本公开提供一种半导体存储模块、装置和存储器系统，半导体存储模块包括设置有多个存储芯片的基体和设置于基体第一侧的第一连接部，以及设置于基体第二侧的第二连接部，第一连接部上设置第一导电结构，第二连接部上设置第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构与多个存储芯片电连接，形成第一信号通路。本公开中，两个半导体存储模块之间可通过第一连接部和第二连接部进行连接，由于第一连接部和第二连接部上均设置有导电结构，且均与半导体存储模块上的存储芯片电连接，从而在半导体存储模块连接在一起时，不同半导体存储模块的第一信号通路之间形成电连接，通过第一连接部和第二连接部即可实现内存容量的扩展，扩展方式简单，易于实现。易于实现。易于实现。
【技术实现步骤摘要】
半导体存储模块、装置及存储器系统
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体存储模块、装置及存储器系统。
技术介绍
[0002]半导体存储器是指利用半导体(例如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等)进行实作的存储器装置。动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)体积小、集成度高、功耗低，同时速度比只读存储器(ROM，Read Only Memory)快，可广泛应用于服务器、电脑等设备内存中。
[0003]扩展内存容量是提升系统的性能和稳定性的有效方法，然而，现有的扩展内存的方式存在实现难度大、灵活度低等问题。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开第一方面提供一种半导体存储模块，所述半导体存储模块包括：
[0006]基体；
[0007]多个存储芯片，设置于所述基体上；
[0008]第一连接部，设置于所述基体的第一侧，所述第一连接部上设置有第一导电结构；
[0009]第二连接部，设置于所述基体的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述第二连接部上设置有第二导电结构；
[0010]其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构均与所述多个存储芯片电连接，以形成用于传输第一信号的第一信号通路。
[0011]根据本公开的一些实施例，所述基体包括板部以及与所述板部的第一侧边相连的插槽；
[0012]所述插槽包括槽底壁和槽侧壁，所述槽底壁与所述第一侧边相连，所述插槽的开口朝向背离所述板部的方向；
[0013]所述板部包括芯片设置区和导电结构设置区，所述芯片设置区位于所述插槽和所述导电结构设置区之间，所述多个存储芯片设置于所述芯片设置区，所述第二导电结构设置于所述导电结构设置区；
[0014]所述插槽构成所述第一连接部，位于所述导电结构设置区的所述板部构成所述第二连接部。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述第一导电结构设置于所述槽侧壁的内表面上；
[0016]所述第二导电结构设置于位于所述导电结构设置区的所述板部的外侧面上。
[0017]根据本公开的一些实施例，所述槽侧壁上设置有第一卡接结构，位于所述导电结构设置区的所述板部上设置有第二卡接结构。
[0018]根据本公开的一些实施例，所述第一卡接结构和所述第二卡接结构两者之一包括
卡接孔，所述第一卡接结构和所述第二卡接结构两者另一包括弹性卡接部。
[0019]根据本公开的一些实施例，所述卡接孔设置于所述槽侧壁上，所述弹性卡接部设置于所述板部上；
[0020]其中，所述弹性卡接部包括柱体以及与所述柱体的一端相连的半球体，所述板部上设置有安装孔，所述柱体的至少部分结构位于所述安装孔内，所述柱体上套设有弹性件，所述弹性件的一端抵靠于所述板部，所述弹性件的另一端抵靠于所述半球体。
[0021]根据本公开的一些实施例，沿第一方向，所述第一卡接结构设置于所述第一导电结构的两侧，所述第二卡接结构设置于所述第二导电结构的两侧，所述第一方向平行于所述第一侧边的延伸方向。
[0022]根据本公开的一些实施例，所述基体上设置有第一金属线层，所述第一金属线层连接所述第一导电结构和所述多个存储芯片；
[0023]所述基体上设置有第二金属线层，所述第二金属线层连接所述第二导电结构和所述多个存储芯片。
[0024]根据本公开的一些实施例，所述第一信号包括数据信号和数据选通脉冲信号；
[0025]所述半导体存储模块还包括用于向所述多个存储芯片传输第二信号的第二信号通路，所述第二信号包括时钟信号、命令和地址信号；
[0026]所述半导体存储模块还包括驱动单元，所述驱动单元用于在所述第一信号和/或第二信号传出所述半导体存储模块之前，对所述第一信号和/或第二信号进行增强。
[0027]根据本公开的一些实施例，所述半导体存储模块包括使能端口，所述第二信号包括芯片选择信号，所述使能端口用于当接收到的所述芯片选择信号为第一使能信号时将所述半导体存储模块开启，以及用于当接收到的所述芯片选择信号为第二使能信号时将所述半导体存储模块关闭。
