基片处理装置和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置和基片处理方法，其使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀。作为基片处理装置的液处理单元(U5)是对曝光处理前的基片的正面，使用处理液进行处理的基片处理装置，其中，该基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜，该基片处理装置包括保持基片的基片保持部(20)和处理液供给部(40)，该处理液供给部(40)对由基片保持部(20)保持的基片的正面供给以水为主成分的处理液。处理液。处理液。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置和基片处理方法


[0001]本专利技术涉及基片处理装置和基片处理方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，记载有在制造图像传感器等时的光刻处理中，使用由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2012
‑
33886号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术提供使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀的技术。
[0008]用于解决技术问题的技术方案
[0009]本专利技术的一个方式的基片处理装置是对曝光处理前的基片的正面，使用处理液进行处理的基片处理装置，其中，上述基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜，上述基片处理装置包括：保持上述基片的基片保持部；和处理液供给部，其对由上述基片保持部保持的上述基片的正面供给以水为主成分的上述处理液。
[0010]专利技术效果
[0011]依照本专利技术，能够提供使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀的技术。
附图说明
[0012]图1是表示基片处理系统的概略结构的一个例子的示意图。
[0013]图2是表示涂敷显影装置的内部结构的一个例子的示意图。
[0014]图3是表示液处理单元的结构的一个例子的示意图。
[0015]图4是表示处理液供给部的一个例子的示意图。
[0016]图5是表示控制装置的功能结构的一个例子的框图。
[0017]图6是表示控制装置的硬件结构的一个例子的框图。
[0018]图7是表示液处理流程的一个例子的流程图。
[0019]图8的(a)、图8的(b)分别是用于说明液处理流程中的各部的动作的一个例子的示意图。
[0020]图9的(a)、图9的(b)、图9的(c)分别是用于说明通过进行液处理流程而得到的工件正面的抗蚀剂膜的变化的一个例子的示意图。
[0021]附图标记说明
[0022]1基片处理系统
[0023]2涂敷显影装置
[0024]3曝光装置
[0025]20基片保持部
[0026]21旋转部
[0027]22轴
[0028]23保持部
[0029]30冲洗液供给部
[0030]31供给机构
[0031]32驱动机构
[0032]33喷嘴
[0033]40处理液供给部
[0034]41、42供给机构
[0035]43喷嘴
[0036]49驱动机构
[0037]100控制装置。
具体实施方式
[0038]以下，对各种例示的实施方式进行说明。
[0039]在一个例示的实施方式中，基片处理装置是对曝光处理前的基片的正面，使用处理液进行处理的基片处理装置，其中，上述基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜，上述基片处理装置包括：保持上述基片的基片保持部；和处理液供给部，其对由上述基片保持部保持的上述基片的正面供给以水为主成分的上述处理液。
[0040]依照上述的基片处理装置，利用处理液供给部，对曝光处理前的、露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜的基片的正面，供给以水为主成分的处理液。以水为主成分的处理液与露出于基片的彩色抗蚀剂膜发生反应，能够使彩色抗蚀剂膜部分溶解。因此，在彩色抗蚀剂膜存在凹凸的情况下能够减小凹凸，因此能够使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀。
[0041]也可以为，处理液供给部从喷雾嘴对上述基片喷射上述处理液。
