一种釉料、瓷砖及瓷砖制备方法技术

本发明专利技术公开了一种釉料、瓷砖及瓷砖制备方法，所述釉料为无锆釉料，按质量百分比计，所述釉料包括：气刀土7～15%、第一熔块20～30%、第二熔块55～72%；所述第一熔块为低温熔块，按质量百分比计，所述第一熔块中B2O3的含量≥1.7%；按质量百分比计，所述第二熔块含有15～20%的CaO和7～12%的TiO2。所述釉料未添加硅酸锆，因此具有较低成本，通过采用含B2O3较高的熔块及含CaO和TiO2较高的熔块组合使用，可降低釉料的烧成温度，不但能降低能耗，并在低温烧制过程中可析出大量的钛榍石晶体，达到在不含锆的情况下，保证釉面的白度。同时，较低的烧成温度，可保证釉层具有较高的烧结程度，进而陶瓷砖的不透水性能达到要求。陶瓷砖的不透水性能达到要求。陶瓷砖的不透水性能达到要求。

【技术实现步骤摘要】
一种釉料、瓷砖及瓷砖制备方法


[0001]本专利技术涉及陶瓷
，特别涉及一种釉料、应用该釉料的瓷砖及瓷砖制备方法。

技术介绍

[0002]硅酸锆因具有良好的乳浊性，添加有硅酸锆的釉料（通常底釉中硅酸锆的添加量为4%以上），可增加釉面白度，因此，硅酸锆作为乳浊剂广泛应用于建筑陶瓷，达到增加产品白度的效果。然而，随着硅酸锆的涨价，导致底釉成本升高，进而缩小产品利润空间，使得产品竞争力下降。
[0003]可见，现有技术还有待改进和提高。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种釉料、瓷砖及瓷砖制备方法，旨在解决现有技术中含锆釉料成本高的缺陷。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种釉料，其中，所述釉料为无锆釉料，按质量百分比计，所述釉料包括：气刀土7～15%、第一熔块20～30%、第二熔块55～72%；所述第一熔块为低温熔块，按质量百分比计，所述第一熔块中B2O3的含量≥1.7%；按质量百分比计，所述第二熔块含有15～20%的CaO和7～12%的TiO2。
[0006]所述釉料中，所述第一熔块的化学成分按质量百分比计包括：SiO
2 58～69%、TiO
2 7～9%、Al2O
3 3.5～4%、Fe2O
3 0.1～0.15%、MgO 1.86～2.2%、CaO 14～20%、Na2O 0.5～0.8%、K2O 1.7～2.5%、P2O
5 0.5～1%、ZnO 0～0.1%、B2O
3 1.7～2.2%，灼减≤0.35%。
[0007]所述釉料中，所述第二熔块的膨胀系数为7～8
×
10
‑6/℃。
[0008]所述釉料中，所述第二熔块的化学成分按质量百分比计包括：SiO
2 53～64%、TiO
2 7～8.5%、Al2O
3 6～8%、Fe2O
3 0.1～0.15%、MgO 3.2～4%、CaO 15～20%、Na2O 1.4～1.8%、K2O 2～2.5%、P2O
5 0.5～1%、ZnO 0.05～0.1%，灼减≤0.95%。
[0009]一种瓷砖，包括坯体、依次设置于坯体上的底釉层和面釉层，其中，所述底釉层采用如上所述的釉料制备得到；所述面釉层由面釉层釉料制备得到，所述面釉层釉料按质量百分比计包括：气刀土3～9%、第三熔块26～42%、第四熔块15～25%、第五熔块34～46%。
[0010]所述瓷砖中，所述第三熔块按质量百分比计包括：SiO
2 54～61%、Al2O
3 5～6%、Fe2O
3 0.05～0.15%、MgO 2.7～3.3%、CaO 9.5～11%、K2O 4.3～4.8%、P2O
5 0.15～0.23%、ZrO
2 2.0～2.4%、HfO
2 0～0.08%、BaO 0.6～0.8%、ZnO 8.0～9.5%、B2O
3 6.5～7.5%，灼减≤0.7%。
[0011]所述瓷砖中，所述第四熔块按质量百分比计包括：SiO
2 57～66%、Al2O
3 3.5～5.0%、Fe2O
3 0.05～0.15%、MgO 3～4%、CaO 8.5～10.5%、K2O 3.5～5.0%、P2O
5 0.1～0.2%、ZrO
2 1.5～2.2%、HfO
2 0～0.07%、BaO 0.3～0.6%、ZnO 6.5～7.5%、B2O
3 6.5～7.5%，灼减≤
0.6%。
[0012]所述瓷砖中，所述第五熔块按质量百分比计包括：SiO
2 58～64%、Al2O
3 4～5%、Fe2O
3 0.05～0.15%、MgO 3～3.5%、CaO 9.2～10.3%、Na2O 0.01～0.12%、K2O 4.5～5.0%、P2O
5 0.1～0.15%、ZrO
2 1.3～1.8%、HfO
2 0～0.05%、BaO 0.5～1.0%、ZnO 6.5～7.0%、B2O
3 6.8～7.5%，灼减≤0.5%。
