用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制备封装基板的承载板，包括介质层、在所述介质层内的种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的底端高于所述介质层的下表面，所述铜柱层的顶端低于所述介质层的上表面，所述介质层的上下表面上分别设置有第一金属层和第二金属层。还公开了一种封装基板结构以及封装基板结构的制作方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现有技术制作核心层实心铜柱采用机械钻盲钻后再进行填孔电镀，制备得到的机械盲孔的底部会存在残余突起(Stub)，影响到铜柱的制作，导致层与层之间的连接导通不好。
[0003]此外，机械盲孔的孔径纵横比大，填孔电镀后得到的铜柱品质较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方案涉及提供一种用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法。
[0005]本专利技术第一方面涉及一种用于制备封装基板的承载板，包括介质层、在所述介质层内的种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的底端高于所述介质层的下表面，所述铜柱层的顶端低于所述介质层的上表面，所述介质层的上下表面上分别设置有第一金属层和第二金属层。
[0006]在一些实施方案中，所述介质层包括沿纵向排布的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面和所述第二介质层的下表面贴合，所述第二介质层内设置有种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的下表面与所述第二介质层的下表面平齐，所述铜柱层的顶端低于所述第二介质层的上表面，所述第一介质层的下表面上设置有第一金属层，所述第二介质层的上表面上设置有第二金属层。
[0007]在一些实施方案中，所述第一介质层内设置有暴露所述种子层的第一导通孔，所述第一导通孔贯穿所述第一金属层，所述第二介质层内设置有暴露所述铜柱层顶端的第二导通孔，所述第二导通孔贯穿所述第二金属层。
[0008]在一些实施方案中，所述第一金属层和所述第二金属层的厚度相同或相近。
[0009]本专利技术的第二方面提供一种封装基板结构，包括沿纵向排布的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面和所述第二介质层的下表面贴合，所述第二介质层内设置有种子层、在所述种子层上的铜柱层和在所述铜柱层上的第二导通柱层，所述种子层与所述第二介质层的下表面平齐，所述第一介质层内设置有第一导通柱层，所述第一导通柱层与所述种子层连通，所述第一介质层的下表面上设置有第一线路层，所述第二介质层的上表面上设置有第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一导通柱层、所述铜柱层和所述第二导通柱层导通连接。
[0010]在一些实施方案中，所述第一介质层和所述第二介质层相同或不同。
[0011]在一些实施方案中，所述铜柱层包括至少一个铜柱。
[0012]在一些实施方案中，还包括在所述第一线路层上的第三介质层和在所述第二线路
层上的第四介质层，所述第三介质层内设置有第三导通柱层，所述第三介质层的下表面上设置有第三线路层，所述第一线路层和所述第三线路层通过所述第三导通柱层导通连接，所述第四介质层内设置有第四导通柱层，所述第四介质层的上表面上设置有第四线路层，所述第二线路层和所述第四线路层通过所述第四导通柱层导通连接。
[0013]在一些实施方案中，导通柱层包括至少一个导通柱。
[0014]在一些实施方案中，还包括在所述第三线路层外的第一阻焊层和在所述第四线路层外的第二阻焊层，所述第一阻焊层和所述第二阻焊层内分别设置有第一阻焊开窗和第二阻焊开窗。
[0015]本专利技术的第三方面提供一种封装基板结构的制造方法，包括如下步骤：
[0016](a)准备第一介质层，并在所述第一介质层的上下表面上分别形成第一金属层；
[0017](b)在所述第一介质层上表面的第一金属层上制备铜柱层，并蚀刻所述第一介质层上表面上暴露的第一金属层形成种子层；
[0018](c)在所述铜柱层上形成第二介质层，所述第二介质层的下表面和所述第一介质层的上表面贴合，所述铜柱层的顶端低于所述第二介质层的上表面；
[0019](d)在所述第二介质层的上表面上形成第二金属层；
[0020](e)在所述第一介质层内形成暴露所述种子层的第一导通孔，且所述第一导通孔贯穿所述第一金属层，在所述第二介质层内形成暴露所述铜柱层顶端的第二导通孔，且所述第二导通孔贯穿所述第二金属层，所述种子层形成所述铜柱层的底端，所述第二导通孔和所述第一导通孔分别暴露所述铜柱层的顶端和底端。
[0021]在一些实施方案中，还包括：
[0022](f)在步骤(e)之后，电镀所述第一导通孔形成第一导通柱层，电镀所述第二导通孔形成第二导通柱层，所述第一介质层下表面上的第一金属层和所述第二金属层通过所述第一导通柱层、所述铜柱层和所述第二导通柱层导通连接。
[0023]在一些实施方案中，还包括：
