半导体激光装置的检查方法是将集成半导体激光器(1)、被输入该半导体激光器的输出的电场吸收型调制器(2)、以及检测半导体激光器所输出的激光的一部分的激光强度的光检测器(4)而成的半导体激光装置作为检查对象，具备：取得横模光输出特性的步骤(ST1)，该横模光输出特性是半导体激光器的注入电流与光检测器(4)的输出的关系；一边对电场吸收型调制器(2)施加反向偏置电压，一边取得总光输出特性的步骤(ST3)，该总光输出特性是半导体激光器(1)的注入电流与电场吸收型调制器(2)所输出的光电流的关系；以及比较总光输出特性和横模光输出特性来判定检查对象的半导体激光装置(100)是否为横模异常的步骤(ST4)。否为横模异常的步骤(ST4)。否为横模异常的步骤(ST4)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置的检查方法、以及半导体激光装置的检查装置
[0001]本申请涉及半导体激光装置的检查方法以及半导体激光装置的检查装置。
技术介绍
[0002]作为光通信中的信号发送光源，使用能够响应高速的电信号的半导体激光装置。半导体激光装置输出根据所接收的电信号进行了强度调制的激光。该激光经由聚光透镜被导入于光纤，并通过光纤发送光信号。为了保持光信号的质量，在光通信领域中通常使用单模光纤。因此，为了得到与单模光纤之间的高的光耦合，而提供给半导体激光装置的半导体激光器也被设计成输出的激光为单模。
[0003]半导体激光器因其制造偏差，有时由于增大注入电流(Iop)而产生被称为翘曲(kink)的振荡模式的紊乱。例如，在具有增益导波型的导波构造的半导体激光器的情况下，由于在横向上不存在限制光的折射率差，所以横模容易变得不稳定。在这样的构造的半导体激光器中，若增大Iop，则载流子的消耗激烈的发光区域附近的增益分布破坏，导致横模的多模化。即使在低电流驱动时为单模，在高电流驱动时也会成为具有多个峰值的多模。若从单模向多模变动，则激光束的FFP(Far Field Pattern)发生变动。若在实际使用范围内的Iop下FFP发生变动，则导致半导体激光装置的输出与单模光纤的光耦合效率的变动，光信号的质量下降。因此，在内置有半导体激光器的半导体激光装置的制造工序中，优选在基于晶片工序进行的半导体激光装置的制造完成后，立即实施对横模的质量进行确认的检查，并将横模异常的半导体激光装置，在向半导体封装进行组装的装配工序的前阶段作为不合格品预先进行去除。由此，能够削减在装配工序或之后的测试工序中可能产生的部件费用以及加工费的浪费。
[0004]作为去除这样的横模异常的半导体激光器的手段，在专利文献1中公开有如下方法：以接收扩散的半导体激光器的出射光的一部分的方式配置光检测器，测定光输出的Iop依赖性(P
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I曲线)，由此检测横模的变动。由于光检测器仅接收半导体激光器所射出的扩散光的一部分，所以在测定横模稳定的半导体激光器的情况下得到线形的P
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I曲线，但在测定横模不稳定的半导体激光器的情况下，由于光检测器所接收的光在全部出射光中所占的比例变动，所以成为非线形的P
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I曲线，能够检测FFP的变动。
[0005]专利文献1：日本特开平10
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284780号公报
[0006]在专利文献1所公开的判别横模不稳定且异常的半导体激光器的方法中，作为检查装置，需要配置成接收半导体激光器的出射光的一部分的光检测器。因此，需要将检查对象的半导体激光装置配置在与光检测器成为一定关系的位置，检查的顺序变得繁琐。另外，根据半导体激光器，即使横模保持单模不变，光输出的Iop依赖性也不会完全成为线形，仅通过扩散光的一部分的P
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I曲线，无法高精度地判定横模异常的半导体激光装置。
技术实现思路
[0007]本申请公开了用于解决上述问题点的技术，目的在于提供一种能够对横模异常的半导体激光装置高精度地进行判定的半导体激光装置的检查方法以及半导体激光装置的检查装置。
[0008]本申请所公开的半导体激光装置的检查方法，将集成半导体激光器、电场吸收型调制器、以及光检测器而成的半导体激光装置作为检查对象，电场吸收型调制器被输入半导体激光器的输出，光检测器检测述半导体激光器所输出的激光的一部分的激光强度，该半导体激光装置的检查方法具备如下步骤：取得横模光输出特性的步骤，该横模光输出特性是半导体激光器的注入电流与光检测器的输出的关系；一边对电场吸收型调制器施加反向偏置电压，一边取得总光输出特性的步骤，该总光输出特性是半导体激光器的注入电流与电场吸收型调制器所输出的光电流的关系；以及比较总光输出特性和横模光输出特性，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常的步骤。
[0009]本申请所公开的半导体激光装置的检查装置，将集成半导体激光器、电场吸收型调制器、以及光检测器而成的半导体激光装置作为检查对象，电场吸收型调制器被输入半导体激光器的输出，光检测器检测半导体激光器所输出的激光的一部分的激光强度，该半导体激光装置的检查装置具备：半导体激光器电源，向半导体激光器供给注入电流；电场吸收型调制器电源，向电场吸收型调制器供给反向偏置电压；光检测器电源，向光检测器供给反向偏置电压；以及检查控制器，构成为控制半导体激光器电源、电场吸收型调制器电源、以及光检测器电源，取得作为半导体激光器的注入电流与光检测器的输出的关系的横模光输出特性、以及作为半导体激光器的注入电流与电场吸收型调制器所输出的光电流的关系的总光输出特性，并比较总光输出特性和横模光输出特性，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常。