[0042]在使用喷雾嘴对基片喷射处理液的情况下，在抗蚀剂膜的凹凸中特别是凸部，容易附着处理液，其结果是，与凹部相比较，能够使凸部的抗蚀剂膜的溶解更容易进行。因此，能够使抗蚀剂膜的膜厚更均匀。
[0043]也可以为，上述喷雾嘴呈圆锥状喷射上述处理液。
[0044]通过采用上述构成，能够使喷雾嘴对基片的正面的抗蚀剂膜喷射处理液的喷射方向多种多样。因此，例如在抗蚀剂膜的凸部的侧面等也容易附着处理液，能够使抗蚀剂膜的溶解容易进行。因此，能够使抗蚀剂膜的膜厚更均匀。
[0045]也可以为，从上述处理液供给部喷出上述处理液的喷出轴相对于上述基片的正面倾斜。
[0046]通过采用上述构成，能够进一步促进处理液在抗蚀剂膜的凹凸中相对于凹部更去
往凸部，因此能够使抗蚀剂膜的溶解容易进行。因此，能够使抗蚀剂膜的膜厚更均匀。
[0047]也可以为，还包括前处理液供给部，其对被供给上述处理液之前的上述基片的正面，以比从上述处理液供给部喷出上述处理液的喷出压力低的低压供给以水为主成分的前处理液。
[0048]通过在供给处理液之前以比处理液的喷出压力低的低压对基片供给以水为主成分的前处理液，能够对整个抗蚀剂膜进行抗蚀剂膜的溶解。因此，例如能够调整整个抗蚀剂膜的膜厚。
[0049]也可以为，还包括后处理液供给部，其对被供给上述处理液之后的上述基片的正面，以比从上述处理液供给部喷出上述处理液的喷出压力低的低压供给以水为主成分的后处理液。
[0050]通过在供给处理液之后以比处理液的喷出压力低的低压对基片供给以水为主成分的后处理液，能够从抗蚀剂膜表面除去残留于抗蚀剂膜的表面的已溶解的抗蚀剂材料等。
[0051]也可以为，还包括抗蚀剂涂敷部，其对上述基片涂敷用于形成上述彩色抗蚀剂膜的彩色抗蚀剂，上述抗蚀剂涂敷部设置在与设置有上述处理液供给部的模块不同的模块。
[0052]如上所述，彩色抗蚀剂能够溶解于以水为主成分的处理液。因此，通过在不同的模块配置处理以水为主成分的处理液的处理液供给部和抗蚀剂涂敷部，能够防止处理液对由抗蚀剂涂敷部进行的彩色抗蚀剂的涂敷处理造成影响。
[0053]在一个例示的实施方式中，基片处理方法是对曝光处理前的基片的正面，利用处理液进行处理的基片处理方法，其中，上述基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜，上述基片处理方法对由基片保持部保持的上述基片的正面供给以水为主成分的上述处理液。
[0054]依照上述的基片处理方法，利用处理液供给部，对曝光处理前的、露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜的基片的正面供给以水为主成分的处理液。以水为主成分的处理液能够与露出于基片的彩色抗蚀剂膜发生反应，将彩色抗蚀剂膜部分溶解。因此，在彩色抗蚀剂膜存在凹凸的情况下能够使凹凸变小，因此能够使形成于基片上的由彩色抗蚀剂形成的抗蚀剂膜的膜厚更均匀。
[0055]以下，参照附图，对各种例示的实施方式进行详细说明。此外，在各图中对相同或相应的部分标注相同的附图标记。在一部分图中示出由X轴、Y轴和Z轴规定的直角坐标系。在以下的实施方式中，Z轴对应铅垂方向，X轴和Y轴对应水平方向。
[0056][基片处理系统][0057]首先，参照图1～图3，对基片处理系统1的结构进行说明。基片处理系统1包括涂敷显影装置2(液处理装置)和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置是对曝光处理前的基片的正面，使用处理液进行处理的基片处理装置，其中，所述基片的正面露出有已干燥的彩色抗蚀剂膜，所述基片处理装置包括：保持所述基片的基片保持部；和处理液供给部，其对由所述基片保持部保持的所述基片的正面供给以水为主成分的所述处理液。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：处理液供给部从喷雾嘴对所述基片喷射所述处理液。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述喷雾嘴呈圆锥状喷射所述处理液。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：从所述处理液供给部喷出所述处理液的喷出轴相对于所述基片的正面倾斜。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还包括前处理液供给部，其对被供给所述处理液之前的所述基片的正面，以比从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大村和久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：