阵列基板及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板包括位于基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极金属层；其中，氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区两侧的导体区，栅极绝缘层分别与沟道区两侧的导体区存在交叠，且栅极对应氧化物半导体层的部分在基板上的正投影落入沟道区在基板上的正投影的范围。本发明专利技术基于载流子受到高温成膜的影响会扩散至栅极绝缘层的下方，将层间绝缘层的制作分为两次，在完成第一次层间绝缘层制作后，采用蚀刻工艺形成尺寸较小的栅极，在进行第二次层间绝缘层制作时，随着载流子的扩散，氧化物半导体层的导体区变长、沟道区变窄，从而有利于提高阵列基板的开口率和分辨率。分辨率。分辨率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

技术介绍

[0002]目前在顶栅自对准工艺制作的氧化物半导体阵列基板中，氧化物半导体的导体化区域的载流子受后续热制程影响容易向未导体化区域扩散，并扩散至栅极绝缘层的下方，造成寄生电容和短沟道效应。具体如图1所示，为现有的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板100包括从下至上依次层叠设置的玻璃基板101、遮光层102、缓冲层103、氧化物半导体层104、栅极绝缘层105、栅极金属层106、层间绝缘层107、源漏极金属层108以及钝化层109。其中，栅极绝缘层105与栅极金属层106是同时形成的。以顶栅自对准工艺对氧化物半导体层104进行导体化制程，其中未被栅极绝缘层105覆盖的部分被导体化，但是氧化物半导体层104的导体化区域1041的载流子浓度较高，后续热制程容易发生扩散，在栅极绝缘层105的下方形成载流子扩散区域L1，导致载流子扩散区域L1与上方的栅极金属层106会形成寄生电容，并且使得栅极绝缘层105下方形成有效的沟道区1042长度变短，造成器件不稳定。此外，栅极金属层106的尺寸较大，需要设计空间较大，导致阵列基板的开口率和分辨率较低。
[0003]因此，有必要提供一种技术方案以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，能够解决现有的阵列基板的TFT器件不稳定，以及阵列基板的开口率和分辨率较低的技术问题。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0006]本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：
[0007]基板；
[0008]氧化物半导体层，设置于所述基板上，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；
[0009]栅极绝缘层，设置于所述氧化物半导体层远离所述基板的一侧；
[0010]栅极，设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；
[0011]层间绝缘层，设置于所述栅极远离所述基板的一侧；
[0012]源漏极金属层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧，并通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述导体区电连接；
[0013]其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围。
[0014]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正投影重合。
[0015]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一层间绝缘层暴露出所述栅极和所述栅极绝缘层。
[0016]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述第一层间绝缘层覆盖所述导体区未被所述栅极绝缘层覆盖的部分，且所述源漏极金属层通过贯穿所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层的所述过孔与所述导体区电连接。
[0017]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述基板与所述氧化物半导体层之间还设置有金属遮光层和缓冲层，所述金属遮光层位于所述缓冲层远离所述氧化物半导体层的一侧；
[0018]所述源漏极金属层包括源极和漏极，其中，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层以及所述缓冲层的接触孔与所述金属遮光层电连接。
[0019]本专利技术实施例还提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
[0020]S1，提供一基板，在所述基板上制作氧化物半导体层；
[0021]S2，在所述氧化物半导体层上制作栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层，并形成所述氧化物半导体层的沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；
[0022]S3，形成贯穿所述层间绝缘层且暴露所述导体区的过孔；
[0023]S4，在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述导体区电连接；
[0024]其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围。
