本公开涉及一种天线覆盖件，该天线覆盖件包括包含聚合物组合物的层。该聚合物组合物包括聚合物基质，该聚合物基质含有具有约50℃或更高的玻璃化转变温度的至少一种聚合物，其中，该聚合物基质构成聚合物组合物的约30wt.％至约90wt.％。聚合物组合物表现出约4或更小的介电常数和约0.02或更小的耗散因数，如在2GHz的频率下确定的。本公开还涉及包括上述天线覆盖件的5G射频通信设备和基站。述天线覆盖件的5G射频通信设备和基站。述天线覆盖件的5G射频通信设备和基站。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含具有低介电常数和耗散因数的聚合物组合物的天线覆盖件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求申请日为2019年11月11日的美国临时专利申请第62/933,563号的权益，所述申请通过引用而全部并入本文。
技术介绍
[0003]高频无线电信号通信已经越来越普及。例如，对增加无线智能手机连接的数据传输速度的需求推动了对高频部件的需求，包括被配置为在5G频谱频率下运行的那些部件。朝向小型化的趋势导致在紧凑区域中的电子部件的数量更多，例如在用户计算设备(例如，智能手机、膝上型计算机)中的电子部件的数量更多。屏蔽层可用于屏蔽这样的电子部件。然而，天线在屏蔽层下方无法正常工作。因此，屏蔽层可包括射频透明材料的“窗口”，该“窗口”布置在各种天线之上，以允许天线通过屏蔽层接收和发送射频信号。然而，目前用于这样的“窗户”的材料并没有表现出令人满意的特性。例如，某些材料不能提供稳定的性能，并且其他材料往往难以进行加工。
[0004]因此，需要一种聚合物组合物，该聚合物组合物可具有相对低的介电常数和相对低的耗散因数，但仍保持了天线覆盖件及其窗口的优异的机械性能和可加工性(例如，低粘度)。
技术实现思路
[0005]根据本专利技术的一个实施例，公开了一种天线覆盖件，该天线覆盖件包括包含聚合物组合物的层。该聚合物组合物包括聚合物基质。该聚合物基质含有具有约50℃或更高的玻璃化转变温度的至少一种聚合物，其中，该聚合物基质构成聚合物组合物的约30wt.％至约90wt.％，并且进一步的，其中，该聚合物组合物表现出约4或更小的介电常数和约0.02或更小的耗散因数，如在2GHz的频率下确定的。
[0006]根据本专利技术的另一个实施例，公开了一种5G射频通信设备，该5G射频通信设备包括：基板；天线元件，其耦合到基板；天线覆盖件，其布置在基板之上。该天线覆盖件可以包括包含聚合物组合物的层。该5G射频通信系统可包括射频部件，该射频部件通信地耦合到天线元件并被配置为在约2.5GHz或更高的频率下运行。该聚合物组合物包括聚合物基质，其含有至少一种聚合物，该至少一种聚合物具有约50℃或更高的玻璃化转变温度，其中，该聚合物基质构成聚合物组合物的约30wt.％至约90wt.％，并且进一步的，其中，该聚合物组合物表现出约4或更小的介电常数和约0.02或更小的耗散因数，如在2GHz的频率下确定的。
[0007]根据本专利技术的另一个实施例，公开了一种基站，该基站包括天线阵列和布置在天线阵列之上的天线覆盖件。该天线覆盖件包括包含聚合物组合物的层，该聚合物组合物包括聚合物基质，该聚合物基质含有具有约50℃或更高的玻璃化转变温度的至少一种聚合物，其中，该聚合物基质构成聚合物组合物的约30wt.％至约90wt.％，并且进一步的，其中，该聚合物组合物表现出约4或更小的介电常数和约0.02或更小的耗散因数，如在2GHz的频
率下确定的。
[0008]以下更详细地讨论本专利技术的其他特征和方面。
附图说明
[0009]在包括参照附图的说明书的其余部分中更具体地阐述了包括对本领域技术人员而言的最佳模式的本专利技术的完整且可行的公开内容，在附图中：
[0010]图1描绘了根据本公开的方面的包括基站、一个或多个中继站、一个或多个用户计算设备、一个或多个或多个Wi
‑
Fi中继器(Wi
‑
Fi repeater)的5G通信系统。
[0011]图2A示出了根据本公开的方面的包括5G天线的示例用户计算设备的俯视图。
[0012]图2B示出了根据了本公开的方面的图2A的包括5G天线的示例用户计算设备的侧视图。
[0013]图3描绘了天线覆盖件的侧视图，该天线覆盖件具有用于天线的聚合物组合物的窗口和用于为形成在基板上的其他电子部件提供屏蔽的层(诸如导电层)。
[0014]图4A示出了根据本公开的方面的基站的简化示意侧视图。
[0015]图4B示出了图4A的基站的示例MIMO天线阵列的第一侧视图。
[0016]图4C示出了图4A的基站的示例MIMO天线阵列的第二侧视图。
具体实施例
[0017]本领域普通技术人员应理解的是，本文的讨论仅是对示例性实施例的描述，并不旨在限制本公开的更广泛的方面。
[0018]总体地，本专利技术涉及包含聚合物组合物的天线覆盖件。本专利技术人已经发现，本文公开的特定聚合物组合物不仅可提供改善的介电性能，还可提供改善的与其他层的粘附性，因此当布置在天线之上时，该特定聚合物组合物作为屏蔽层提供了令人满意的性能。特别地，聚合物组合物包括聚合物基质，该聚合物基质含有至少一种聚合物，该至少一种聚合物具有约50℃或更高的玻璃化转变温度，其中，该聚合物组合物表现出约4或更小的介电常数和约0.02或更小的耗散因数，如在2GHz的频率下所确定的。
[0019]通过提供具有这样的相对低介电性能的聚合物组合物，当用于特定应用时，诸如信号传输应用，尤其是与5G通信相关的那些信号传输应用中，这可有助于最小化信号损失并提高关于接收和发送信号的性能。在这方面，如通过分离柱式谐振器方法(split post resonator method)和IEC 60250在2GHz的频率下确定的介电常数可以为约4或更小，在一些实施例中为约3.8或更小，在一些实施例中为约1至约3.8，在一些实施例中为约2.5至约3.8，并且在一些实施例中为约2.6至约3.1，或在其他实施例中为约3.3至3.8，如通过分离柱式谐振器方法和IEC 60250在2GHz的频率下所确定的。此外，耗散因数(能量的损失率的量度)可以为约0.02或更小，在一些实施例中为约0.015或更小，在一些实施例中为约0.01或更小，在一些实施例中为约0.001至约0.01，在一些实施例中为约0.003至约0.01，在一些实施例中为约0.004至约0.01，在一些实施例中为约0.0055至约0.09，并且在一些实施例中为约0.007至约0.009，如通过分离柱式谐振器方法和IEC 60250在2GHz的频率下所确定的。
