基于并联谐振的非线性响应MRI图像增强超构表面器件制造技术

本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。第一电极层和第二电极层设置于第一电介质层的第一表面。第三电极层和第四电极层设置于第一电介质层的第二表面。第一电极层与第三电极层构成第二结构电容。第二电极层与第四电极层构成第三结构电容。第七控制电路连接于第一电极层和第二电极层之间，且包括第三电容、第一电感和第一开关电路。第一电感和第一开关电路串联后的电路与所述第三电容并联。第一开关电路在射频发射阶段断开，使磁场增强组件所在回路与检测部位谐振，增加磁场。第一开关电路在射频发射阶段导通，不能增强磁场。强磁场。强磁场。

【技术实现步骤摘要】
基于并联谐振的非线性响应MRI图像增强超构表面器件


[0001]本申请涉及检测
，特别是涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。

技术介绍

[0002]传统MRI(磁共振系统)的射频线圈通过线圈谐振的方式采集人体反馈信号，人体反馈信号的强弱影响射频线圈采集到的信号质量，进而影响图像的信噪比和分辨率。
[0003]传统技术通过增加超构表面器件，不仅增加射频信号接收阶段的磁场强度，也增加射频信号发射阶段的磁场强度。传统技术中超构表面器件都是线性超构表面，不能消除超构表面对射频发射阶段的影响。射频信号发射阶段磁场强度的增加会降低检测图像的质量。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对怎样提高检测图像质量的问题，提供一种磁场增强组件及磁场增强器件。
[0005]一种磁场增强组件，包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层、第四电极层和第七控制电路。所述第一电介质层包括相对的第一表面和第二表面。所述第一电极层和所述第二电极层间隔设置于所述第一表面。所述第三电极层和所述第四电极层间隔设置于所述第二表面。所述第一电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第三电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠。所述第一电极层、所述第一电介质层和所述第三电极层构成第二结构电容。所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影与所述第四电极层在所述第一电介质层的正投影部分重叠。所述第二电极层、所述第一电介质层和所述第四电极层构成第三结构电容。
[0006]所述第七控制电路包括第三电容、第一电感和第一开关电路。所述第三电容的一端与所述第一电极层连接。所述第三电容的另一端与所述第二电极层连接。所述第一电感的一端与所述第二电极层连接。所述第一开关电路连接于所述第一电感的另一端与所述第一电极层之间。所述第一开关电路用于在射频接收阶段断开。所述第一开关电路还用于在射频发射阶段导通，以使所述第七控制电路处于高阻状态。
[0007]本申请实施例提供的所述磁场增强组件，包括所述磁场增强组件中所述第一开关电路用于在射频接收阶段时断开。所述第二结构电容和所述第三结构电容通过所述第三电容连接。所述第一开关电路和所述第一电感不参与电路导通，以使所述磁场增强组件所在的回路与检测部位发射谐振，增加检测信号的场强。所述第一开关电路还用于在射频发射阶段时导通，所述第三电容与所述第一电感并联，使得所述第七控制电路处于高阻状态。所述第二结构电容和所述第三结构电容之间断路。在射频信号发射阶段，所述第二结构电容和所述第三结构电容之间几乎没有电流流通，所述磁场增强组件所在的回路产生的磁场减弱，进而减小所述磁场增强组件所在的回路对射频信号发射阶段磁场的影响，从而减小检测图像的伪影，提高检测图像的清晰度。
附图说明
[0008]为更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0009]图1为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的剖视图；
[0010]图2为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；
[0011]图3为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；
[0012]图4为图3的实施例中提供的所述磁场增强组件的俯视图；
[0013]图5为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；
[0014]图6为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；
[0015]图7为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的结构示意图；
[0016]图8为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；
[0017]图9为图8的磁场增强器件的结构爆炸图；
[0018]图10为图8和图9的磁场增强器件的磁场强度图；
[0019]图11为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；
[0020]图12为图11的磁场增强器件的结构爆炸图；
[0021]图13为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的侧视图；结构示意图；
[0022]图14为图13中提供的所述磁场增强组件的俯视图；
[0023]图15为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；
