分析缺陷的方法技术

一种分析缺陷的方法，适于利用电子装置来执行下述步骤。沿着水平方向，将检测布局等份划分为多个直条区域，并计算每一直条区域的第一缺陷点数。并且，沿着垂直方向，将检测布局等份划分为多个横条区域，并计算每一横条区域的第二缺陷点数。在满足至少下述一个规定条件的情况下，判定检测布局具有缺陷群集。所述规定条件包括：至少一个直条区域的第一缺陷点数大于第一预设值；以及至少一个横条区域的第二缺陷点数大于第二预设值。陷点数大于第二预设值。陷点数大于第二预设值。

【技术实现步骤摘要】
分析缺陷的方法


[0001]本专利技术涉及一种面板检测方法，且特别涉及一种分析缺陷的方法。

技术介绍

[0002]多数薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT
‑
LCD)厂都会通过层层的缺陷检测(Defect Inspection)来实时找出有瑕疵的面板。检测方式大都是通过检查机使用自动扫瞄并照相来进行比对，借此找出有问题的面板。因此这些缺陷检测流程便会产生大量的缺陷信息及缺陷影像档。
[0003]而在通过机台检测缺陷之后，必须通过良率技师在这些缺陷信息及缺陷影像档中人工判断是否具有缺陷群集。由于良率技师每天必须检视超过150个生产批次的检测结果，并且需要针对每一个生产批次以及每一片面板来检查和判断缺陷群集，在判定具有缺陷群集的异常时，再经由人工通报。通过人工判断会因标准不一致使的判断结果不同，再加上可能因疲劳等因素导致漏检，进而影响工厂产能、良率、成本。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种分析缺陷的方法，可改善过往效率不彰的问题。
[0005]本专利技术的分析缺陷的方法，适于利用电子装置来执行下述步骤，包括：沿着水平方向，将检测布局(Layout)等份划分为多个直条区域，并计算每一直条区域的第一缺陷点数；沿着垂直方向，将检测布局等份划分为多个横条区域，并计算每一横条区域的第二缺陷点数；以及在满足至少下述一个规定条件的情况下，判定检测布局具有缺陷群集，所述规定条件包括：至少一个直条区域的第一缺陷点数大于第一预设值；以及至少一个横条区域的第二缺陷点数大于第二预设值。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述分析缺陷的方法还包括：以第一缺陷点数以及检测布局的总缺陷点数，计算每一直条区域在检测布局中的第一缺陷占比；以及以第二缺陷点数以及检测布局的总缺陷点数，计算每一横条区域在检测布局(Layout)中的第二缺陷占比。所述规定条件还包括：至少一个直条区域的第一缺陷占比大于第一单片占比；以及至少一个横条区域的第二缺陷占比大于第二单片占比。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述检测布局是自缺陷检测机台接收的多个待测品其中一者经缺陷检测后所获得，所述待测品属于同一生产批次。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述分析缺陷的方法还包括：计算生产批次经缺陷检测后所获得的所有缺陷点的批次缺陷总合；以第一缺陷点数以及批次缺陷总合，计算每一直条区域在生产批次中的垂直区域占比；以及以第二缺陷点数以及批次缺陷总合，计算每一横条区域的水平区域占比。所述规定条件还包括：至少一个直条区域的垂直区域占比大于第一批次占比；以及至少一个横条区域的水平区域占比大于第二批次占比。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述在计算生产批次经缺陷检测后所获得的所有缺陷点的批次缺陷总合之后，还包括：在批次缺陷总合大于第一基准数量的情况下，以批次缺陷总
合以及检测布局的总缺陷点数，计算检测布局的单片缺陷占比。所述规定条件还包括：总缺陷点数大于或等于第一设定值，且单片缺陷占比大于或等于第二设定值。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述分析缺陷的方法还包括：在批次缺陷总合大于一第二基准数量的情况下，所述规定条件还包括：至少一个直条区域的垂直区域占比大于第一批次占比，其中所述直条区域的数量为3个；在批次缺陷总合大于第三基准数量的情况下，所述规定条件还包括：至少一个横条区域的水平区域占比大于第二批次占比，其中所述横条区域的数量为3个。
[0011]在本专利技术的一实施例中，在判定检测布局具有缺陷群集之后，还包括：针对满足的所述规定条件，记录对应的群集标签。
[0012]在本专利技术的一实施例中，在判定检测布局具有缺陷群集之后，还包括：针对具有缺陷群集的生产批次，产生异常通报。
