用于新能源汽车的IGBT温度采样电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于新能源汽车的IGBT温度采样电路，包括光电耦合芯片，光电耦合芯片的第1端连接第一光耦芯片供电电源；光电耦合芯片的第8端连接第二光耦芯片供电电源；光电耦合芯片的第7端连接第一IGBT温度采样输出信号端；光电耦合芯片的第6端连接第二IGBT温度采样输出信号端；光电耦合芯片的第2端接入第一IGBT温度采样输入信号端；光电耦合芯片的第3端接入第二IGBT温度采样输入信号。本实用新型专利技术在IGBT温度采样输入信号与IGBT温度采样输出信号之间设置有光电耦合芯片，光电耦合芯片能够保护所采集的温度信号免受干扰，从而能够提高所采集的IGBT模块的运行温度的精确度，以便预判新能源汽车的故障。以便预判新能源汽车的故障。以便预判新能源汽车的故障。

【技术实现步骤摘要】
用于新能源汽车的IGBT温度采样电路


[0001]本技术涉及一种新能源汽车的附件，具体涉及一种用于新能源汽车的IGBT温度采样电路。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR是指大功率晶体管，其饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET，即Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，是指金属
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氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，其驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]IGBT模块是由IGBT芯片与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块可以直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。
[0004]IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，当前市场上销售的多为此类模块化产品。一般所说的IGBT是指IGBT模块。随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
[0005]IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车及新能源装备等领域应用极广，在新能源汽车上也多有应用。而IGBT模块的运行状态是否正常，会直接影响到新能源汽车的正常运行。但是，由于IGBT模块无自检功能，因此无法监测IGBT模块的运行状态，导致无法提前预知新能源汽车的故障，以便及时作出处理。

技术实现思路

[0006]本技术所要解决的技术问题是提供一种用于新能源汽车的IGBT温度采样电路，它可以对IGBT模块的运行温度进行监测。
[0007]为解决上述技术问题，本技术用于新能源汽车的IGBT温度采样电路的技术解决方案为：
[0008]包括光电耦合芯片U1，光电耦合芯片U1的第1端连接第一光耦芯片供电电源；光电耦合芯片U1的第8端连接第二光耦芯片供电电源；光电耦合芯片U1的第1端与第4端之间设置有相互并联的第三电容C3和第四电容C4；光电耦合芯片U1的第8端与第5端之间设置有相互并联的第五电容C5和第六电容C6；光电耦合芯片U1的第5端与接地端GND连接；光电耦合芯片U1的第7端连接第一IGBT温度采样输出信号端；光电耦合芯片U1的第6端连接第二IGBT温度采样输出信号端；光电耦合芯片U1的第2端连接第一电感L1的第2端，第一电感L1的第1端接入第一IGBT温度采样输入信号；光电耦合芯片U1的第3端连接第二电感L2的第2端，第
二电感L2的第1端接入第二IGBT温度采样输入信号NTC2；光电耦合芯片U1的第3端连接第二IGBT温度采样输入信号端；光电耦合芯片U1的第2端与第3端之间设置有相互并联的第一电容C1和第二电容C2。
[0009]在另一实施例中，所述光电耦合芯片U1的第2端连接第一分压电阻R1的一端，第一分压电阻R1的另一端连接供电电源5V。
[0010]在另一实施例中，所述光电耦合芯片U1的第2端与第3端之间设置有第二分压电阻R2；第二分压电阻R2与所述第一电容C1和第二电容C2并联。
[0011]在另一实施例中，所述第一光耦芯片供电电源的电压大于所述第二光耦芯片供电电源的电压。
[0012]在另一实施例中，所述光电耦合芯片U1的第3端连接高压电源输入负极DC
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。
[0013]在另一实施例中，所述第一光耦芯片供电电源和供电电源共用同一外部电源。
[0014]在另一实施例中，所述第二光耦芯片供电电源采用内部控制芯片的电源。
[0015]在另一实施例中，所述光电耦合芯片U1的第1端作为第一供电电压输入端VDD1；光电耦合芯片U1的第8端作为第二供电电压输入端VDD2。
[0016]在另一实施例中，所述光电耦合芯片U1的第4端作为第一接地端GND1；光电耦合芯片U1的第5端作为第二接地端GND2。
[0017]在另一实施例中，所述第一光耦芯片供电电源和供电电源为5V电源；所述第二光耦芯片供电电源为3.3V电源。
[0018]本技术可以达到的技术效果是：
[0019]本技术在IGBT温度采样输入信号与IGBT温度采样输出信号之间设置有光电耦合芯片，光电耦合芯片能够保护所采集的温度信号免受干扰，从而能够提高所采集的IGBT模块的运行温度的精确度，以便预判新能源汽车的故障。
[0020]本技术在第一IGBT温度采样输入信号与第二IGBT温度采样输入信号之间设置有相互并联的第一电容和第二电容，第一电容和第二电容能够对采样信号进行滤波，从而滤除采样信号上的干扰。
[0021]本技术在第一光耦芯片供电电源与接地端之间设置有相互并联的第三电容和第四电容，第三电容和第四电容作为第一光耦芯片供电电源的滤波电容，能够滤除第一光耦芯片供电电源对光电耦合芯片的干扰。
[0022]本技术在第二光耦芯片供电电源与接地端之间设置有相互并联的第五电容和第六电容，第五电容和第六电容作为第二光耦芯片供电电源的滤波电容，能够滤除第二光耦芯片供电电源对光电耦合芯片的干扰。
附图说明
[0023]本领域的技术人员应理解，以下说明仅是示意性地说明本技术的原理，所述原理可按多种方式应用，以实现许多不同的可替代实施方式。这些说明仅用于示出本技术的教导内容的一般原理，不意味着限制在此所公开的技术构思。
[0024]结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本技术的实施方式，并且与上文的总体说明和下列附图的详细说明一起用于解释本技术的原理。
[0025]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：
[0026]图1是本技术用于新能源汽车的IGBT温度采样电路的示意图。
具体实施方式
[0027]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于新能源汽车的IGBT温度采样电路，其特征在于：包括光电耦合芯片，光电耦合芯片的第1端连接第一光耦芯片供电电源；光电耦合芯片的第8端连接第二光耦芯片供电电源；光电耦合芯片的第1端与第4端之间设置有相互并联的第三电容和第四电容；光电耦合芯片的第8端与第5端之间设置有相互并联的第五电容和第六电容；光电耦合芯片的第5端与接地端连接；光电耦合芯片的第7端连接第一IGBT温度采样输出信号端；光电耦合芯片的第6端连接第二IGBT温度采样输出信号端；光电耦合芯片的第2端通过第一电感接入第一IGBT温度采样输入信号；光电耦合芯片的第3端通过第二电感接入第二IGBT温度采样输入信号；光电耦合芯片的第2端与第3端之间设置有相互并联的第一电容和第二电容。2.根据权利要求1所述的用于新能源汽车的IGBT温度采样电路，其特征在于：所述光电耦合芯片的第2端连接第一分压电阻的一端，第一分压电阻的另一端连接供电电源。3.根据权利要求2所述的用于新能源汽车的IGBT温度采样电路，其特征在于：所述光电耦合芯片的第2端与第3端之间设置有第二分压电阻；第二分压电阻与第一电容和第二电容并联。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺叶青，王通达，王兴达，王永峰，
申请(专利权)人：上海岳峰电磁兼容技术有限公司，
类型：新型
国别省市：