一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统技术方案

本发明专利技术公开了一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，涉及偏钨酸铵的制备技术领域，包括：热解装置，用于将仲钨酸铵进行加热煅烧，制得分解料；浸出装置，其内放置有二价酸液，所述浸出装置用于将分解料浸渍液的pH调整为2

【技术实现步骤摘要】
一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统


[0001]本专利技术涉及偏钨酸铵的制备
，具体是一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统。

技术介绍

[0002]偏钨酸铵(AMT)是冶炼过程中重要的化合物产品，其用途很广，是制备电容器、核屏蔽、阻燃剂、碱蚀剂的原材料，也是超细钨粉、高比重合金钨粉、磷钨粉、砷钨粉、硅钨粉的优良原料。
[0003]公开号为CN106395906A的中国专利公开了以氧化钨废料为原料制备偏钨酸铵的方法与系统，采用了硝酸两次浸出的工艺，再浓缩干燥得到偏钨酸钠。该专利中采用硝酸两次浸渍工艺，后期硝酸盐难以去除，导致偏钨酸铵的纯度不高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统。
[0005]本专利技术的技术解决方案如下：
[0006]一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，包括：
[0007]热解装置，用于将仲钨酸铵进行加热煅烧，制得分解料；
[0008]浸出装置，其内放置有二价酸液，所述浸出装置用于将分解料浸渍液的pH调整为2
‑
4，制得偏钨酸铵溶液；
[0009]过滤装置，其内放置有纳滤膜，用于对偏钨酸铵溶液中二价盐进行拦截过滤，取滤液；
[0010]浓缩装置，用于对所述滤液进行浓缩，得浓缩液；
[0011]喷雾干燥装置，用于对浓缩液进行喷雾干燥，制得偏钨酸铵粉体。
[0012]作为本专利技术的优选方案，所述二价酸液为硫酸。
[0013]作为本专利技术的方案，所述纳滤膜的制备方法如下：将聚砜基膜依序在第一溶液、第二溶液中浸渍一段时间，浸渍结束后进行热处理，制得；
[0014]其中所述第一溶液具体为：将PIP单体溶于水中；
[0015]第二溶液具体为：将TMC单体溶于正己烷中，继续添加无机纳米粒子，混合均匀。
[0016]作为本专利技术的优选方案，所述热处理具体为在70
‑
90℃下处理7
‑
15min。
[0017]作为本专利技术的优选方案，所述第一溶液中还添加有亲水性聚合物。
[0018]作为本专利技术的优选方案，所述无机纳米颗粒为氧化铝、二氧化硅、二氧化钛的至少一种。
[0019]作为本专利技术的优选方案，所述浸渍时进行超声处理。
[0020]作为本专利技术的优选方案，所述无机纳米粒子占第二溶液的0.005
‑
0.1(w/v)％。
[0021]本专利技术的有益效果是：
[0022](1)本专利技术的一种高溶解度钨酸铵的制备系统，通过在采用二价酸液将仲钨酸铵转换成偏钨酸铵的形式存在，再结合纳滤膜对二价离子拦截率高的特点将其去除，从而制度高纯度高溶解度的偏钨酸铵。
[0023](2)本专利技术的一种高溶解度钨酸铵的制备系统，通过在第二溶液有机相中加入无机纳米颗粒，相比加入第一溶液的水相中其稳定性更好，因此，纳滤膜对二价盐的拦截率更高。
[0024](3)本专利技术一种高溶解度钨酸铵的制备系统，通过在第一溶液中加入亲水性聚合物，通过界面聚合使其嵌入在纳滤膜活性层中，改善了纳滤膜的亲水性，提高通水量。
附图说明
[0025]图1为本专利技术优选实施例的结构示意图；
[0026]图中，100
‑
热解装置，200
‑
浸出装置，300
‑
过滤装置，400
‑
浓缩装置，500
‑
喷雾干燥装置。
具体实施方式
[0027]以下以具体实施例对本专利技术的技术方案做进一步说明。
[0028]需要说明的是：TMC为均苯三甲酰氯，PIP为哌嗪。
[0029]实施例1
[0030]一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，包括：
