封装器件和电子器件制造技术

本公开的各实施例涉及封装器件和电子器件。封装器件具有：承载基座；在承载基座中的容纳腔；在容纳腔中的半导体裸片，半导体裸片具有裸片焊盘；覆盖半导体裸片和承载基座的保护层；在裸片焊盘处、在保护层中的第一过孔；以及导电材料的连接端子。连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，第一连接部分在第一过孔中、并且与裸片焊盘电接触，并且第二连接部分沿着封装器件的侧面在保护层上延伸。该封装器件具有改进的可靠性和可检查性。件具有改进的可靠性和可检查性。件具有改进的可靠性和可检查性。

【技术实现步骤摘要】
封装器件和电子器件


[0001]本公开涉及封装器件和电子器件。

技术介绍

[0002]已知将包括单个裸片或多个相互耦合的裸片的半导体器件封装在绝缘材料(通常为树脂或复合材料)的壳体或封装中。根据预期的安装类型，这些封装可以有不同的配置。此外，如果器件被设计为在高电压和/或高电流下工作，则这些封装通常包括能够在一个或多个面上散热的结构。

技术实现思路

[0003]现有封装的完整性可能无法确保，从而降低了板级可靠性(BLR)。越来越多的应用(诸如汽车)具有高可靠性和质量要求，而这些是使用现有封装无法实现的。
[0004]在本公开的第一方面，提出了一种封装器件，该封装器件包括：正面、与正面相对的背面、以及在正面与背面之间延伸的侧面；承载基座；在承载基座中的容纳腔；在容纳腔中的半导体裸片，半导体裸片具有裸片焊盘；保护层，覆盖半导体裸片和承载基座；在裸片焊盘处、在保护层中的第一过孔；以及连接端子，连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，第一连接部分在第一过孔中、并且与裸片焊盘电接触，第二连接部分沿着封装器件的侧面在保护层上延伸。
[0005]在一些实施例中，封装器件还包括第二过孔和基座连接端子，第二过孔在保护层中在承载基座的定界壁处延伸，基座连接端子具有第一基座连接部分和第二基座连接部分，第一基座连接部分在第二过孔中延伸、并且与承载基座电接触，第二基座连接部分在保护层上方、并且沿着封装器件的侧面延伸，并且其中承载基座具有容纳腔的定界壁。
[0006]在一些实施例中，正面和背面沿着第一方向以一定距离布置，并且连接端子的第二连接部分在第一方向上的长度小于正面与背面之间的距离。
[0007]在一些实施例中，承载基座在第一方向上具有高度，并且连接端子的第二连接部分在第一方向上的长度等于承载基座的高度的一半。
[0008]在一些实施例中，连接端子包括第三连接部分，第三连接部分在第一连接部分与第二连接部分之间沿着正面在保护层上方延伸。
[0009]在一些实施例中，连接端子的第二连接部分包括竖直部分和侧面部分，竖直部分邻近侧面延伸，并且侧面部分沿着侧面在竖直部分上方延伸；并且连接端子的第三连接部分包括表面部分和顶部部分，表面部分在第一连接部分与竖直部分之间在保护层上方延伸，并且顶部部分在表面部分上方延伸。
[0010]在一些实施例中，第一绝缘层在表面部分之间、并且部分地在表面部分上方延伸，并且第一绝缘层具有开口，连接端子的顶部部分在开口中延伸。
[0011]在本公开的第二方面，提出了一种电子器件，该电子器件包括：封装器件，包括：正面、与正面相对的背面、以及在正面与背面之间延伸的侧面；承载基座；在承载基座中的容
纳腔；在容纳腔中的半导体裸片，半导体裸片具有裸片焊盘；保护层，覆盖半导体裸片和承载基座；在裸片焊盘处、在保护层中的第一过孔；以及连接端子，连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，第一连接部分在第一过孔中、并且与裸片焊盘电接触，第二连接部分沿着封装器件的侧面在保护层上延伸；支撑件，具有面向连接端子的第一连接部分的导电接触区域；以及粘合区域，在导电接触区域与器件的正面之间、并且与连接端子电接触，粘合区域进一步沿着封装器件的侧面延伸、并且与连接端子的第二连接部分接触。
[0012]在一些实施例中，电子器件还包括第二过孔和基座连接端子，第二过孔在保护层中在承载基座的定界壁处延伸，基座连接端子具有第一基座连接部分和第二基座连接部分，第一基座连接部分在第二过孔中延伸、并且与承载基座电接触，第二基座连接部分在保护层上方、并且沿着封装器件的侧面延伸，并且其中承载基座具有容纳腔的定界壁。
[0013]在一些实施例中，正面和背面沿着第一方向以一定距离布置，并且连接端子的第二连接部分在第一方向上的长度小于正面与背面之间的距离。
[0014]在一些实施例中，承载基座在第一方向上具有高度，并且连接端子的第二连接部分在第一方向上的长度等于承载基座的高度的一半。
[0015]在一些实施例中，连接端子包括第三连接部分，第三连接部分在第一连接部分与第二连接部分之间沿着正面在保护层上方延伸。
[0016]在一些实施例中，连接端子的第二连接部分包括竖直部分和侧面部分，竖直部分邻近侧面延伸，并且侧面部分沿着侧面在竖直部分上方延伸；并且连接端子的第三连接部分包括表面部分和顶部部分，表面部分在第一连接部分与竖直部分之间在保护层上方延伸，并且顶部部分在表面部分上方延伸。
