迟滞可调的过温保护电路及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种迟滞可调的过温保护电路及电子设备，基准电压电路接收第一电流生成基准电压；温度调节电路接收第二电流生成温度调节电压；比较电路对比温度调节电压和基准电压，当温度调节电压达到基准电压时，生成逻辑信号，逻辑信号即为过温保护信号关闭芯片；迟滞反馈电路基于逻辑信号控制对应的可控开关管断开，使得温度调节电路串联进一个迟滞电阻，使得当温度下降回到最初过温点时电路输出的逻辑信号不会恢复，只有当温度继续多下降一个迟滞电压时电路输出逻辑信号才会恢复；本发明专利技术通过解决集成电路在使用过程中可能出现温度过高导致芯片烧毁的问题，且通过可调节的迟滞温度的设置，能够更好的保护芯片，防止烧毁。防止烧毁。防止烧毁。

【技术实现步骤摘要】
迟滞可调的过温保护电路及电子设备


[0001]本专利技术属于电子电路
，具体涉及一种迟滞可调的过温保护电路及电子设备。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的不断发展，现有的电子器件都需要通过芯片内部的集成模块或电路实现降压或者是增强电源稳定性的问题，也就造成芯片的功耗越来越大。
[0003]相关技术中，集成电路(芯片)在使用过程中都会由于功耗产生热量，如果热量集中使得芯片温度过高会影响其正常工作，这个问题在功率器件和集成度较高的器件中更为严重，所以经常在芯片或系统中添加过温检测方案，一旦发现温度过高立刻采取针对措施。但是现有的过温保护电路的结构过于简单，存在不具备迟滞功能或者迟滞不可调节的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种迟滞可调的过温保护电路及电子设备，以解决现有技术中不具备迟滞功能或者迟滞不可调节的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术采用如下技术方案：一种迟滞可调的过温保护电路，包括：温度调节电路、基准电压电路、比较电路以及迟滞反馈电路；
[0006]所述温度基准电路用于接收第一电流，并根据所述第一电流生成基准电压；
[0007]所述温度调节电路用于接收第二电流，并根据所述第二电流生成温度调节电压；
[0008]所述比较电路的正相输入端接收所述基准电压，所述比较电路的负相输入端接收所述温度调节电压，所述比较电路用于对比所述温度调节电压和所述基准电压，当所述温度调节电压达到所述基准电压时，生成逻辑信号控制芯片关闭；
[0009]所述迟滞反馈电路基于所述逻辑信号生成迟滞信号，使得对应的可控开关管断开，此时温度调节电路串联接入迟滞电阻，所述迟滞电阻使得当温度下降到比过温点温度低迟滞温度时，所述过温保护电路进入工作状态。
[0010]进一步的，还包括：
[0011]第一电流源和第二电流源；
[0012]所述第一电流源用于输出第一电流，所述第二电流源用于输出第二电流。
[0013]进一步的，所述基准电压电路，包括：定值电阻；
[0014]所述定值电阻的一端与所述比较电路的正相输入端、第一电流源的输出端共接，所述定值电阻的另一端接地。
[0015]进一步的，所述温度调节电路，包括：温度敏感电阻和迟滞电阻；
[0016]所述温度敏感电阻的一端与所述第二电流源的输出端、比较电路的负相输入端共接，所述温度敏感电阻的另一端与所述迟滞电阻的一端、可控开关管的第一端共接，所述迟滞电阻的另一端接地；
[0017]当可控开关管断开时，所述迟滞电阻与所述温度敏感电阻串连。
[0018]进一步的，所述可控开关管采用MOS管；
[0019]所述MOS管的栅极与所述比较电路的输出端连接，所述MOS管的漏极与温度敏感电阻的另一端、迟滞电阻的一端共接，所述MOS管的源极接地。
[0020]进一步的，所述MOS管采用N型MOS管。
[0021]进一步的，所述迟滞电阻包括多个串联及并联的电阻。
[0022]进一步的，所述比较电路采用运算放大器。
[0023]进一步的，所述迟滞温度的范围为5～30℃。
[0024]本申请实施例提供一种电子设备，应用上述任一实施例提供的迟滞可调的过温保护电路。
[0025]本专利技术采用以上技术方案，能够达到的有益效果包括：
