可控硅电路制造技术

本实用新型专利技术公开了可控硅电路，包括用于控制电路的MCU芯片U1、用于触发控制可控硅的导通的过零检测电路、用于功率高低切换的控制电路，所述MCU芯片U1的RELAY端口、BAT端口与控制电路电性连接，所述控制电路包括高功率控制电路和可控硅控制电路，可以由高功率控制电路切换为可控硅控制电路对负载进行功率控制，从而能够便于负载在不同场景的应用。能够便于负载在不同场景的应用。能够便于负载在不同场景的应用。

【技术实现步骤摘要】
可控硅电路


[0001]本技术涉及功率驱动电路
，具体为可控硅电路。

技术介绍

[0002]现有的可控硅电路，常采用MC3081等驱动芯片来控制可控硅的通断。其存在以下缺陷：
[0003]可控硅电路不能够根据实际工作所需，对负载功率进行自由切换，从而使得负载在不同的引用场景中进行自由切换。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供可控硅电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]可控硅电路，包括用于控制电路的MCU芯片U1、用于触发控制可控硅的导通的过零检测电路、用于功率高低切换的控制电路，所述MCU芯片U1的RELAY端口、BAT端口与控制电路电性连接，所述控制电路包括高功率控制电路和可控硅控制电路；
[0007]所述高功率控制电路包括继电器RELAY1，所述继电器RELAY1的线圈一端接入+12V电源并和二极管D2的一端连接，所述二极管D2的另一端与继电器RELAY1的线圈另一端共接于三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极与电阻R9、电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端和三极管Q1的发射极公共接地，所述电阻R9的另一端与MCU芯片U1的RELAY端口通过导线电性连接；
[0008]所述可控硅控制电路包括可控硅BT1，所述可控硅BT1的阳极分别与电阻R6、电阻R7的一端连接，所述电阻R7的一端与继电器RELAY1的开关一端连接，且与过零检测电路的ACL端连接，所述电阻R6的另一端与光电耦合器IC3控制端的一端连接，所述光电耦合器IC3控制端的另一端与可控硅BT1的触发极连接，所述可控硅BT1的触发极与阴极之间接入有电阻R8，所述电阻R7的另一端与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端分别与HEAT_L端口以及可控硅BT1的阴极连接；
[0009]所述光电耦合器IC3接收端的一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接入+5V电源，所述光电耦合器IC3接收端的另一端与MCU芯片U1的BAT端口连接。
[0010]优选的，所述过零检测电路与ACN端与HEAT_N端口电性连接，所述过零检测电路的ACL端的市电经过HEAT_L端口再到HEAT_N端口，形成回路，所述MCU芯片U1的RA1/SDO端与过零检测电路的ZERO端电性连接。
[0011]优选的，所述过零检测电路包括光电耦合器U2，所述光电耦合器U2的发光二极管的一端为ACN端，ACN端接入市电，且ACN端与二极管D1、光电耦合器U2、电阻R2、电阻R1共同构成回路，所述光电耦合器U2的光电三极管的一端分别与电阻R3、电阻R4的一端连接，所述电阻R3的另一端接入+5V电源，电阻R4的另一端与MCU芯片U1的RA1/SDO端以及电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与光电耦合器U2的光电三极管另一端公共接地。
[0012]优选的，所述MCU芯片U1采用CMS79FT623型号单片机。
[0013]优选的，所述光电耦合器U2采用PC817型号的光电耦合器。
[0014]优选的，所述光电耦合器IC3采用的型号为MOC3021。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0016]通过设计一种控制电路，其包括一个高功率控制电路和和低功率的可控硅控制电路，并通过MCU芯片U1配合零点检测电路对控制电路进行控制处理，使得当需要负载高功率工作时，直接通过高功率控制电路控制，而在需要对负载进行低功率运行时，可以由高功率控制电路切换为可控硅控制电路对负载进行功率控制，从而能够便于负载在不同场景的应用。
[0017]本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0018]图1为本技术的整体系统电路图；