[0024](g)在步骤(f)之后，处理所述第一金属层形成第一线路层，处理所述第二金属层形成第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一导通柱层、所述铜柱层和所述第二导通柱层导通连接。
[0025]在一些实施方案中，还包括：
[0026](h)在步骤(g)之后，在所述第一线路层上形成第三介质层，在所述第二线路层上形成第四介质层；
[0027](i)在所述第三介质层上形成第三金属层，在所述第四介质层上形成第四金属层；
[0028](j)在所述第三介质层内形成第三导通柱层，在所述第四介质层内形成第四导通柱层，所述第一线路层和所述第三金属层通过所述第三导通柱层导通连接，所述第二线路层和所述第四金属层通过所述第四导通柱层导通连接；
[0029](k)处理所述第三金属层形成第三线路层，处理所述第四金属层形成第四线路层，所述第一线路层和所述第三线路层通过所述第三导通柱层导通连接，所述第二线路层和所述第四线路层通过所述第四导通柱层导通连接；
[0030](l)在所述第三线路层外形成第一阻焊层，在所述第四线路层外形成第二阻焊层，并分别在所述第一阻焊层和所述第二阻焊层内形成第一阻焊开窗和第二阻焊开窗。
[0031]从上面所述可以看出，本专利技术提供的用于制备封装基板的承载板、封装基板结构及其制作方法，预先在介质层内制作铜柱层，且制备分别与铜柱层连通的上导通柱和下导通柱，缩短了导通柱的纵向高度，降低了导通柱的孔径纵横比，提升了填孔电镀后得到的导通柱的品质，使得制备得到的导通柱和铜柱具有良好的电性能和优越的可靠性能；并且该封装基板结构的制作方法可以适用于厚芯板，降低了基板的翘曲不良率，与线路接触的导通孔可以做的更小，实现core层精细线路设计需求，提高良率。
附图说明
[0032]为了更好地理解本专利技术并示出本专利技术的实施方式，以下纯粹以举例的方式参照附图。
[0033]具体参照附图时，必须强调的是特定的图示是示例性的并且目的仅在于说明性地讨论本专利技术的优选实施方案，并且基于提供被认为是对于本专利技术的原理和概念方面的描述最有用和最易于理解的图示的原因而被呈现。就此而言，没有试图将本专利技术的结构细节以超出对本专利技术基本理解所必须的详细程度来图示；参照附图的说明使本领域技术人员认识到本专利技术的几种形式可如何实际体现出来。在附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备封装基板的承载板，包括介质层、在所述介质层内的种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的底端高于所述介质层的下表面，所述铜柱层的顶端低于所述介质层的上表面，所述介质层的上下表面上分别设置有第一金属层和第二金属层。2.根据权利要求1所述的用于制备封装基板的承载板，其中所述介质层包括沿纵向排布的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面和所述第二介质层的下表面贴合，所述第二介质层内设置有种子层和在所述种子层上的铜柱层，所述种子层的下表面与所述第二介质层的下表面平齐，所述铜柱层的顶端低于所述第二介质层的上表面，所述第一介质层的下表面上设置有第一金属层，所述第二介质层的上表面上设置有第二金属层。3.根据权利要求2所述的用于制备封装基板的承载板，其中所述第一介质层内设置有暴露所述种子层的第一导通孔，所述第一导通孔贯穿所述第一金属层，所述第二介质层内设置有暴露所述铜柱层顶端的第二导通孔，所述第二导通孔贯穿所述第二金属层。4.根据权利要求2所述的用于制备封装基板的承载板，其中所述第一金属层和所述第二金属层的厚度相同或相近。5.一种封装基板结构，包括沿纵向排布的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层的上表面和所述第二介质层的下表面贴合，所述第二介质层内设置有种子层、在所述种子层上的铜柱层和在所述铜柱层上的第二导通柱层，所述种子层与所述第二介质层的下表面平齐，所述第一介质层内设置有第一导通柱层，所述第一导通柱层与所述种子层连通，所述第一介质层的下表面上设置有第一线路层，所述第二介质层的上表面上设置有第二线路层，所述第一线路层和所述第二线路层通过所述第一导通柱层、所述铜柱层和所述第二导通柱层导通连接。6.根据权利要求5所述的封装基板结构，其中所述第一介质层和所述第二介质层相同或不同。7.根据权利要求5所述的封装基板结构，其中所述铜柱层包括至少一个铜柱。8.根据权利要求5所述的封装基板结构，还包括在所述第一线路层上的第三介质层和在所述第二线路层上的第四介质层，所述第三介质层内设置有第三导通柱层，所述第三介质层的下表面上设置有第三线路层，所述第一线路层和所述第三线路层通过所述第三导通柱层导通连接，所述第四介质层内设置有第四导通柱层，所述第四介质层的上表面上设置有第四线路层，所述第二线路层和所述第四线路层通过所述第四导通柱层导通连接。9.根据权利要求5或8所述的封装基板结构，其中导通柱层包括至少一个导通柱。10.根据权利要求8所述的封装基板结构，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，冯进东，黄本霞，黄高，黄聚尘，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：