[0013]一种瓷砖制备方法，所述瓷砖为如上所述的瓷砖，其中，所述制备方法包括步骤：制坯、干燥、淋底釉、淋面釉、烧成、磨边，所述烧成步骤中烧成温度为1140～1160℃。
[0014]有益效果：本专利技术提供了一种釉料，所述釉料未添加硅酸锆，因此具有较低成本，通过采用含B2O3较高的熔块及含CaO和TiO2较高的熔块组合使用，可降低釉料的烧成温度，不但能降低能耗，并在低温烧制过程中可析出大量的钛榍石晶体，达到在不含锆的情况下，保证釉面的白度。同时，较低的烧成温度，可保证釉层具有较高的烧结程度，进而陶瓷砖的不透水性能达到要求。
[0015]本专利技术还提供了一种瓷砖，所述瓷砖采用本专利技术所述不含锆的釉料作为底釉釉料，而所述瓷砖的面釉层以低温熔块和气刀土作为原料，具有较低的烧成温度、较好的高温流动性、良好的釉面光泽度，能与底釉层共同作用，提高釉面平整度，避免因烧成温度降低导致的釉面平整度无法达标，提高产品质量。
[0016]本专利技术还提供一种瓷砖制备方法，所述制备方法采用较低的烧成温度，能使底釉层析出较多高折射率的钛榍石晶体，提高瓷砖白度和降低瓷砖成本。
附图说明
[0017]图1为对比例1和对比例5的XRD图。
[0018]图2为对比例2和对比例6的XRD图。
具体实施方式
[0019]本专利技术提供一种釉料、瓷砖及瓷砖制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0020]本专利技术提供一种釉料，所述釉料中未添加锆元素，为无锆釉料，因此成本较低。所述釉料由气刀土和第一熔块及第二熔块制备得到，所述第一熔块为始熔点较低的熔块，其B2O3的含量≥1.7wt%，因此可降低釉料的烧成温度，扩大烧成温度的范围，提高烧结的程度；所述第二熔块含有15～20wt%的CaO和7～12wt%的TiO
2 ，因此，可在降低烧成温度的条件下，生成较多钛榍石晶体，进而使烧成后的釉面具有较高的白度，达到在不添加硅酸锆，降低成本的同时，使釉料满足白度的要求。
[0021]具体的，按质量百分比计，所述釉料包括：气刀土7～15%、第一熔块20～30%、第二熔块55～72%。其中，所述气刀土主要用作分散剂、悬浮剂，可提高第一熔块、第二熔块在釉浆中的分散性，避免熔块沉积导致釉浆成分不均匀的情况出现，提高釉浆的稳定性，进而提高产品质量。所述第一熔块、第二熔块为由不同成分配比的钾长石、钠长石、方解石、白云石、磷钙粉、钛白粉、石英砂，通过高温熔融并经水淬后制备得到，具有较低的烧失量，在烧
成时气泡生成少，可提高瓷砖不透水性能。并且，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种釉料，其特征在于，所述釉料为无锆釉料，按质量百分比计，所述釉料包括：气刀土7～15%、第一熔块20～30%、第二熔块55～72%；所述第一熔块为低温熔块，按质量百分比计，所述第一熔块中B2O3的含量≥1.7%；按质量百分比计，所述第二熔块含有15～20%的CaO和7～12%的TiO2。2.根据权利要求1所述的釉料，其特征在于，所述第一熔块的化学成分按质量百分比计包括：SiO
2 58～69%、TiO
2 7～9%、Al2O
3 3.5～4%、Fe2O
3 0.1～0.15%、MgO 1.86～2.2%、CaO 14～20%、Na2O 0.5～0.8%、K2O 1.7～2.5%、P2O
5 0.5～1%、ZnO 0～0.1%、B2O
3 1.7～2.2%，灼减≤0.35%。3.根据权利要求1所述的釉料，其特征在于，所述第二熔块的膨胀系数为7～8
×
10
‑6/℃。4.根据权利要求3所述的釉料，其特征在于，所述第二熔块的化学成分按质量百分比计包括：SiO
2 53～64%、TiO
2 7～8.5%、Al2O
3 6～8%、Fe2O
3 0.1～0.15%、MgO 3.2～4%、CaO 15～20%、Na2O 1.4～1.8%、K2O 2～2.5%、P2O
5 0.5～1%、ZnO 0.05～0.1%，灼减≤0.95%。5.一种瓷砖，包括坯体、依次设置于坯体上的底釉层和面釉层，其特征在于，所述底釉层采用如权利要求1
‑
4任一项所述的釉料制备得到；所述面釉层由面釉层釉料制备得到，所述面釉层釉料按质量百分比计包括：气刀土3～9%、第三熔块26～42%、第四熔块15～25%、第五熔块34～46%。6.根据权利要求5所述的瓷砖，其特征在于，所述第三熔块按质量百分比计包括：SiO

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建东，应兆军，黄知龙，简润桐，洪卫，邓伟国，
申请(专利权)人：佛山市三水新明珠建陶工业有限公司广东萨米特陶瓷有限公司江西新明珠建材有限公司湖北新明珠绿色建材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：