[0026]本申请通过设置温度调节电路、基准电压电路、比较电路以及迟滞反馈电路，能够实现温度过高时，使整个电路停止工作，达到保护器件的作用，本申请设置了迟滞温度，能够在温度达到过温点温度后，对电路进行迟滞保护，使得温度更低时，电路才重新开始工作，通过迟滞温度能够更好的保护芯片，防止烧毁。除此之外，本申请中设置的迟滞温度可以根据实际需要或不同的应用场景进行设置，得到电路需要的迟滞温度。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028]图1为本专利技术一种迟滞可调的过温保护电路的结构示意图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本专利技术所保护的范围。
[0030]下面结合附图介绍本申请实施例中提供的一个具体的迟滞可调的过温保护电路及电子设备。
[0031]如图1所示，本申请实施例中提供的迟滞可调的过温保护电路，包括：基准电压电路1、温度调节电路2、比较电路3以及迟滞反馈电路4；
[0032]所述基准电压电路1用于接收第一电流I1，并根据所述第一电流I1生成基准电压；
[0033]所述温度调节电路2用于接收第二电流I2，并根据所述第二电流I2生成温度调节电压；
[0034]所述比较电路3的正相输入端接收所述基准电压，所述比较电路3的负相输入端接收所述温度调节电压，所述比较电路3用于对比所述温度调节电压和所述基准电压，当所述温度调节电压达到所述基准电压时，生成逻辑信号控制芯片关闭；
[0035]所述迟滞反馈电路4基于所述逻辑信号生成迟滞信号，使得对应的可控开关管断开，此时温度调节电路2串联接入迟滞电阻，所述迟滞电阻使得当温度下降到比过温点温度低迟滞温度时，所述过温保护电路才重新输出逻辑信号开启芯片。
[0036]迟滞可调的过温保护电路的工作原理为：本申请中温度调节电路2生成温度调节电压，温度调节电压是根据温度的变化而变化的，具体为随着温度的升高电压增大，基准电压电路1生成基准电压，比较电路3对温度调节电压和基准电压进行对比，当温度调节电压达到基准电压时，也就是温度达到了过温点温度，此时比较电路3生成逻辑信号输出使得芯片停止工作，迟滞反馈电路4基于所述逻辑信号生成迟滞信号，使得对应的可控开关管断开，此时温度调节电路串联接入迟滞电阻，所述迟滞电阻使得当温度下降到比过温点温度低迟滞温度时，所述过温保护电路才改变逻辑信号开启芯片，从而达到温度迟滞的目的。
[0037]在关闭电路后，电路的温度也会慢慢下降，当温度下降到过温点温度时，本申请中的电路不会立刻开启，而是等到温度降低到比过温点温度低迟滞温度时，才控制芯片重新开启。
[0038]具体的，例如本申请设计过温点温度为150℃，也就是温度到达150℃时触发过温保护，预设迟滞温度为10℃；那么当环境温度超过150℃时触发过温保护，电路关闭，电路关闭状态时当温度恢复到150℃时过温保护电路不会立刻开启，而是有10℃的迟滞，就是当温度恢复到140℃时器件才会重新开启。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种迟滞可调的过温保护电路，其特征在于，包括：温度调节电路、基准电压电路、比较电路以及迟滞反馈电路；所述基准电压电路用于接收第一电流，并根据所述第一电流生成基准电压；所述温度调节电路用于接收第二电流，并根据所述第二电流生成温度调节电压；所述比较电路的正相输入端接收所述基准电压，所述比较电路的负相输入端接收所述温度调节电压，所述比较电路用于对比所述温度调节电压和所述基准电压，当所述温度调节电压达到所述基准电压时，生成逻辑信号，由逻辑信号控制芯片关闭；所述迟滞反馈电路基于所述逻辑信号生成迟滞信号，使得对应的可控开关管断开，此时温度调节电路串联接入迟滞电阻，所述迟滞电阻使得当温度下降到比过温点温度低迟滞温度时，所述过温保护电路进入工作状态。2.根据权利要求1所述的迟滞可调的过温保护电路，其特征在于，还包括：第一电流源和第二电流源；所述第一电流源用于输出第一电流，所述第二电流源用于输出第二电流。3.根据权利要求2所述的迟滞可调的过温保护电路，其特征在于，所述基准电压电路，包括：定值电阻；所述定值电阻的一端与所述比较电路的正相输入端、第一电流源的输出端共接，所述定值电阻的另一端接地。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭虎，王照新，李建伟，蔡彩银，
申请(专利权)人：北京炎黄国芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：