进行抑制，即对“视频泄漏”进行抑制。

技术实现思路

[0004]为克服相关技术中存在的问题，本申请实施例提供了一种均衡网络及微波组件。
[0005]本申请是通过如下技术方案实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种均衡网络，包括：第一射频输入端口、第一射频输出端口、第一电容、第二电容、第一T型节、第二T型节、第一微带线与第二微带线；
[0007]所述第一电容的一端与所述第一射频输入端口连接，另一端与所述第一T型节的第一端连接；所述第二电容的一端与所述第一T型节的第二端连接，另一端与所述第二T型节的第一端连接；
[0008]所述第一T型节的第三端与所述第一微带线的第一端连接；所述第二T型节的第二端与所述第一射频输出端口连接，第三端与所述第二微带线的第一端连接；
[0009]所述第一微带线的第二端接地；所述第二微带线的第二端接地。
[0010]在第一方面的一种可能的实施方式中，所述均衡网络的幅度衰减量由所述第一电容、第二电容、第一微带线与第二微带线的参数调整控制。
[0011]在第一方面的一种可能的实施方式中，所述第一电容的参数为第一电容的容值，所述第二电容的参数为第二电容的容值，所述第一微带线的参数包括第一微带线的长度和宽度，所述第二微带线的参数包括第二微带线的长度和宽度。
[0012]在第一方面的一种可能的实施方式中，还包括：第三微带线、第四微带线、第五微带线与第六微带线；
[0013]所述第三微带线连接在所述第一电容与所述第一T型节之间，所述第四微带线连接在所述第一T型节与所述第二电容之间，所述第五微带线连接在所述第二电容与所述第二T型节之间，所述第六微带线连接在所述第二T型节与所述第一射频输出端口之间。
[0014]在第一方面的一种可能的实施方式中，所述第一微带线的宽度与所述第一T型节的第三端的宽度相同；
[0015]所述第二微带线的宽度与所述第二T型节的第三端的宽度相同。
[0016]在第一方面的一种可能的实施方式中，所述第三微带线的宽度、所述第四微带线的宽度、所述第一T型节的第一端的宽度与所述第一T型节的第二端的宽度相同；
[0017]所述第五微带线的宽度、所述第六微带线的宽度、所述第二T型节的第一端的宽度与所述第二T型节的第二端的宽度相同。
[0018]在第一方面的一种可能的实施方式中，还包括：与所述第一微带线的第二端连接的第一接地孔；
[0019]所述第一微带线通过所述第一接地孔接地。
[0020]在第一方面的一种可能的实施方式中，还包括：与所述第二微带线的第二端连接的第二接地孔；
[0021]所述第二微带线通过所述第二接地孔接地。
[0022]第二方面，本申请实施例提供了一种微波组件，包括：第二射频输入端口、第二射频输出端口、低噪声放大器、第一方面任一项所述的均衡网络、单片微波集成电路与场效应管；
[0023]所述低噪声放大器的输入端与所述第二射频输入端口连接，所述低噪声放大器的输出端与所述均衡网络的第一射频输入端口连接，所述均衡网络的第一射频输出端口与所述单片微波集成电路的输入端连接，所述单片微波集成电路的输出端与所述场效应管的输入端连接，所述场效应管的输出端与所述第二射频输出端口连接。
[0024]在第二方面的一种可能的实施方式中，还包括：第一隔离器、第二隔离器与第三隔离器；
[0025]所述第一隔离器的输入端与所述第二射频输入端口连接，所述第一隔离器的输出端与所述低噪声放大器的输入端连接；
[0026]所述第二隔离器的输入端与所述均衡网络的第一射频输出端口连接，所述第二隔离器的输出端与所述单片微波集成电路的输入端连接；
[0027]所述第三隔离器的输入端与所述场效应管的输出端连接，所述第三隔离器的输出端与所述第二射频输出端口连接。
[0028]可以理解的是，上述第二方面的有益效果可以参见上述第一方面中的相关描述，在此不再赘述。
[0029]本申请实施例提供的均衡网络及微波组件，均衡网络的第一电容的一端与第一射频输入端口连接，另一端与第一T型节的第一端连接，第二电容的一端与第一T型节的第二端连接，另一端与第二T型节的第一端连接，第一T型节的第三端与第一微带线的第一端连接，第二T型节的第二端与第一射频输出端口连接，第三端与第二微带线的第一端连接，第一微带线的第二端接地，第二微带线的第二端接地，能够有效抑制微波脉冲调制中由PIN开关引起的射频泄漏信号，避免损坏敏感器件。
[0030]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本说明书。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些
实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1是本申请一实施例提供的均衡网络的结构示意图；
[0033]图2是本申请一实施例提供的均衡网络的结构示意图；
[0034]图3是本申请一实施例提供的微波组件的结构示意图；
[0035]图4是未添加均衡网络的微波组件的电路增益仿真结果示意图；
[0036]图5是本申请一实施例提供的微波组件的电路增益仿真结果示意图；
[0037]图6是未添加均衡网络的微波组件的输出频谱示意图；
[0038]图7是本申请一实施例提供的微波组件的输出频谱示意图。
[0039]附图标记：
[0040]RF1：第一射频输入端口；RF2：第一射频输出端口；C1：第一电容；C2：第二电容；Tee1：第一T型节；Tee2：第二T型节；T1：第一微带线；T2：第二微带线；T3：第三微带线；T4：第四微带线；T5：第五微带线；T6：第六微带线；D1：第一接地孔；D2：第二接地孔；1：第二射频输入端口；2：第二射频输出端口；3：低噪声放大器；4：均衡网络；5：单片微波集成电路；6：场效应管。
具体实施方式
[0041]下面结合具体实施例对本申请进行更清楚的说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本申请的作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种均衡网络，其特征在于，包括：第一射频输入端口、第一射频输出端口、第一电容、第二电容、第一T型节、第二T型节、第一微带线与第二微带线；所述第一电容的一端与所述第一射频输入端口连接，另一端与所述第一T型节的第一端连接；所述第二电容的一端与所述第一T型节的第二端连接，另一端与所述第二T型节的第一端连接；所述第一T型节的第三端与所述第一微带线的第一端连接；所述第二T型节的第二端与所述第一射频输出端口连接，第三端与所述第二微带线的第一端连接；所述第一微带线的第二端接地；所述第二微带线的第二端接地。2.根据权利要求1所述的均衡网络，其特征在于，所述均衡网络的幅度衰减量由所述第一电容、第二电容、第一微带线与第二微带线的参数调整控制。3.根据权利要求2所述的均衡网络，其特征在于，所述第一电容的参数为第一电容的容值，所述第二电容的参数为第二电容的容值，所述第一微带线的参数包括第一微带线的长度和宽度，所述第二微带线的参数包括第二微带线的长度和宽度。4.根据权利要求1所述的均衡网络，其特征在于，还包括：第三微带线、第四微带线、第五微带线与第六微带线；所述第三微带线连接在所述第一电容与所述第一T型节之间，所述第四微带线连接在所述第一T型节与所述第二电容之间，所述第五微带线连接在所述第二电容与所述第二T型节之间，所述第六微带线连接在所述第二T型节与所述第一射频输出端口之间。5.根据权利要求1所述的均衡网络，其特征在于，所述第一微带线的宽度与所述第一T型节的第三端的宽度相同；所述第二微带线的宽度与所述第二T型节的第三端的宽度相同。6.根据权利要求4所述的均衡网络，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾占彪，许春良，刘志军，高洪民，张之梁，任小永，陈乾宏，王书杰，孙长友，张岫青，牛海君，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：