[0010]本申请所公开的半导体激光装置的第二检查方法，将集成半导体激光器和电场吸收型调制器而成的半导体激光装置作为检查对象，电场吸收型调制器被输入半导体激光器的输出，该半导体激光装置的第二检查方法具备如下步骤：取得横模光输出特性的步骤，该横模光输出特性是半导体激光器的注入电流、与对检查对象的半导体激光装置所输出的激光的一部分的激光强度进行检测的光检测器的输出的关系；一边对电场吸收型调制器施加反向偏置电压，一边取得总光输出特性的步骤，该总光输出特性是半导体激光器的注入电流与电场吸收型调制器所输出的光电流的关系；以及比较总光输出特性和横模光输出特性，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常。
[0011]本申请所公开的半导体激光装置的第三检查方法，将具备半导体激光器的半导体激光装置作为检查对象，该半导体激光装置的第三检查方法具备如下步骤：取得横模光输出特性的步骤，该横模光输出特性是半导体激光器的注入电流、与对检查对象的半导体激光装置所输出的激光的一部分的激光强度进行检测的光检测器的输出的关系；取得总光输出特性的步骤，该总光输出特性是半导体激光器的注入电流、与对检查对象的半导体激光装置所输出的激光的全部的激光强度进行检测的光检测器的输出的关系；以及比较总光输出特性和横模光输出特性，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常的步骤。
[0012]根据本申请，具有能够提供对横模发生变动的半导体激光装置高精度地进行判定的半导体激光装置的检查方法以及半导体激光装置的检查装置的效果。
附图说明
[0013]图1是表示实施方式1的半导体激光装置的检查装置、和作为检查对象的半导体激光装置的结构的示意图。
[0014]图2是表示实施方式1的激光装置的检查装置的检查对象即半导体激光装置的俯视图。
[0015]图3是表示横模正常的半导体激光装置的激光的放射角特性的图。
[0016]图4是表示横模异常的半导体激光装置的激光的放射角特性的图。
[0017]图5是表示横模正常的半导体激光装置的激光的总光输出特性以及横模输出特性的图。
[0018]图6是表示横模异常的半导体激光装置的激光的总光输出特性以及横模输出特性的图。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光装置的检查方法，将集成半导体激光器、电场吸收型调制器、以及光检测器而成的半导体激光装置作为检查对象，所述电场吸收型调制器被输入所述半导体激光器的输出，所述光检测器检测所述半导体激光器所输出的激光的一部分的激光强度，其特征在于，所述半导体激光装置的检查方法具备如下步骤：取得横模光输出特性的步骤，该横模光输出特性是所述半导体激光器的注入电流与所述光检测器的输出的关系；一边对所述电场吸收型调制器施加反向偏置电压，一边取得总光输出特性的步骤，该总光输出特性是所述半导体激光器的注入电流与所述电场吸收型调制器所输出的光电流的关系；以及，比较所述总光输出特性和所述横模光输出特性，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常的步骤。2.根据权利要求1所述的半导体激光装置的检查方法，其特征在于，作为检查对象的所述半导体激光装置在所述半导体激光装置的前端面具有窗结构，所述光检测器配置在接收在所述窗结构内扩散的激光的一部分的位置。3.根据权利要求1所述的半导体激光装置的检查方法，其特征在于，作为检查对象的所述半导体激光装置在所述半导体激光装置的后端面侧具有窗结构，所述光检测器配置在接收在所述窗结构内扩散的激光的一部分的位置。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置的检查方法，其特征在于，比较所述横模光输出特性的特性曲线的极值的数量、和所述总光输出特性的特性曲线的极值的数量，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常。5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置的检查方法，其特征在于，比较所述横模光输出特性的特性曲线的极值的位置、和所述总光输出特性的特性曲线的极值的位置，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常。6.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光装置的检查方法，其特征在于，求出所述横模光输出特性的特性曲线的微分值、与所述总光输出特性的特性曲线的微分值之积，来判定检查对象的半导体激光装置是否为横模异常。7.一种半导体激光装置的检查装置，将集成半导体激光器、电场吸收型调制器、以及光检测器而成的半导体激光装置作为检查对象，所述电场吸收型调制器被输入所述半导体激光器的输出，所述光检测器检测所述半导体激光器所输出的激光的一部分的激光强度，其特征在于，所述半导体激光装置的检查装置具备：半导体激光器电源，向所述半导体激光器供给注入电流；电场吸收型调制器电源，向所述电场吸收型调制器供给反向偏置电压；光检测器电源，向所述光检测器供给反向偏置电压；以及检查控制器，构成为控制所述半导体激光器电源、所述电场吸收型调制器...
【专利技术属性】
技术研发人员：白崎昭生，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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