[0020]现在将更详细地描述本专利技术的各种实施例。
[0021]I、聚合物组合物
[0022]A、聚合物基质
[0023]多个聚合物或多个聚合物的组合中的任一者可通常用于聚合物基质中。例如，聚合物本质上可以是半结晶的或结晶的。在一个实施例中，聚合物可以是半结晶的。在另一个实施例中，聚合物可以是结晶的。此外，在一个实施例中，聚合物可以是芳香族聚合物。
[0024]合适的聚合物可包括热塑性聚合物。例如，这些聚合物可包括，例如，聚酯(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、液晶聚合物)、聚芳硫醚、聚醚酰亚胺、聚苯醚、聚芳基酮(例如，聚醚醚酮、聚醚酮酮等)、聚碳酸酯等以及它们的共混物。
[0025]无论如何，聚合物通常可被认为是“高性能”聚合物，使得它们具有相对高的玻璃化转变温度和/或高的熔融温度。这样的高性能聚合物因此可以为聚合物组合物提供相当大程度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种天线覆盖件，包括包含聚合物组合物的层，所述聚合物组合物包括聚合物基质，所述聚合物基质含有具有约50℃或更高的玻璃化转变温度的至少一种聚合物，其中，所述聚合物基质构成所述聚合物组合物的约30wt.％至约90wt.％，其中，所述聚合物组合物表现出约4或更小的介电常数和约0.02或更小的耗散因数，如在2GHz的频率下确定的。2.根据权利要求1所述的天线覆盖件，还包括限定至少一个开口的附加层，其中，所述层布置在所述附加层之上，使得所述附加层为形成在所述至少一个开口之上或被容纳在所述至少一个开口中的至少一种。3.根据权利要求2所述的天线覆盖件，其中，所述附加层是导电层。4.根据权利要求2所述的天线覆盖件，其中，所述附加层含有铝。5.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物组合物表现出约3.8或更小的介电常数和约0.01或更小的耗散因数，如在2GHz的频率下确定的。6.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物包括聚酯、聚芳硫醚、聚芳基酮或它们的混合物。7.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物包括聚酯，所述聚酯包括聚对苯二甲酸丁二醇酯。8.根据权利要求7所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物还包括聚对苯二甲酸乙二醇酯。9.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物包括聚芳硫醚，所述聚芳硫醚包括聚苯硫醚。10.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物组合物还包括至少一种抗冲改性剂，所述至少一种抗冲改性剂包括环氧官能化烯烃共聚物。11.根据权利要求10所述的天线覆盖件，其中，所述环氧官能化烯烃共聚物包括环氧官能的(甲基)丙烯酸单体组分。12.根据权利要求11所述的天线覆盖件，其中，所述环氧官能的(甲基)丙烯酸单体组分衍生自丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯或它们的组合。13.根据权利要求10所述的天线覆盖件，其中，所述环氧官能化烯烃共聚物含有乙烯单体单元。14.根据权利要求10所述的天线覆盖件，其中，所述环氧官能化烯烃共聚物还含有辛烯单体单元。15.根据权利要求10所述的天线覆盖件，其中，所述抗冲改性剂在所述聚合物组合物中以约1wt.％至约40wt.％的量存在。16.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物组合物还包括约5wt.％至约40wt.％的量的至少一种介电填料。17.根据权利要求16所述的天线覆盖件，其中，所述至少一种介电填料包括中空玻璃球、玻璃薄片或它们的混合物。18.根据权利要求16所述的天线覆盖件，其中，所述至少一种介电填料包括聚合物填料，所述聚合物填料包括超高分子量聚乙烯。19.根据权利要求16所述的天线覆盖件，其中，所述至少一种介电填料包括聚合物填料，所述聚合物填料包括高密度聚乙烯。
20.根据权利要求19所述的天线覆盖件，其中，所述高密度聚乙烯颗粒具有约1μm至约300μm的D
50
值。21.根据权利要求19所述的天线覆盖件，其中，所述高密度聚乙烯颗粒具有约1,000,000g/mol至约10,000,000g/mol的分子量。22.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物组合物还包括约3wt.％至约40wt.％的量的纤维填料。23.根据权利要求22所述的天线覆盖件，其中，所述纤维填料包括纵横比为约1.5至约30的扁平玻璃纤维。24.根据权利要求1所述的天线覆盖件，其中，所述聚合物组合物还包括环氧树脂。25.根据权利要求24所...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁翔，金荣申，谢萧勋，
申请(专利权)人：提克纳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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