磁场增强组件和磁场增强器件制造技术

本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过所述第三外接电容可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。场增强对人体的不良影响。场增强对人体的不良影响。

【技术实现步骤摘要】
磁场增强组件和磁场增强器件


[0001]本申请涉及核磁共振成像技术，特别是涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件。

技术介绍

[0002]MRI(Magnetic Resonance Imaging，核磁共振成像技术)为非介入探测方式，是医药、生物、神经科学领域的一项重要的基础诊断技术。传统MRI设备传输的信号强度主要取决于静磁场B0的强度，采用高磁场甚至超高磁场系统可以提高图像的信噪比、分辨率和缩短扫描时间。然而静磁场强度的增加会带来如下三个问题：(1)射频(RF)场非均匀性增大，调谐难度增加；(2)人体组织产热增加，带来安全隐患，患者还容易出现眩晕和呕吐等不良反应：(3)购置成本大幅度增加，对大多数小规模医院来说是一种负担。因此，如何采用尽量小的静磁场强度同时能够获得高的成像质量成为MRI技术中一个至关重要的问题。
[0003]为了解决上述问题，现有技术提供了一种超构表面器件。所述超构表面器件包括支架，以及在圆弧形支架侧壁间隔排列的多个磁场增强组件。磁场增强组件可以用来提高射频磁场的强度和降低比吸收率，从而达到提高成像分辨率和减小信噪比的效果。
[0004]然而，目前提出的超构表面器件都是线性响应的，能够增强所有其谐振频率及其附近的射频磁场。核磁共振系统中存在两个射频阶段：射频发射阶段和射频接收阶段，这两个阶段的射频场具有相同的谐振频率。因此，超构表面器件在增强射频接收场的同时，还会大幅度增加射频发射场。射频发射场被增强之后，人体特种吸收率(specific absorption rate，SAR)会大幅度增加，因此超构表面的加入会引起人体产热大幅度增加，带来安全问题。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述问题，提供一种磁场增强组件和磁场增强器件。
[0006]一种磁场增强组件，包括：
[0007]第一电介质层，包括相对的第一表面和第二表面；
[0008]第一电极层，设置于所述第一表面；
[0009]第二电极层和第四电极层，间隔设置于所述第二表面，所述第一电极层分别与所述第二电极层和所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影具有重叠部分；
[0010]第二外接电容、第三外接电容和第二开关控制电路，所述第三外接电容的一端与所述第二电极层连接，所述第三外接电容的另一端分别与所述第二外接电容的一端和所述第二开关控制电路的一端连接；
[0011]所述第二外接电容的另一端和所述第二开关控制电路的另一端分别与所述第一电极层连接；
[0012]所述第二开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。
[0013]本申请实施例提供的磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有
所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过设置合适的所述第三外接电容，可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度能够保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。受测区域保持原来的磁场强度，能够消除所述磁场增强组件对射频发射阶段的干扰，可以有效提由多个所述磁场增强组件构成的所述磁场增强器件的临床实用性。使得所述磁场增强组件适用磁共振系统的所有的序列。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本申请一个实施例提供的磁场增强器件结构图；
[0016]图2为本申请一个实施例提供的磁场增强器件在射频发射阶段和射频接收阶段频率对比图；
[0017]图3为本申请另一个实施例提供的磁场增强器件结构图；
[0018]图4为本申请另一个实施例提供的磁场增强器件结构图；
[0019]图5为本申请另一个实施例提供的磁场增强器件结构图；
[0020]图6为本申请一个实施例提供的磁场增强组件透视图；
[0021]图7为本申请一个实施例提供的磁场增强组件俯视图；
[0022]图8为本申请一个实施例提供的磁场增强组件仰视图；
[0023]图9为本申请另一个实施例提供的磁场增强组件侧视图；
[0024]图10为本申请一个实施例提供的磁场增强组件俯视图；
[0025]图11为本申请一个实施例提供的磁场增强组件仰视图；
[0026]图12为本申请一个实施例提供的第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影示意图；
[0027]图13为本申请另一个实施例提供的第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影形状示意图；
[0028]图14为本申请一个实施例提供的磁场增强器件三维图；
[0029]图15为本申请一个实施例提供的磁场增强器件爆炸图。
[0030]附图标记说明：
[0031]第一电介质层100、第一电极层110、第一表面101、第二表面102、第一豁口411、第二豁口412、第三豁口413、第四豁口414、第二电极层120、第三电极层130、第四电极层140、第一结构电容150、第二开关控制电路450、第三二极管451、第四二极管452、第三增强型MOS管453、第四增强型MOS管454、第二外接电容442、第三外接电容443、第一端103、第二端104、磁场增强器件 20、筒形支撑结构50、第三端51、第四端53、第一环形导电片510、第二环形导电片520、限位结构530、轴线504、检测空间509、第一结构电容150、第二结构电容152、第三
结构电容153。
具体实施方式
[0032]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0033]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0034]在本申请中，除非另有明确的规定和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层(100)，包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)；第二电极层(120)和第四电极层(140)，间隔设置于所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)分别与所述第二电极层(120)和所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分；第二外接电容(442)、第三外接电容(443)和第二开关控制电路(450)，所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第二外接电容(442)的一端和所述第二开关控制电路(450)的一端连接；所述第二外接电容(442)的另一端和所述第二开关控制电路(450)的另一端分别与所述第一电极层(110)连接；所述第二开关控制电路(450)用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关控制电路(450)包括：第三二极管(451)，所述第三二极管(451)的阳极与所述第一电极层(110)连接；第四二极管(452)，所述第四二极管(452)的阴极与所述第一电极层(110)连接；所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第三二极管(451)的阴极、所述第四二极管(452)的阳极和所述第二外接电容(442)一端连接；所述第二外接电容(442)的另一端与所述第一电极层(110)连接。3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关控制电路(450)包括：第三增强型MOS管(453)，所述第三增强型MOS管(453)的漏极与所述第一电极层(110)连接，所述第三增强型MOS管的栅极(453)与所述第一电极层(110)连接；第四增强型MOS管(454)，所述第四增强型MOS管(454)的源极与所述第一电极层(110)连接；所述第三外接电容(443)的一端与所述第二电极层(120)连接，所述第三外接电容(443)的另一端分别与所述第三增强型MOS管(453)的源极、所述第四增强型MOS管(454)的漏极、所述第四增强型MOS管(454)的栅极和所述第二外接电容(442)的一端连接；所述第二外接电容(442)的另一端与所述第一电极层(110)连接。4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第二开关控制电路(450)的一端连接于所述第二电极层(120)和所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分的位置，所述第二开关控制电路(450)的另一端连接于所述第一电极层(110)和所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影具有重叠部分的位置。5.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层(100)，包括相对设置的第一表面(101)和第二表面(102)；第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，所述第一电极层(110)覆盖部分所述第一表面(101)；第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵乾，池中海，郑卓肇，孟永钢，周济，
申请(专利权)人：北京清华长庚医院，
类型：发明
国别省市：