[0017]本公开提供了一种能够克服现有技术的缺点的封装。该封装具有改进的可靠性和可检查性。
附图说明
[0018]为了更好地理解本公开，现在仅通过非限制性示例的方式参考附图描述其实施例，在附图中：
[0019]图1至图10是在连续封装步骤期间比较示例器件的横截面；
[0020]图11是图10的比较示例器件的侧视图；
[0021]图12是图10的比较示例器件的一部分的类似于图1至图10的放大尺寸的横截面图；
[0022]图13至图21是根据实施例的在本封装方法的连续步骤期间本器件的横截面；
[0023]图22是图14的中间结构的俯视图；
[0024]图23和图24示出了根据两个不同实施例的图20的中间结构的部分的俯视图；
[0025]图25是本封装器件在焊接到板上之后的侧视图；
[0026]图26是沿着图25的截面线XXVI
‑
XXVI截取的图25的器件的一部分的放大尺寸的横截面图；以及
[0027]图27示出了图26横截面的变化。
具体实施方式
[0028]根据本公开，提供了一种封装电子器件及其制造方法。
[0029]在至少一个实施例中，一种电子器件包括封装器件、支撑件和粘合区域。封装器件包括：正面、与正面相对的背面、以及在正面与背面之间延伸的侧面；承载基座；在承载基座中的容纳腔；在容纳腔中的半导体裸片，半导体裸片具有裸片焊盘；覆盖半导体裸片和承载基座的保护层；在裸片焊盘处、在保护层中的第一过孔；以及导电材料的连接端子，连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，第一连接部分在第一过孔中、并且与裸片焊盘电接触，第二连接部分沿着封装器件的侧面在保护层上延伸。支撑件具有面向连接端子的第一连接部分的导电接触区域。粘合区域在导电接触区域与器件的正面之间、并且与连接端子电接触，粘合区域进一步沿着封装器件的侧面延伸、并且与连接端子的第二连接部分接触。
[0030]在下文中，将参考提供双面冷却的用于表面安装的封装，该封装具有布置在器件的底面的输入/输出(I/O)焊盘。
[0031]例如，US 2017/0148746(US 10,083,888)描述了不同的表面安装封装结构，该结构旨在降低壳体材料的层压过程中裸片/晶粒损坏的风险。在这些已知的封装结构中，通常由金属制成的导电基座具有容纳裸片的腔体和被导电过孔穿过的保护层。
[0032]例如，前述专利中描述的类型的封装结构可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装器件，其特征在于，包括：正面、与所述正面相对的背面、以及在所述正面与所述背面之间延伸的侧面；承载基座；在所述承载基座中的容纳腔；在所述容纳腔中的半导体裸片，所述半导体裸片具有裸片焊盘；保护层，覆盖所述半导体裸片和所述承载基座；在所述裸片焊盘处、在所述保护层中的第一过孔；以及连接端子，所述连接端子具有第一连接部分和第二连接部分，所述第一连接部分在所述第一过孔中、并且与所述裸片焊盘电接触，所述第二连接部分沿着所述封装器件的所述侧面在所述保护层上延伸。2.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，还包括第二过孔和基座连接端子，所述第二过孔在所述保护层中在所述承载基座的定界壁处延伸，所述基座连接端子具有第一基座连接部分和第二基座连接部分，所述第一基座连接部分在所述第二过孔中延伸、并且与所述承载基座电接触，所述第二基座连接部分在所述保护层上方、并且沿着所述封装器件的所述侧面延伸，并且其中所述承载基座具有所述容纳腔的定界壁。3.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述正面和所述背面沿着第一方向以一定距离布置，并且所述连接端子的所述第二连接部分在所述第一方向上的长度小于所述正面与所述背面之间的所述距离。4.根据权利要求3所述的封装器件，其特征在于，所述承载基座在所述第一方向上具有高度，并且所述连接端子的所述第二连接部分在所述第一方向上的长度等于所述承载基座的所述高度的一半。5.根据权利要求1所述的封装器件，其特征在于，所述连接端子包括第三连接部分，所述第三连接部分在所述第一连接部分与所述第二连接部分之间沿着所述正面在所述保护层上方延伸。6.根据权利要求5所述的封装器件，其特征在于：所述连接端子的所述第二连接部分包括竖直部分和侧面部分，所述竖直部分邻近所述侧面延伸，并且所述侧面部分沿着所述侧面在所述竖直部分上方延伸；并且所述连接端子的所述第三连接部分包括表面部分和顶部部分，所述表面部分在所述第一连接部分与所述竖直部分之间在所述保护层上方延伸，并且所述顶部部分在所述表面部分上方延伸。7.根据权利要求6所述的封装器件，其特征在于，第一绝缘层在所述表面部分之间、并且部分地在所述表面部分上方延伸，并且所述第一绝缘层具有开口，所述连接端子的所述顶部部分在所述开口中延伸。8.一种电子器件，其特征在于，包括：封装器件，包括：正面...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：