[0025]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述S2包括以下步骤：
[0026]S21，在所述氧化物半导体层上制作层叠的栅极绝缘层和栅极过渡层，并在所述氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分形成第一导体区；
[0027]S22，进行第一次层间绝缘层的制作，所述层间绝缘层覆盖所述第一导体区，同时所述第一导体区的载流子向所述氧化物半导体层对应所述栅极绝缘层的部分扩散，以形成与所述第一导体区邻接的第二导体区；
[0028]S23，对所述栅极过渡层进行蚀刻，形成栅极；
[0029]S24，进行第二次层间绝缘层的制作，形成覆盖所述栅极、所述栅极绝缘层以及所述氧化物半导体层的层间绝缘层，同时所述第一导体区以及所述第二导体区的载流子向靠近所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分扩散，以在所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分与所述第二导体区之间形成第三导体区；
[0030]其中，所述第一导体区、所述第二导体区以及所述第三导体区构成导体区。
[0031]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述S21包括以下步骤：
[0032]S211，在所述氧化物半导体层上依次制作栅极绝缘膜、栅极金属膜以及光刻胶，所述光刻胶包括保留区，经黄光制程去除所述光刻胶除所述保留区之外的部分；
[0033]S212，对所述栅极绝缘膜和所述栅极金属膜进行蚀刻，去除所述栅极绝缘膜和所述栅极金属膜对应所述保留区之外的部分，以形成所述栅极绝缘层和所述栅极过渡层；
[0034]S213，对所述氧化物半导体层未被所述栅极绝缘层覆盖的部分进行导体化，以形
成所述第一导体区。
[0035]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述S22包括以下步骤：
[0036]在所述氧化物半导体层和所述光刻胶的保留区上进行第一次层间绝缘层的制作，形成覆盖所述第一导体区的第一层间绝缘层，同时所述第一导体区的载流子向所述氧化物半导体层对应所述栅极绝缘层的部分扩散，以形成与所述第一导体区邻接并与所述栅极绝缘层交叠的第二导体区；
[0037]在所述S23之后，以及在所述S24之前，所述制作方法还包括以下步骤：
[0038]将所述光刻胶的保留区以及所述层间绝缘层覆盖所述保留区的部分去除。
[0039]可选的，在本专利技术的一些实施例中，所述氧化物半导体层对应所述栅极的部分构成沟道区，所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正投影重合。
[0040]本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板和对置基板，且所述阵列基板与所述对置基板相对设置。
[0041]本专利技术的有益效果为：本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；氧化物半导体层，设置于所述基板上，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；栅极绝缘层，设置于所述氧化物半导体层远离所述基板的一侧；栅极，设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧；层间绝缘层，设置于所述栅极远离所述基板的一侧；源漏极金属层，设置于所述层间绝缘层远离所述基板的一侧，并通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述导体区电连接；其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影与所述沟道区在所述基板上的正投影重合。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层，所述第一层间绝缘层位于所述第二层间绝缘层靠近所述基板的一侧，且所述第一层间绝缘层暴露出所述栅极和所述栅极绝缘层。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层覆盖所述导体区未被所述栅极绝缘层覆盖的部分，且所述源漏极金属层通过贯穿所述第一层间绝缘层以及所述第二层间绝缘层的所述过孔与所述导体区电连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板与所述氧化物半导体层之间还设置有金属遮光层和缓冲层，所述金属遮光层位于所述缓冲层远离所述氧化物半导体层的一侧；所述源漏极金属层包括源极和漏极，其中，所述漏极通过贯穿所述层间绝缘层以及所述缓冲层的接触孔与所述金属遮光层电连接。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供一基板，在所述基板上制作氧化物半导体层；S2，在所述氧化物半导体层上制作栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层，并形成所述氧化物半导体层的沟道区和位于所述沟道区两侧的导体区；S3，形成贯穿所述层间绝缘层且暴露所述导体区的过孔；S4，在所述层间绝缘层上制作源漏极金属层，所述源漏极金属层通过所述过孔与所述导体区电连接；其中，所述栅极绝缘层的边缘分别与所述沟道区两侧的所述导体区存在交叠，且所述栅极对应所述氧化物半导体层的部分在所述基板上的正投影落入所述沟道区在所述基板上的正投影的范围。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述S2包括以下步骤：S21，...

【专利技术属性】
技术研发人员：马倩，陆炜，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：