[0031]热解装置100，具体为回转炉，用于将仲钨酸铵进行加热煅烧，煅烧温度为230℃，制得分解料；
[0032]浸出装置200，具体可以是反应釜，其内放置有二价酸液，具体为12wt％的硫酸溶液，所述浸出装置用于将分解料加入二价酸液中，控制pH为3，制得偏钨酸铵溶液；
[0033]过滤装置300，具体可以是过滤罐，其内放置有纳滤膜，纳滤膜通液压力为0.06Mpa，用于对偏钨酸铵溶液中二价盐进行拦截过滤，取滤液；
[0034]浓缩装置400，具体可以是浓缩釜，用于对所述滤液进行浓缩，比重达到1.7时，制得浓缩液；
[0035]喷雾干燥装置500，用于对浓缩液进行喷雾干燥，制得偏钨酸铵粉体。
[0036]所述纳滤膜的制备方法如下：将聚砜基膜依序在第一溶液、第二溶液中浸渍一段时间，浸渍结束后进行热处理，制得；所述浸渍时进行超声处理。
[0037]其中所述第一溶液具体为：将PIP单体溶于水中，制得浓度1(w/v)％的PIP溶液；
[0038]第二溶液具体为：将TMC单体溶于正己烷中，制得浓度为0.15(w/v)％的TMC溶液，继续添加无机纳米粒子，混合均匀。所述无机纳米粒子占第二溶液的0.009(w/v)％。
[0039]所述热处理具体为在85℃下处理12min。
[0040]所述第一溶液中还添加有占第一溶液质量0.06wt％的亲水性聚合物，具体是聚乙烯苯磺酸钠。
[0041]所述无机纳米颗粒为二氧化钛。
[0042]实施例2
[0043]一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，包括：
[0044]热解装置100，具体为回转炉，用于将仲钨酸铵进行加热煅烧，煅烧温度为230℃，制得分解料；
[0045]浸出装置200，具体可以是反应釜，其内放置有二价酸液，具体为12wt％的硫酸溶液，所述浸出装置用于将分解料加入二价酸液中，控制pH为2
‑
4，制得偏钨酸铵溶液；
[0046]过滤装置300，具体可以是过滤罐，其内放置有纳滤膜，纳滤膜通液压力为0.06Mpa，用于对偏钨酸铵溶液中二价盐进行拦截过滤，取滤液；
[0047]浓缩装置400，具体可以是浓缩釜，用于对所述滤液进行浓缩，比重达到1.6
‑
1.8时，制得浓缩液；
[0048]喷雾干燥装置500，用于对浓缩液进行喷雾干燥，制得偏钨酸铵粉体。
[0049]所述纳滤膜的制备方法如下：将聚砜基膜依序在第一溶液、第二溶液中浸渍一段时间，浸渍结束后进行热处理，制得；所述浸渍时进行超声处理。
[0050]其中所述第一溶液具体为：将PIP单体溶于水中，制得浓度1(w/v)％的PIP溶液；
[0051]第二溶液具体为：将TMC单体溶于正己烷中，制得浓度为0.15(w/v)％的TMC溶液，继续添加无机纳米粒子，混合均匀。所述无机纳米粒子占第二溶液的0.02(w/v)％。
[0052]所述热处理具体为在80℃下处理11min。
[0053]所述第一溶液中还添加有占第一溶液质量0.09wt％的亲水性聚合物，具体是聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，其特征在于，包括：热解装置(100)，用于将仲钨酸铵进行加热煅烧，制得分解料；浸出装置(200)，其内放置有二价酸液，所述浸出装置用于将分解料浸渍液的pH调整为2
‑
4，制得偏钨酸铵溶液；过滤装置(300)，其内放置有纳滤膜，用于对偏钨酸铵溶液中二价盐进行拦截过滤，取滤液；浓缩装置(400)，用于对所述滤液进行浓缩，得浓缩液；喷雾干燥装置(500)，用于对浓缩液进行喷雾干燥，制得偏钨酸铵粉体。2.根据权利要求1所述的一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，其特征在于，所述二价酸液为硫酸。3.根据权利要求1所述的一种高溶解度偏钨酸铵的制备系统，其特征在于，所述纳滤膜的制备方法如下：将聚砜基膜依序在第一溶液、第二溶液中浸渍一段时间，浸渍结束后进行热处理，制得；其中所述第一溶液具体为：将PIP单...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海龙，谭平，罗香东，张廷安，王桂英，
申请(专利权)人：赣州海盛钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：