[0028]本公开第二方面提供一种半导体存储装置，所述半导体存储装置包括多个如上所述的半导体存储模块，其中，相邻两个所述半导体存储模块中，其中一个所述半导体存储模块的第一连接部与另一个所述半导体存储模块的第二连接部连接，且其中一个所述半导体存储模块的第一导电结构与另一个所述半导体存储模块的第二导电结构相接触。
[0029]根据本公开的一些实施例，所述半导体存储装置包括至少一个堆叠结构，每个所述堆叠结构包括由下至上依次堆叠设置的多个所述半导体存储模块。
[0030]本公开第三方面，提供一种存储器系统，包括芯片控制器以及如上所述的半导体存储装置，所述芯片控制器被配置为向所述半导体存储装置发送芯片选择信号，以控制所述半导体存储装置中的各半导体存储模块的工作状态。
[0031]根据本公开的一些实施例，所述存储器系统还包括处理器，所述处理器被配置为根据所述存储器系统的负载信息向所述芯片控制器发送所述芯片选择信号。
[0032]根据本公开的一些实施例，所述芯片控制器内置于所述处理器中，所述处理器上设置有至少一个存储装置插槽，所述存储装置插槽内设置有第三导电结构，每个所述存储装置插槽对应一个半导体存储装置，所述半导体存储装置中位于一端的所述半导体存储模块的第二连接部插入所述存储装置插槽，且该第二连接部上的第二导电结构与所述存储装置插槽内的第三导电结构接触。
[0033]本公开实施例所提供的半导体存储模块中，通过在半导体存储模块的两侧分别设
置第一连接部和第二连接部，使得两个半导体存储模块之间可通过第一连接部和第二连接部进行连接，由于第一连接部和第二连接部上均设置有导电结构，且均与半导体存储模块上的存储芯片电连接，从而在半导体存储模块连接在一起时，不同半导体存储模块的第一信号通路之间形成电连接，通过第一连接部和第二连接部即可实现内存容量的扩展，扩展方式简单，易于实现。
[0034]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0035]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1是根据一示例性实施例示出的一种半导体存储装置的结构示意图；
[0037]图2是根据一示例性实施例示出的一种半导体存储模块的结构示意图；
[0038]图3是根据一示例性实施例示出的一种半导体存储装置的局部剖本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储模块，其特征在于，所述半导体存储模块包括：基体；多个存储芯片，设置于所述基体上；第一连接部，设置于所述基体的第一侧，所述第一连接部上设置有第一导电结构；第二连接部，设置于所述基体的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对，所述第二连接部上设置有第二导电结构；其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构均与所述多个存储芯片电连接，以形成用于传输第一信号的第一信号通路。2.根据权利要求1所述的半导体存储模块，其特征在于，所述基体包括板部以及与所述板部的第一侧边相连的插槽；所述插槽包括槽底壁和槽侧壁，所述槽底壁与所述第一侧边相连，所述插槽的开口朝向背离所述板部的方向；所述板部包括芯片设置区和导电结构设置区，所述芯片设置区位于所述插槽和所述导电结构设置区之间，所述多个存储芯片设置于所述芯片设置区，所述第二导电结构设置于所述导电结构设置区；所述插槽构成所述第一连接部，位于所述导电结构设置区的所述板部构成所述第二连接部。3.根据权利要求2所述的半导体存储模块，其特征在于，所述第一导电结构设置于所述槽侧壁的内表面上；所述第二导电结构设置于位于所述导电结构设置区的所述板部的外侧面上。4.根据权利要求2所述的半导体存储模块，其特征在于，所述槽侧壁上设置有第一卡接结构，位于所述导电结构设置区的所述板部上设置有第二卡接结构。5.根据权利要求4所述的半导体存储模块，其特征在于，所述第一卡接结构和所述第二卡接结构两者之一包括卡接孔，所述第一卡接结构和所述第二卡接结构两者另一包括弹性卡接部。6.根据权利要求5所述的半导体存储模块，其特征在于，所述卡接孔设置于所述槽侧壁上，所述弹性卡接部设置于所述板部上；其中，所述弹性卡接部包括柱体以及与所述柱体的一端相连的半球体，所述板部上设置有安装孔，所述柱体的至少部分结构位于所述安装孔内，所述柱体上套设有弹性件，所述弹性件的一端抵靠于所述板部，所述弹性件的另一端抵靠于所述半球体。7.根据权利要求4所述的半导体存储模块，其特征在于，沿第一方向，所述第一卡接结构设置于所述第一导电结构的两侧，所述第二卡接结构设置于所述第二导电结构的两侧，所述第一方向平行于所述第一侧边的延伸方向。8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体存储模块，其特征在于，所述基体上设置有第一金属线层，所述第一金属线层连接所述第一导电结构和所述多个存储芯片；...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡政，郭恒飞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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