电介质组合物、电子部件及层叠电子部件制造技术

本发明专利技术提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。一种电介质组合物，其具有主相、第一偏析相以及第二偏析相。主相包含具有由ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型晶体结构的主成分。第一偏析相包含RE(RE为选自稀土元素中的一种以上)、A、Si、Ti及O。第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si。在电介质组合物的截面中，将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2，0.10<S2/S1≤1.50。0.10<S2/S1≤1.50。0.10<S2/S1≤1.50。

【技术实现步骤摘要】
电介质组合物、电子部件及层叠电子部件


[0001]本专利技术涉及一种电介质组合物、电子部件及层叠电子部件。

技术介绍

[0002]近年来，随着电子设备的小型化、高密度化，寻求用于电子设备的电子部件及层叠电子部件的小型化、大容量化及可靠性的提高。
[0003]在专利文献1中记载了涉及电介质层除了电介质粒子之外还包含Y
‑
Ti偏析粒子的层叠陶瓷电子部件的专利技术。通过在特定的范围内包含Y
‑
Ti偏析粒子等的结构，实现层叠数的增加及电介质层自身的薄层化和可靠性的提高的兼顾。
[0004]然而，Y
‑
Ti偏析粒子有时阻碍电介质层中所含的电介质组合物的致密化。而且，有时难以将电介质组合物高密度化。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2017
‑
120856号公报

技术实现思路

[0008]专利技术所要解决的技术问题
[0009]本专利技术鉴于这样的现状，其目的在于提供密度高、相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。
[0010]用于解决技术问题的技术方案
[0011]为了实现上述目的，本专利技术所涉及的电介质组合物，其具有主相、第一偏析相及第二偏析相，其中，
[0012]所述主相包含具有由ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型晶体结构的主成分，<br/>[0013]所述第一偏析相包含RE(RE为选自稀土元素的一种以上)、A、Si、Ti及O，
[0014]所述第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si，
[0015]在所述电介质组合物的截面中，将所述第一偏析相的面积比例设为S1，将所述第二偏析相的面积比例设为S2，0.10&lt;S2/S1≤1.50。
[0016]所述电介质组合物除了Si及RE之外，也可以还包含M，
[0017]M为选自Mg、Mn、V及Cr中的一种以上，
[0018]也可以是：相对于所述主成分，RE的含量以RE2O3换算为0.90摩尔％以上且3.60摩尔％以下，M的含量以MO换算为0.20摩尔％以上且1.00摩尔％以下，Si的含量以SiO2换算为0.60摩尔％以上且1.80摩尔％以下。
[0019]所述第一偏析相中的Ba相对于Ti的原子数比也可以超过1.00，所述第二偏析相中的Ba相对于Ti的原子数比也可以低于1.00。
[0020]在所述电介质组合物的截面中，也可以是，将所述第一偏析相的平均等效圆直径
设为A1，将所述第二偏析相的平均等效圆直径设为A2，0&lt;A2/A1&lt;1.00。
[0021]本专利技术所涉及的电子部件具有上述的电介质组合物。
[0022]本专利技术所涉及的层叠电子部件通过交替层叠由上述的电介质组合物构成的电介质层和电极层而成。
附图说明
[0023]图1A是层叠陶瓷电容器的截面图。
[0024]图1B是沿着图1A的IB
‑
IB线的层叠陶瓷电容器的截面图。
[0025]图2是试样编号3的映射图像。
[0026]图3是电介质组合物的截面的示意图。
[0027]符号的说明：
[0028]1……
层叠陶瓷电容器
[0029]10
……
元件主体
[0030]2……
电介质层
[0031]14
……
主相
[0032]16
……
第一偏析相
[0033]18
……
第二偏析相
[0034]3……
内部电极层
[0035]4……
外部电极
具体实施方式
[0036]＜1.层叠陶瓷电容器＞
[0037]1.1层叠陶瓷电容器的整体结构
[0038]在图1A及图1B中示出作为本实施方式的层叠电子部件的一例的层叠陶瓷电容器1。层叠陶瓷电容器1具有交替层叠有电介质层2和内部电极层3的结构的元件主体10。在该元件主体10的两端部形成有与在元件主体10的内部交替配置的内部电极层3分别导通的一对外部电极4。元件主体10的形状没有特别限定，通常设为长方体状。另外，元件主体10的尺寸也没有特别限定，只要根据用途设为适当的尺寸即可。
[0039]在本实施方式中，元件主体10的纵向尺寸L0(参照图1A)也可以为5.7～0.4mm。元件主体10的宽度尺寸W0(参照图1B)也可以为5.0～0.2mm。元件主体10的高度尺寸H0(参照图1B)也可以为5.0～0.2mm。
[0040]作为元件主体10的具体的尺寸，可以举出L0
×
W0为(5.7
±
0.4)mm
×
(5.0
±
0.4)mm、(4.5
±
0.4)mm
×
(3.2
±
0.4)mm、(3.2
±
0.3)mm
×
(2.5
±
0.2)mm、(3.2
±
0.3)mm
×
(1.6
±
0.2)mm、(2.0
±
0.2)mm
×
(1.2
±
0.1)mm、(1.6
±
0.2)mm
×
(0.8
±
0.1)mm、(1.0
±
0.1)mm
×
(0.5
±
0.05)mm、(0.6
±
0.06)mm
×
(0.3
±
0.03)mm、(0.4
±
0.04)mm
×
(0.2
±
0.02)mm的情况等。另外，H0没有特别限定，例如为与W0同等以下的程度。
[0041]1.2电介质层
[0042]电介质层2由后述的本实施方式的电介质组合物构成。
[0043]电介质层2的每一层的厚度(层间厚度)没有特别限定，能够根据期望的特性及用
途等任意地设定。通常，层间厚度可以为20μm以下，也可以为10μm以下，也可以为5μm以下。另外，电介质层2的层叠数量没有特别限定，但在层叠陶瓷的本实施方式中，例如可以为10以上，也可以为100以上，也可以为200以上。
[0044]1.3内部电极层
[0045]在本实施方式中，内部电极层3以各端部在元件主体10的相对的2端面的表面交替地露出的方式层叠。
[0046]作为内部电极层3中含有的导电材料，没有特别限定。作为用作导电材料的贵金属，例如可以举出Pd、Pt、Ag
‑
Pd合金等。作为用作导电材料的贱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质组合物，其中，具有主相、第一偏析相以及第二偏析相，所述主相包含具有以ABO3表示的钙钛矿型晶体结构的主成分，A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上，所述第一偏析相包含RE、A、Si、Ti及O，RE为选自稀土元素中的一种以上，所述第二偏析相包含RE、A、Ti及O，且实质上不包含Si，在所述电介质组合物的截面中，将所述第一偏析相的面积比例设为S1，将所述第二偏析相的面积比例设为S2，0.10&lt;S2/S1≤1.50。2.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，所述电介质组合物除了Si及RE之外，还包含M，M为选自Mg、Mn、V及Cr中的一种以上，相对于所述主成分，RE的含量以RE2O3换算为0.90摩尔％以上且3.60摩尔％以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：有泉琢磨，村上拓，森崎信人，兼子俊彦，伊藤康裕，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：