一种高稳定性的被银SMD基座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高稳定性的被银SMD基座。包括基座主体，所述基座主体上连接有电极，所述基座主体上位于连接电极的壁上包括有用于容置银胶的内凹部位。本实用新型专利技术基座上取消凸起部位，改为设计内凹部位，以基座其他平整面支撑晶片，内凹部位用于填充银胶，被银工序中只需将银胶填满内凹部位即可，操作方便，操作难度低，可大大提升石英晶体谐振器的稳定性，良品率高。良品率高。良品率高。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性的被银SMD基座


[0001]本技术涉及石英晶体谐振器
，尤其是一种高稳定性的被银SMD基座。

技术介绍

[0002]SMD系列的石英晶体谐振器基座，一般由陶瓷基板上烧结可伐材料金属环而成，该种结构加工石英晶体谐振器的生产流程中，包括有被银加工步骤。
[0003]如图2所示，现有常见的基座1a通常包括位于基座1a一侧的两个具有凸起部位的电极2a以及位于基座1a另一侧的凸起支撑部位3a，晶片两端分别与电极2a、支撑部位3a连接，电极2a部分导通用，晶片在支撑部位处3a固定不好会导致产品稳定性变差。
[0004]由于现有的基座其采用的为凸起布局，银胶需要与凸起布局相适应，在被银工序时对于工艺操作的要求较高，极易产生不良品，因此，申请人予以改进。

技术实现思路

[0005]本技术针对现有技术中的不足，提供了一种高稳定性的被银SMD基座。
[0006]为解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决：
[0007]一种高稳定性的被银SMD基座，包括基座主体，所述基座主体上连接有电极，所述基座主体上位于连接电极的壁上包括有用于容置银胶的内凹部位。
[0008]上述技术方案中，优选的，所述内凹部位至少部分部位靠近于所述电极边缘。
[0009]上述技术方案中，优选的，所述内凹部位至少部分部位的边沿与所述电极的壁呈相连状态。
[0010]上述技术方案中，优选的，所述基座主体上连接有至少两个电极。
[0011]上述技术方案中，优选的，所述内凹部位至少部分部位延伸至相邻的两个电极之间。
[0012]上述技术方案中，优选的，所述内凹部位至少部分部位往两个电极之间延伸，并从电极的一侧延伸至另一侧。
[0013]上述技术方案中，优选的，所述内凹部位包括有若干边角，且边角的形状为弧形。
[0014]上述技术方案中，优选的，所述内凹部位的形状为方形或大体呈方形。
[0015]上述技术方案中，优选的，所述电极为平整状或趋于平整状。
[0016]本技术的有益效果是：
[0017]本技术基座上取消凸起部位，改为设计内凹部位，以基座其他平整面支撑晶片，内凹部位用于填充银胶，被银工序中只需将银胶填满或接近填满内凹部位即可，操作方便，操作难度低，可大大提升石英晶体谐振器的稳定性，良品率高。
附图说明
[0018]图1为本技术示意图。
[0019]图2为现有技术中基座的示意图。
具体实施方式
[0020]下面通过具体实施方式及附图对本技术作进一步详细描述：
[0021]参见图1，一种高稳定性的被银SMD基座，包括基座主体1，所述基座主体1上连接有电极2，电极2的数量至少具有两个，具体的可与现有的基座上电极的数量相一致，如设置为两个电极2，电极2上表面为平整状或趋于平整状，两个电极2可均匀同侧相齐平的布置于基座主体1上。
[0022]所述基座主体1上位于连接电极2的壁上包括有用于容置银胶的内凹部位3，即内凹部位3与电极2位于基座主体1的同一侧面上。
[0023]具体的，内凹部位3的样式可设计有多种形式：
[0024]如内凹部位3至少部分部位靠近于所述电极2边缘；
[0025]如内凹部位3至少部分部位的边沿与所述电极2的壁呈相连状态，该种形式中，内凹部位3底面的边沿与电极2相应壁的边沿呈相连状态，或内凹部位3侧壁的边沿与电极2相应壁的边沿呈相连状态；
[0026]如内凹部位3至少部分部位延伸至相邻的两个电极2之间，进一步的可延伸为：
[0027]内凹部位3至少部分部位往两个电极2之间延伸，并从电极2的一侧延伸至另一侧。
[0028]如内凹部位3包括有若干边角，且边角的形状为弧形；
[0029]如内凹部位3的形状为方形或大体呈方形。
[0030]上述形式中，可择一选择亦可多种形式组合选择，如图1所示，其内凹部位3的边沿与所述电极2的壁呈相连状态，内凹部位3具有往两个电极2之间延伸的部位31，且该延伸的部位31从两个电极2的一侧延伸至另一侧，内凹部位3具有四个弧形的边角32，除延伸的部位31外，其他部位的形状呈方形状。
[0031]被银工序中，只需往内凹部位3处加入银胶，银胶已填满或接近填满内凹部位3即可，结合表面平整状的电极2，可确保晶片被稳定的装配于基座主体1上，提升产品的稳定性。
[0032]以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性的被银SMD基座，包括基座主体，所述基座主体上连接有电极，其特征在于：所述基座主体上位于连接电极的壁上包括有用于容置银胶的内凹部位。2.根据权利要求1所述的一种高稳定性的被银SMD基座，其特征在于：所述内凹部位至少部分部位靠近于所述电极边缘。3.根据权利要求1所述的一种高稳定性的被银SMD基座，其特征在于：所述内凹部位至少部分部位的边沿与所述电极的壁呈相连状态。4.根据权利要求1
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3中任一条所述的一种高稳定性的被银SMD基座，其特征在于：所述基座主体上连接有至少两个电极。5.根据权利要求4所述的一种高...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈康，徐兴华，伊利平，鲍旭伟，
申请(专利权)人：金华市创捷电子有限公司，
类型：新型
国别省市：