[0013]基于上述，本公开针对水平方向和垂直方向上的缺陷坐标进行群化，并计算各群数量与占比，对应的门限值，借此进行水平方向线性检测和垂直方向线性检测。据此，将缺陷群集的判断自动化，以改善过往效率不彰问题。
附图说明
[0014]图1是依照本专利技术一实施例的用于分析缺陷的电子装置的方框图。
[0015]图2是依照本专利技术一实施例的分析缺陷的方法流程图。
[0016]图3A与图3B是依照本专利技术一实施例的等份划分的示意图。
[0017]图4A与图4B是依照本专利技术另一实施例的等份划分的示意图。
[0018]附图标记说明：
[0019]100：电子装置
[0020]110：处理器
[0021]120：存储单元
[0022]D：机台检测数据
[0023]S205～S215：分析缺陷方法的步骤
具体实施方式
[0024]图1是依照本专利技术一实施例的用于分析缺陷的电子装置的方框图。请参照图1，电子装置100接收机台检测数据D来分析缺陷。电子装置100包括处理器110以及存储单元120。处理器110耦合至存储单元120。机台检测数据D是由缺陷检测机台所生成的，其包括属于同一生产批次的多个待测品经缺陷检测后所获得的缺陷信息以及缺陷坐标数据。
[0025]处理器110例如为中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)、物理处理单元(Physics Processing Unit，PPU)、可程序化的微处理器(Microprocessor)、嵌入式控制芯片、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、特殊应用集成电路(Application Specific Integrated Circuits，ASIC)或其他类似装置。
[0026]存储单元120例如是任意形式的固定式或可移动式随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、只读存储器(Read
‑
Only Memory，ROM)、快闪存储器(Flash memory)、硬盘或其他类似装置或这些装置的组合。存储单元120包括一或多个程序码片段成，上述程
序码片段在被安装后，会由处理器110来执行下述分析缺陷的方法。
[0027]图2是依照本专利技术一实施例的分析缺陷的方法流程图。请参照图1及图2，在电子装置100接收机台检测数据D之后，可通过处理器110来分析机台检测数据D，以判断各面板是否出现缺陷群集的现象。机台检测数据D包括每批及每片面板对应的缺陷信息以及缺陷坐标数据。处理器110可先针对同一生产批次的多个缺陷坐标数据来逐一取出每片面板对应的检测布局(Layout)。
[0028]在步骤S205中，沿着水平方向，将检测布局等份划分为多个直条区域，并计算每一直条区域的第一缺陷点数。并且，在步骤S210中，沿着垂直方向，将检测布局等份划分为多个横条区域，并计算每一横条区域的第二缺陷点数。在此，并不限定步骤S205与步骤S210的执行顺序，例如可先执行步骤S205，或者先执行步骤S210，另亦可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分析缺陷的方法，适于利用一电子装置来执行下述步骤，包括：沿着一水平方向，将一检测布局等份划分为多个直条区域，并计算每一该些直条区域的一第一缺陷点数；沿着一垂直方向，将该检测布局等份划分为多个横条区域，并计算每一该些横条区域的一第二缺陷点数；以及在满足下述规定条件至少一个的情况下，判定该检测布局具有缺陷群集，所述规定条件包括：该些直条区域至少其中一个的该第一缺陷点数大于一第一预设值；以及该些横条区域至少其中一个的该第二缺陷点数大于一第二预设值。2.如权利要求1所述的分析缺陷的方法，还包括：以该第一缺陷点数以及该检测布局的一总缺陷点数，计算每一该些直条区域在该检测布局中的一第一缺陷占比；以及以该第二缺陷点数以及该检测布局的该总缺陷点数，计算每一该些横条区域在该检测布局中的一第二缺陷占比，其中，所述规定条件还包括：该些直条区域至少其中一个的该第一缺陷占比大于一第一单片占比；以及该些横条区域至少其中一个的该第二缺陷占比大于一第二单片占比。3.如权利要求1所述的分析缺陷的方法，其中该检测布局是自一缺陷检测机台接收的多个待测品其中一者经缺陷检测后所获得，该些待测品属于同一生产批次。4.如权利要求3所述的分析缺陷的方法，还包括：计算该生产批次经缺陷检测后所获得的所有缺陷点的一批次缺陷总合；以该第一缺陷点数以及该批次缺陷总合，计算每一该些直条区域在该生产批次中的一垂直区域占比；以及以...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪文正，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：