一种SO-8封装场效应管通用反偏老炼板制造技术

本申请提供一种SO

【技术实现步骤摘要】
一种SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板


[0001]本申请涉及可靠性筛选测试
，尤其涉及一种SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板。

技术介绍

[0002]老炼试验能够缩短器件早期失效的时间，充分暴露器件绝大部分的失效机理，是提高器件使用可靠性的有效措施。SO
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8封装场效应管具体可分为四类，如图1所示，分别为：单PMOS型、单NMOS型、双PMOS型和双NMOS型。在对SO
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8封装场效应管进行老炼试验时，需要进行高温栅偏和高温源偏两种反偏试验。再结合上述的四类SO
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8封装场效应管，可以看出为了能够满足针对SO
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8封装场效应管的老炼试验，需要准备八种对应的老炼板，八种老炼板的电路原理图如图2和图3所示。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请的目的在于提出一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的SO
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8封装效应管通用反偏老炼板。
[0004]基于上述目的，本申请提供了SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板，包括：老炼母板和多个老炼子板；所述老炼母板被配置为与试验电源电性连接，所述老炼母板设置有器件插座、连接卡槽、保险管和栅极电阻；所述器件插座被配置为安装所述SO
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8封装场效应管；所述连接卡槽设置有包括与所述器件插座电性连接的第一卡槽引线至第八卡槽引线，所述第一卡槽引线至所述第八卡槽引线被配置为分别与所述SO/>‑
8封装场效应管的第一引脚至第八引脚电性连接；所述连接卡槽还设置有与所述栅极电阻和所述试验电源串联的第九卡槽引线、与所述保险管和所述试验电源串联的第十卡槽引线，以及被配置为接地端的第十一卡槽引线；每个所述老炼子板上设置有连接关系电路，所述老炼子板能安装于所述连接卡槽，以使所述连接关系电路与所述第一卡槽引线至所述第十一卡槽引线电性连接，形成对应的试验电路。
[0005]可选的，多个所述老炼子板包括：单NMOS栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第四卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路；单PMOS栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路。
[0006]可选的，多个所述老炼子板包括：双NMOS栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第二卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路；双PMOS栅偏试验子板，被配
置为使所述第一卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第二卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路。
[0007]可选的，多个所述老炼子板包括：NMOS源偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十卡槽引线串联连接，使所述第九卡槽引线形成断路；PMOS源偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第四卡槽引线和所述第十卡槽引线串联连接，使所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第九卡槽引线形成断路。
[0008]可选的，所述老炼母板设置有多个并联连接的所述器件插座，每个所述器件插座对应有一个所述连接卡槽。
[0009]可选的，多个所述器件插座沿第一方向排列，所述第一方向与散热风向垂直。
[0010]可选的，所述老炼母板还设置有与所述试验电源串联连接的负载电阻，所述负载电阻立式安装于所述老炼母板。
[0011]可选的，所述器件插座采用抱式簧片夹持固定所述SO
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8封装场效应管的引脚。
[0012]可选的，所述栅极电阻的额定电阻为11KΩ至13KΩ。
[0013]可选的，所述保险管的额定电压为250V，额定电流为0.1A可选的。
[0014]从上面所述可以看出，本申请提供的SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板，在老炼母板上设置SO
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8封装场效应管反偏试验能够用到的所有器件，再通过可拆装更换的老炼子板使器件之间连接组成所需试验电路。此结构使得老炼母板能够用于对所有类型的SO
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8封装场效应管进行反偏试验，而具体的是对哪类SO
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8封装场效应管进行哪种试验，则是通过更换与老炼母板插接的老炼子板实现。由于老板子板上只是设置连接关系电路，并不包含器件，因此制造成本相对较低。此外，当需要对同一SO
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8封装场效应管先进行栅偏试验，再进行源偏试验时，在栅偏试验完成后直接更换源偏试验需要的老炼子板即可，省去重新拆装SO
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8封装场效应管的过程，减少了试验工作量，有助于提供试验效率，缩短试验时间。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为SO
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8封装场效应管的结构示意图；
[0017]图2为SO
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8封装场效应管栅偏试验的电路原理示意图；
[0018]图3为SO
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8封装场效应管源偏试验的电路原理示意图；
[0019]图4为本申请实施例的SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板的老炼母板的在安装SO
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8封装场效应管后的电路示意图；
[0020]图5为本申请实施例的SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板的一种老炼子板的电路示意图；
[0021]图6为图5中的老炼子板与老炼母板连接后组成的试验电路示意图；
[0022]图7至图11为本申请实施例的SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板的另外的老炼子板的电路示意图；
[0023]图12为本申请实施例的SO
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SO
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8封装场效应管通用反偏老炼板，其特征在于，包括：老炼母板和多个老炼子板；所述老炼母板被配置为与试验电源电性连接，所述老炼母板设置有器件插座、连接卡槽、保险管和栅极电阻；所述器件插座被配置为安装所述SO
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8封装场效应管；所述连接卡槽设置有包括与所述器件插座电性连接的第一卡槽引线至第八卡槽引线，所述第一卡槽引线至所述第八卡槽引线被配置为分别与所述SO
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8封装场效应管的第一引脚至第八引脚电性连接；所述连接卡槽还设置有与所述栅极电阻和所述试验电源串联的第九卡槽引线、与所述保险管和所述试验电源串联的第十卡槽引线，以及被配置为接地端的第十一卡槽引线；每个所述老炼子板上设置有连接关系电路，所述老炼子板能安装于所述连接卡槽，以使所述连接关系电路与所述第一卡槽引线至所述第十一卡槽引线电性连接，形成对应的试验电路。2.根据权利要求1所述的反偏老炼板，其特征在于，多个所述老炼子板包括：单NMOS栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第四卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路；单PMOS栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第二卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第九卡槽引线串联连接，使所述第四卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第十卡槽引线形成断路。3.根据权利要求1所述的反偏老炼板，其特征在于，多个所述老炼子板包括：双NMOS栅偏试验子板，被配置为使所述第一卡槽引线、所述第三卡槽引线、所述第五卡槽引线、所述第六卡槽引线、所述第七卡槽引线、所述第八卡槽引线和所述第十一卡槽引线串联连接，使所述第二卡槽引线、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾民杰，张凡，宁凯，左洪涛，李鑫，
申请(专利权)人：航天科工防御技术研究试验中心，
类型：发明
国别省市：