【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成的方法
[0001]本揭露为关于一种半导体装置及其形成的方法，特别是关于一种鳍式场效晶体管的半导体装置及其形成的方法。
技术介绍
[0002]半导体装置用于多种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机及其他电子设备。半导体装置通常通过在半导体基板上方依序沉积材料的绝缘层或介电层、导电层、及半导体层，且使用微影技术图案化各种材料层以在其上形成电路组件及元件来制造的。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器、等)的集成密度，从而允许更多组件整合至给定面积。
技术实现思路
[0004]根据本揭露的一实施态样，提出一种半导体装置形成的方法，包括在基板上方形成多个半导体鳍片。这些半导体鳍片包含第一鳍片、第二鳍片、第三鳍片及第四鳍片。在这些半导体鳍片上方形成第一介电层，第一介电层填充第一鳍片与第二鳍片之间的第一沟槽的整体。在第一介电层上方形成第二介电层，第二介电层填充第二鳍片与第三鳍片之间的第二沟槽的整体。形成第二介电层包含形成氮氧化物层、形成氧化层以及在第二介电层上方形成第三介电层。第三介电层填充第三鳍片与第四鳍片之间的第三沟槽的整体。
[0005]根据本揭露的另一实施态样，提供一种半导体装置形成的方法包括在基板上方形成多个半导体鳍片，这些半导体鳍片包含第一鳍片、第二鳍片、及第三鳍片。第一鳍片的第一侧壁面向第二鳍片的第二侧壁，第一侧壁自第二侧壁侧向位移第一距离。第二鳍片的第三侧壁面向第三鳍片的第四侧壁，第二侧壁
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置形成的方法，其特征在于，包括：在一基板上方形成多个半导体鳍片，该些半导体鳍片包含一第一鳍片、一第二鳍片、一第三鳍片、及一第四鳍片；在该些半导体鳍片上方形成一第一介电层，该第一介电层填充该第一鳍片与该第二鳍片之间的一第一沟槽的一整体；在该第一介电层上方形成一第二介电层，该第二介电层填充该第二鳍片与该第三鳍片之间的一第二沟槽的一整体，形成该第二介电层包含：形成一氮氧化物层；及形成一氧化层；及在该第二介电层上方形成一第三介电层，该第三介电层填充该第三鳍片与该第四鳍片之间的一第三沟槽的一整体。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积该第二介电层的步骤进一步包含执行一电浆或气体处理以将该第一介电层的一上部区转化为该氮氧化物层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含形成一第一虚设鳍片的步骤，形成该第一虚设鳍片的步骤包含：蚀刻该第三介电层的一部分；在该第三介电层上方形成一头盔层；及将该第一介电层、该第二介电层、及该第三介电层凹陷，以使该头盔层突出于该第一介电层、该第二介电层、及该第三介电层之上，其中该第一虚设鳍片包含该第三介电层及该头盔层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该些半导体鳍片进一步包含一第五鳍片，该方法进一步包含形成一第四介电层的步骤，该第四介电层填充该第四鳍片与该第五鳍片之间的一第四沟槽的一整体，且其中该方法进一步包含形成一第二虚设鳍片的步骤，在该形成该第二虚设鳍片的步骤中包含在形成该头盔层之前将该第四介电层凹陷，其中该第二虚设鳍片包含该第三介电层、该第四介电层及该头盔层。5.一种半导体装置形成的方法，其特征在于，包含：在一基板上方形成多个半导体鳍片，该些半导体鳍片包含一第一鳍片、一第二鳍片、及一第三鳍片，该第一鳍片的一第一侧壁面向该第二鳍片的一第二侧壁，该第一侧壁自该第二侧壁侧向位移一第一距离，该第二鳍片的一第三侧壁面向该第三鳍片的一第四侧壁，该第二侧壁自该第四侧壁侧向位移一第二距离；在该些半导体鳍片上方形成一第一介电层；在该第一介电层上方形成一第二介电层；及在该第二介电层上方形成一第三介电层，其中在形成该第三介电层之后，该第一侧壁自该第二侧壁侧向位移一第三距离且该第三侧壁自该第四侧壁侧向位移一第四距离，其中该第三距离小于该第一距离且至少为该第一距离的约95％，且其...
【专利技术属性】
技术研发人员：何宜臻，张怡婷，谭伦光，林千，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。