磁头和磁记录装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极、以及设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。第2磁性层包括第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。第1磁性层不包括第2元素。第1磁性层的第1厚度为第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
磁头和磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2021
‑
020441号(申请日：2021年2月12日)为基础，从该申请享有优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的所有内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及磁头和磁记录装置。

技术介绍

[0003]采用磁头，将信息记录于HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)等磁记录介质。在磁头和磁记录装置中，希望提高记录密度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。
[0005]用于解决课题的手段
[0006]根据本专利技术的实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第3非磁性层。所述第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个。所述第2磁性层包括所述第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个。所述第1磁性层不包括所述第2元素。或者，所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向的所述第1磁性层的第1厚度为沿着所述第1方向的所述第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
[0007]根据上述构成的磁头，能够提供能提高记录密度的磁头和磁记录装置。
附图说明
[0008]图1(a)和图1(b)是例示出第1实施方式的磁头的示意图。
[0009]图2是例示出第1实施方式的磁记录装置的示意性的剖视图。
[0010]图3是例示出磁头的特性的曲线图。
[0011]图4(a)和图4(b)是例示出磁头的特性的曲线图。
[0012]图5是例示出磁头的特性的曲线图。
[0013]图6(a)和图6(b)是例示出第1实施方式的磁头的示意性的平面图。
[0014]图7(a)和图7(b)是例示出实施方式的磁头的特性的示意图。
[0015]图8是例示出第1实施方式的磁头的特性的示意图。
[0016]图9是例示出实施方式的磁头的示意性的剖视图。
[0017]图10是例示出实施方式的磁记录装置的示意性的立体图。
[0018]图11是例示出实施方式的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
[0019]图12是例示出实施方式的磁记录装置的示意性的立体图。
[0020]图13(a)和图13(b)是例示出实施方式的磁记录装置的一部分的示意性的立体图。
[0021]【标号说明】
[0022]20
…
层叠体、20D
…
电路、21
…
第1磁性层、21a、21b
…
第1、第2磁性区域、22
…
第2磁性层、22c、22d
…
第3、第4磁性区域、23
…
第3磁性层、30D
…
记录电路、30F
…
介质相对面、30c
…
线圈、30i
…
绝缘部、31、32
…
第1、第2磁极、33
…
屏蔽件、41～43
…
第1～第3非磁性层、60
…
记录部、70
…
再现部、71
…
磁再现元件、72a、72b
…
第1、第2再现磁屏蔽件、80
…
磁记录介质、81
…
磁记录层、82
…
介质基板、83
…
磁化、85
…
介质移动方向、θ1
…
角度、110、111、112
…
磁头、150
…
磁记录装置、154
…
悬架、155
…
臂、156
…
音圈电机、157
…
轴承部、158
…
头万向节组件、159
…
头滑块、159A
…
空气流入侧、159B
…
空气流出侧、160
…
头堆叠组件、161
…
支架、162
…
线圈、180
…
记录用介质盘、180M
…
主轴电机、181
…
记录介质、190
…
信号处理部、210
…
磁记录装置、AR、AR1
…
箭头、D1
…
第1方向、I1～I3
…
第1～第3电流、Ith
…
阈值电流、Iw
…
记录电流、Mz、Mz1、Mz2
…
磁化、OS
…
振荡强度、Rx
…
电阻、Rx1～Rx3
…
第1～第3电阻、T1、T2
…
第1、第2端子、W1、W2
…
第1、第2配线、ic
…
电流、je
…
电子流、t1～t3
…
第1～第3厚度、t41～t43
…
厚度、ts
…
和
具体实施方式
[0023]以下，参照附图，对本专利技术的各实施方式进行说明。
[0024]附图是示意性的或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分之间的大小的比率等不一定与实际的相同。即使在表示相同的部分的情况下，有时根据附图也表现出相互的尺寸、比率不同。
[0025]在本申请说明书和各图中，关于已出现的附图，对与前述的要素同样的要素赋予相同的标号并适当省略详细的说明。
[0026](第1实施方式)
[0027]图1(a)和图1(b)是例示出第1实施方式的磁头的示意图。
[0028]图1(a)是剖视图。图1(b)是从图1(a)的箭头AR1观察的平面图。
[0029]图2是例示出第1实施方式的磁记录装置的示意性的剖视图。
[0030]如图2所示，实施方式的磁记录装置210包括磁头110和电路20D。磁记录装置210也可以包括磁记录介质80。在磁记录装置210中，至少进行记录动作。在记录动作中，采用磁头110向磁记录介质80记录信息。
[0031]磁头110包括记录部60。如后述那样，磁头110也可以包括再现部。记录部60包括第1磁极31、第2磁极32和层叠体20。层叠体20设置于第1磁极31与第2磁极32之间。
[0032]例如，第1磁极31和第2磁极32形成磁回路。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁头，具有第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体；所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第2非磁性层、以及设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第3非磁性层；所述第1磁性层包括第1元素，该第1元素包括Fe、Co和Ni的至少一个；所述第2磁性层包括所述第1元素和第2元素，该第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti和Sc构成的群中选择的至少一个；所述第1磁性层不包括所述第2元素，或者，所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低；沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向的所述第1磁性层的第1厚度为沿着所述第1方向的所述第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。2.如权利要求1所述的磁头，所述第1厚度为所述第2厚度的0.33倍以上。3.如权利要求1所述的磁头，所述第3非磁性层与所述第1磁极和所述第1磁性层相接。4.如权利要求1所述的磁头，所述第2非磁性层与所述第2磁性层和所述第2磁极相接。5.如权利要求1所述的磁头，所述第1厚度和所述第2厚度之和为15nm以上。6.如权利要求1所述的磁头，所述第1磁性层包括第1磁性区域和第2磁性区域；所述第2磁性区域位于所述第1磁性区...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川裕治，成田直幸，高岸雅幸，前田知幸，永泽鹤美，岩崎仁志，首藤浩文，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：