[0024]图16为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强器件的结构示意图；
[0025]图17为本申请一个实施例中提供的所述磁场增强组件的电连接图；
[0026]图18为图17的所述磁场增强组件的俯视图；
[0027]图19为本申请一个实施例提供的第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影示意图；
[0028]图20为本申请另一个实施例提供的第一电极层和所述第二电极层在所述第一电介质层的正投影形状示意图。
[0029]附图标号：
[0030]磁场增强组件10；第一电介质层100；第一表面101；第二表面102；第一端103；第二端104；第一电极层110；第一子电极层111；第一连接层190；第二电极层120；第三电极层130；第四电极层140；第七控制电路630；第三电容223；第一电感241；第一开关电路631；第三二极管213；第四二极管214；第五增强型MOS管235；第六增强型MOS管236；第五电极层141；第三电感243；第二结构电容302；第三结构电容303；第四结构电容304；第四电容224；
[0031]过孔103；第一结构电容150；第一豁口411；第二豁口412；第三豁口413；第四豁口414；
[0032]磁场增强器件20；筒形支撑结构50；第一环形导电片510；第二环形导电片520；第三端51；第四端53；固定结构930；第一固定件931；第二固定件932；控制连接口513；第一连接端511；第二连接端512。
具体实施方式
[0033]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。
[0034]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层(100)，所述第一电介质层(100)包括相对的第一表面(101)和第二表面(102)；第一电极层(110)和第二电极层(120)，间隔设置于所述第一表面(101)；第三电极层(130)和第四电极层(140)，间隔设置于所述第二表面(102)，所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第一电极层(110)、所述第一电介质层(100)和所述第三电极层(130)构成第二结构电容(302)，所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第二电极层(120)、所述第一电介质层(100)和所述第四电极层(140)构成第三结构电容(303)；第七控制电路(630)，包括：第三电容(223)，所述第三电容(223)的一端与所述第一电极层(110)连接，所述第三电容(223)的另一端与所述第二电极层(120)连接；第一电感(241)，所述第一电感(241)的一端与所述第二电极层(120)连接；第一开关电路(631)，连接于所述第一电感(241)的另一端与所述第一电极层(110)之间，所述第一开关电路(631)用于在射频接收阶段断开，所述第一开关电路(631)还用于在射频发射阶段导通，以使所述第七控制电路(630)处于高阻状态。2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关电路(631)包括：第三二极管(213)，所述第三二极管(213)的正极与所述第一电极层(110)连接，所述第三二极管(213)的负极与所述第一电感(241)的另一端连接；第四二极管(214)，所述第四二极管(214)的正极与所述第一电感(241)的另一端连接，所述第四二极管(214)的负极与所述第一电极层(110)连接。3.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一开关电路(631)包括：第五增强型MOS管(235)，所述第五增强型MOS管(235)的漏极和栅极分别与所述第一电感(241)远离所述第二电极层(120)的一端连接，所述第五增强型MOS管(235)的源极与所述第一电极层(110)连接；第六增强型MOS管(236)，所述第六增强型MOS管(236)的漏极和栅极分别与所述第一电极层(110)连接，所述第六增强型MOS管(236)的源极与所述第一电感(241)远离所述第二电极层(120)的一端连接。4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电极层(110)还包括第一子电极层(111)和第一连接层(190)，所述第一子电极层(111)和所述第一连接层(190)连接，所述第一连接层(190)靠近所述第二电极层(120)设置，所述第一子电极层(111)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重叠，所述第三电容(223)的一端与所述第一连接层(190)靠近所述第一子电极层(111)的一端连接，所述第三电容(223)的另一端与所述第二电极层(120)连接，所述第一开关电路(631)连接于所述第一连接层(190)远离所述第一子电极层(111)的一端与所述第二电极层(120)之间，所述第一连接层(190)构成所述第一电感(241)。5.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，还包括：第五电极层(141)，设置于所述第二表面(102)，且于所述第三电极层(130)和第四电极
层(140)之间，所述第五电极层(141)、所述第三电极层(130)和所述第四电极层(140)相互间隔设置；所述第五电极层(141)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵乾，池中海，孟永钢，郑卓肇，
申请(专利权)人：北京清华长庚医院，
类型：发明
国别省市：