一种多晶圆跳测赋值方法、系统、电子设备及存储介质技术方案

技术编号:34543152 阅读:17 留言:0更新日期:2022-08-13 21:40
本发明专利技术提供了一种多晶圆跳测赋值方法、系统、电子设备及存储介质,所述方法包括根据WAT抽检站点的良率,判断良率是否大于预设值;若是则沿着预定方向按照预设间距针对多晶圆进行跳测抽检,获取若干抽检晶粒的数据;沿着预定方向依序判断相邻两抽检晶粒所对应的数据是否均处于预设卡控范围内;根据不同情况采取相应的赋值方法针对未测试晶粒数据进行赋值,以使输出多晶圆的全部晶粒数据。本申请基于芯片晶圆的光电性参数均匀分布的特性,对整片晶圆上的晶粒按照预设间距跳测,未测试晶粒通过结合复制方式及线性方式进行补值,确保测试准确度的同时提升测试产能,以满足晶圆的尺寸越来越小、产量几何式增长的需求。产量几何式增长的需求。产量几何式增长的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶圆跳测赋值方法、系统、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术属于晶圆光电参数测试的
,具体地涉及一种多晶圆跳测赋值方法、系统、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在LED等二极管的制造过程中,需要对二极管的晶圆进行光性参数和电性参数的测试。随着技术的发展,点测机采用多组测试探针接通多个芯片正负电极进行多个芯片的光电测试。现有的多组测试探针进行光电测试的方法是:首先,将晶圆上的芯片根据每台测试设备所连接的测试探针的组数分组;然后,将与多台测试设备连接的多组测试探针同时扎到对应的多个芯片的N电极和P电极上并接通芯片的正负电极对晶圆上的所有芯片进行完整的光电性能测试。
[0003]目前主流的点测机测试电性参数均采用四个晶圆并测方式。现有点测机的测试方法虽然针对晶圆的电性参数可以实现四个晶圆同时测试,但是,晶圆的光性参数需按照顺序逐一进行测试,耗时较久,难以满足晶圆的尺寸越来越小、产量几何式增长的现状,足以说明现有点测机的测试方法导致现有点测机的测试产能达到瓶颈。
[0004]因此,如何基于现有的点测机设备能力基础上,提出一种测试效率高及测试准确度高的测试方法,是业内值得研究的课题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种多晶圆跳测赋值方法、系统、电子设备及存储介质,基于芯片晶圆的光电性参数均匀分布的特性,对整片晶圆上的晶粒按照预设间距跳测,未测试晶粒通过结合复制方式及线性方式进行补值,确保测试准确度的同时提升测试产能,以满足晶圆的尺寸越来越小、产量几何式增长的需求。
[0006]第一方面,本申请提供一种多晶圆跳测赋值方法,包括:根据WAT抽检站点的良率,判断所述良率是否大于预设值;若是,则沿着预定方向按照预设间距针对多晶圆进行跳测抽检,获取若干抽检晶粒的数据;其中,所述数据包括电性参数和光性参数;沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内;若是,则针对相邻两所述抽检晶粒之间的未测试晶粒数据进行赋值;其中,所述未测试晶粒数据的电性参数的赋值按照复制方式进行补充,以及光性参数的赋值按照线性方式补充;若否,则基于当前抽检晶粒按照预设扩大范围在所述抽检晶粒中查找到目标抽检晶粒,并将所述当前抽检晶粒与所述目标抽检晶粒之间的未测试晶粒的数据进行赋值;其中,所述当前抽检晶粒及所述目标抽检晶粒的数据均处于所述预设卡控范围内;输出所述多晶圆的全部晶粒数据。
[0007]较佳地,沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内的步骤之后,所述方法包括:若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于当前抽检晶粒按照预设扩大范围在所述抽检晶粒中未查找到目标抽检晶粒,并将所述预设扩大范围内的未测试晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒及所述目标抽检晶粒的数据均处于所述预设卡控范围内。
[0008]较佳地,沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内的步骤之后,所述方法包括:若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于所述预定方向查找出当前抽检晶粒的相邻抽检晶粒的数据处于所述预设卡控范围内,并将所述相邻抽检晶粒之前的未检测晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内。
[0009]较佳地,沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内的步骤之后,所述方法包括:若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于所述预定方向查找出当前抽检晶粒的相邻抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内,继续按照所述预定方向查找,直至在其它所述抽检晶粒中查找到的相邻抽检晶粒的数据处于所述预设卡控范围内停止,并将所述相邻抽检晶粒之前的未检测晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内。
[0010]较佳地,所述针对相邻两所述抽检晶粒之间的未测试晶粒数据进行赋值;其中,所述未测试晶粒数据的电性参数的赋值按照复制方式进行补充,以及光性参数的赋值按照线性方式补充的步骤之后,所述方法还包括:若当前抽检晶粒为所述抽检晶粒的第一个抽检晶粒,则将所述第一个抽晶粒之前的未测试晶粒的数据直接采用所述第一个抽检晶粒的数据。
