本申请实施例提出了一种雪崩二极管APD接收机中APD的保护电路,包括:第一保护电路和第二保护电路;所述第一保护电路串联连接在所述APD的电源电路的输出端与所述APD的正极之间;所述第一保护电路,用于对所述电源电路输出的电压信号进行分压,以降低所述APD的供电电压;所述第二保护电路串联连接在所述电源电路的输出端与接地端之间;所述第二保护电路,用于将所述电源电路输出的电流控制在预设电流值范围内,以降低流经所述APD的电流。以降低流经所述APD的电流。以降低流经所述APD的电流。
【技术实现步骤摘要】
一种雪崩二极管APD接收机中APD的保护电路
[0001]本申请涉及光通信技术,尤其涉及一种雪崩二极管(Avalanche PhotoDiode,APD)接收机中APD的保护电路。
技术介绍
[0002]相关技术中,通过在APD接收机的电源电路输出端与APD之间串联一个分压电阻,使得在APD输入的光功率越大的情况下,分压电阻上的分压越大,从而降低APD的实际供电电压。但分压电阻的选择比较困难,如果保护电阻选择过小则电阻分压有限,无法起到降低APD供电电压的作用,如果保护电阻选的过大,则会导致电阻分压过大,导致APD供电电压太小,从而影响模块的性能。
技术实现思路
[0003]本申请实施例期望提供一种APD接收机中APD的保护电路。
[0004]本申请实施例提供了一种APD接收机中APD的保护电路,包括:第一保护电路和第二保护电路;
[0005]所述第一保护电路的串联连接在所述APD接收机的电源电路的输出端与所述APD接收机的正极之间;所述第一保护电路,用于对所述电源电路输出的电压信号进行分压,以降低所述APD接收机的供电电压;
[0006]所述第二保护电路串联连接在所述电源电路的输出端与接地端之间;所述第二保护电路,用于将所述电源电路输出的电流控制在预设电流值范围内,以降低流经所述APD接收机的电流。
[0007]在一种实施方式中,第一保护电路至少包括第一电阻。
[0008]在一种实施方式中,所述第一电阻的阻值为第一预设阻值;第一预设阻值的所述第一电阻上的压降随着输入所述APD接收机的光功率的增大而增大。
[0009]在一种实施方式中,所述第二保护电路包括第二电阻。
[0010]在一种实施方式中,所述第二电阻的阻值为第二预设阻值;所述第二预设阻值是根据所述APD接收机中APD的最大电压和最大电流所确定的。
[0011]在一种实施方式中,所述第二保护电路的分压为70伏。
[0012]在一种实施方式中,所述预设电流值范围大于等于所述APD接收机中APD 的过载点功率对应的电流值,小于等于APD容许的最大电流值。
[0013]在本申请实施例中,通过第一保护电路对电源电路输出的电压信号进行分压,以降低所述APD接收机的供电电压;通过第二保护电路将电源电路输出的电流控制在预设电流值范围内,以降低流经所述APD接收机的电流。如此,在 APD接收到大光的情况下,APD上的电压和电流均在预设的范围内,能够实现对APD接收机的快速保护。
[0014]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,而非限制本申请。
附图说明
[0015]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,这些附图示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于说明本申请的技术方案。
[0016]图1a为相关技术中一种使用三极管的方式对APD接收机中APD进行保护的电路图;
[0017]图1b为相关技术中另一种使用三极管的方式对APD接收机中APD进行保护的电路图图;
[0018]图2为相关技术中直接采样电阻保护方式对APD接收机中APD进行保护的电路图;
[0019]图3为本申请实施例提供了一种雪崩二极管APD接收机中APD的保护电路组成机构示意图;
[0020]图4为本申请实施例提供的一种DC
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DC芯片的应用电路图;
[0021]图5a为本申请实施例提供的一种当输出电流超过限制电流DC
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DC芯片的输出电压的变化曲线示意图;
[0022]图5b为本申请实施例提供的另一种当输出电流超过限制电流DC
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DC芯片的输出电压的变化曲线示意图;
[0023]图6为本申请实施实例提供了一种使用芯片限流加串联分压电阻的保护电路图;
[0024]图7为本申请实施例提供的一种APD接收器大光保护的实际过程示意图;
[0025]图8为本申请实施例提供的另一种APD接收器大光保护的实际过程示意图。
具体实施方式
[0026]以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所提供的实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。另外,以下所提供的实施例是用于实施本申请的部分实施例,而非提供实施本申请的全部实施例,在不冲突的情况下,本申请实施例记载的技术方案可以任意组合的方式实施。
[0027]需要说明的是,在本申请实施例中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的方法或者装置不仅包括所明确记载的要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为实施方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个......”限定的要素,并不排除在包括该要素的方法或者装置中还存在另外的相关要素(例如方法中的步骤或者装置中的单元,例如的单元可以是部分电路、部分处理器、部分程序或软件等等)。
[0028]本文中术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,U和/或W,可以表示:单独存在U,同时存在U和W,单独存在W这三种情况。另外,本文中术语“至少一种”表示多种中的任意一种或多种中的至少两种的任意组合,例如,包括U、W、V中的至少一种,可以表示包括从U、W和V构成的集合中选择的任意一个或多个元素。
[0029]在高速领域,用四电平脉冲幅度调制(4
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Level Pulse Amplitude Modulation, PAM4)编码调制技术提高光模块传输速率是目前大幅提高光模块传输速率,突破40G(吉)速率瓶颈的最好手段。基于PAM4调制的高速光模块,由于采用比非归零码(Not Return to Zero,NRZ)(两电平脉冲幅度调制2
‑
Level PulseAmplitude Modulation,PAM2)更高阶的调制技术,在发端可以减少所需激光器的数量,在接收端,相应可以减少所需接收机的数量。PAM4调制使光模块中光器件数减少,可以带来光模块组装成本降低、功耗减少以及封装
尺寸减小的优点。
[0030]目前市面上使用的PAM4模块使用P型半导体
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杂质
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N型半导体 (Positive_Instrinsic_Negative,PIN)方案的模块和APD方案的模块一般是同一个封装,并且通常用在同一个设备中,最容易出现在实际的应用中,操作人员直接不经过任何衰减直接对接被测光模块,PIN接收机应为过载点本身就很高再加上供电电压低,所以一般不会有影响,但是对于APD接收机,在大光对接的瞬间由于倍增效益将产生较大的光生电流,在几十伏的高压作用下通常几个mA的电流就容易造成APD管芯的损坏,APD大光下损毁的成因可以总结为瞬时过度的能量冲击,这种冲击包括过压或过流,所以使用APD接收机的模块一般都需要设计大光保护电路,大光的保本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种雪崩二极管APD接收机中APD的保护电路,其特征在于,包括:第一保护电路和第二保护电路;所述第一保护电路串联连接在所述APD的电源电路的输出端与所述APD的正极之间;所述第一保护电路,用于对所述电源电路输出的电压信号进行分压,以降低所述APD的供电电压;所述第二保护电路串联连接在所述电源电路的输出端与接地端之间;所述第二保护电路,用于将所述电源电路输出的电流控制在预设电流值范围内,以降低流经所述APD的电流。2.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述第一保护电路至少包括第一电阻。3.根据权利要求2所述的保护电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值...
【专利技术属性】
技术研发人员:付玉婷,叶杨威,肖蠡虎,郑勇志,
申请(专利权)人:武汉光迅科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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