[0011]较佳地,所述针对相邻两所述抽检晶粒之间的未测试晶粒数据进行赋值;其中,所述未测试晶粒数据的电性参数的赋值按照复制方式进行补充,以及光性参数的赋值按照线性方式补充的步骤之后,所述方法还包括:若当前抽检晶粒为所述抽检晶粒的最后一个抽检晶粒,则将所述最后一个抽晶粒之后的未测试晶粒的数据直接采用所述最后一个抽检晶粒的数据。
[0012]较佳地,所述预设间距是指两所述抽检晶粒之间的未检测晶粒数量呈偶数的间距。
[0013]第二方面,本申请提供一种多晶圆跳测赋值系统,包括:第一判断模块,用于根据WAT抽检站点的良率,判断所述良率是否大于预设值;抽检模块,用于若判断所述良率大于预设值,则沿着预定方向按照预设间距针对多晶圆进行跳测抽检,获取若干抽检晶粒的数据;其中,所述数据包括电性参数和光性参数;第二判断模块,用于沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内;第一赋值模块,用于若判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据均处于预设卡
控范围内,则针对相邻两所述抽检晶粒之间的未测试晶粒数据进行赋值;其中,所述未测试晶粒数据的电性参数的赋值按照复制方式进行补充,以及光性参数的赋值按照线性方式补充;第二赋值模块,用于若判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据未处于预设卡控范围内,则基于当前抽检晶粒按照预设扩大范围在所述抽检晶粒中查找到目标抽检晶粒,并将所述当前抽检晶粒与所述目标抽检晶粒之间的未测试晶粒的数据进行赋值;其中,所述当前抽检晶粒及所述目标抽检晶粒的数据均处于所述预设卡控范围内;输出模块,用于输出所述多晶圆的全部晶粒数据。
[0014]较佳地,所述系统还包括:第一处理模块,用于若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于当前抽检晶粒按照预设扩大范围在所述抽检晶粒中未查找到目标抽检晶粒,并将所述预设扩大范围内的未测试晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒及所述目标抽检晶粒的数据均处于所述预设卡控范围内。
[0015]较佳地,所述系统还包括:第二处理模块,用于若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于所述预定方向查找出当前抽检晶粒的相邻抽检晶粒的数据处于所述预设卡控范围内,并将所述相邻抽检晶粒之前的未检测晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内。
[0016]较佳地,所述系统还包括:第三处理模块,用若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶圆跳测赋值方法,其特征在于,包括:根据WAT抽检站点的良率,判断所述良率是否大于预设值;若是,则沿着预定方向按照预设间距针对多晶圆进行跳测抽检,获取若干抽检晶粒的数据;其中,所述数据包括电性参数和光性参数;沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内;若是,则针对相邻两所述抽检晶粒之间的未测试晶粒数据进行赋值;其中,所述未测试晶粒数据的电性参数的赋值按照复制方式进行补充,以及光性参数的赋值按照线性方式补充;若否,则基于当前抽检晶粒按照预设扩大范围在所述抽检晶粒中查找到目标抽检晶粒,并将所述当前抽检晶粒与所述目标抽检晶粒之间的未测试晶粒的数据进行赋值;其中,所述当前抽检晶粒及所述目标抽检晶粒的数据均处于所述预设卡控范围内;输出所述多晶圆的全部晶粒数据。2.根据权利要求1所述的多晶圆跳测赋值方法,其特征在于,沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内的步骤之后,所述方法包括:若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于当前抽检晶粒按照预设扩大范围在所述抽检晶粒中未查找到目标抽检晶粒,并将所述预设扩大范围内的未测试晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒及所述目标抽检晶粒的数据均处于所述预设卡控范围内。3.根据权利要求1所述的多晶圆跳测赋值方法,其特征在于,沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内的步骤之后,所述方法包括:若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于所述预定方向查找出当前抽检晶粒的相邻抽检晶粒的数据处于所述预设卡控范围内,并将所述相邻抽检晶粒之前的未检测晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内。4.根据权利要求1所述的多晶圆跳测赋值方法,其特征在于,沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据是否均处于预设卡控范围内的步骤之后,所述方法包括:若沿着所述预定方向依序判断相邻两所述抽检晶粒所对应的所述数据不处于预设卡控范围内,则基于所述预定方向查找出当前抽检晶粒的相邻抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内,继续按照所述预定方向查找,直至在其它所述抽检晶粒中查找到的相邻抽检晶粒的数据处于所述预设卡控范围内停止,并将所述相邻抽检晶粒之前的未检测晶粒的数据放弃赋值;其中,所述当前抽检晶粒的数据不处于所述预设卡控范围内。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:王倩王晓明赵晓明董国庆文国昇金从龙
申请(专利权)人:江西兆驰半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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