[0019]图2为本技术过零检测电路图；
[0020]图3为本技术MCU芯片U1的电路图；
[0021]图4为本技术控制电路图。
具体实施方式
[0022]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0023]请参阅图1～4，本技术提供的实施例：可控硅电路，包括用于控制电路的MCU芯片U1、用于触发控制可控硅的导通的过零检测电路、用于功率高低切换的控制电路，所述MCU芯片U1的RELAY端口、BAT端口与控制电路电性连接，所述控制电路包括高功率控制电路和可控硅控制电路；
[0024]所述高功率控制电路包括继电器RELAY1，所述继电器RELAY1的线圈一端接入+12V电源并和二极管D2的一端连接，所述二极管D2的另一端与继电器RELAY1的线圈另一端共接于三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极与电阻R9、电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端和三极管Q1的发射极公共接地，所述电阻R9的另一端与MCU芯片U1的RELAY端口通过导线电性连接；
[0025]所述过零检测电路与ACN端与HEAT_N端口电性连接，所述过零检测电路的ACL端的市电经过HEAT_L端口再到HEAT_N端口，形成回路。
[0026]MCU芯片U1的RELAY端口对继电器RELAY输出高电平信号，三极管Q1完全导通，继电器RELAY1吸合，让ACL的市电到达HEAT_L再到HEAT_N，形成回路，可以使得例如接入的加热器以100％功率进行加热。
[0027]所述可控硅控制电路包括可控硅BT1，所述可控硅BT1的阳极分别与电阻R6、电阻
R7的一端连接，所述电阻R7的一端与继电器RELAY1的开关一端连接，且与过零检测电路的ACL端连接，所述电阻R6的另一端与光电耦合器IC3控制端的一端连接，所述光电耦合器IC3控制端的另一端与可控硅BT1的触发极连接，所述可控硅BT1的触发极与阴极之间接入有电阻R8，所述电阻R7的另一端与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端分别与HEAT_L端口以及可控硅BT1的阴极连接；
[0028]所述光电耦合器IC3接收端的一端与电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接入+5V电源，所述光电耦合器IC3接收端的另一端与MCU芯片U1的BAT端口连接，
[0029]MCU芯片U1的BAT端口输出低电平信号，使得可控硅BT1通过过零检测电路产的市电50HZ斩波调试功率(此时继电器断开)从而交替工作。
[0030]所述MCU芯片U1的RA1/SDO端与过零检测电路的ZERO端电性连接，所述过零检测电路包括光电耦合器U2，所述光电耦合器U2的发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可控硅电路，其特征在于，包括用于控制电路的MCU芯片U1、用于触发控制可控硅的导通的过零检测电路、用于功率高低切换的控制电路，所述MCU芯片U1的RELAY端口、BAT端口与控制电路电性连接，所述控制电路包括高功率控制电路和可控硅控制电路；所述高功率控制电路包括继电器RELAY1，所述继电器RELAY1的线圈一端接入+12V电源并和二极管D2的一端连接，所述二极管D2的另一端与继电器RELAY1的线圈另一端共接于三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极与电阻R9、电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端和三极管Q1的发射极公共接地，所述电阻R9的另一端与MCU芯片U1的RELAY端口通过导线电性连接；所述可控硅控制电路包括可控硅BT1，所述可控硅BT1的阳极分别与电阻R6、电阻R7的一端连接，所述电阻R7的一端与继电器RELAY1的开关一端连接，且与过零检测电路的ACL端连接，所述电阻R6的另一端与光电耦合器IC3控制端的一端连接，所述光电耦合器IC3控制端的另一端与可控硅BT1的触发极连接，所述可控硅BT1的触发极与阴极之间接入有电阻R8，所述电阻R7的另一端与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端分别与HEAT_L端口以及可控硅BT1的阴极连接；所述光电耦合器IC3接收端的一端与电阻R5的一端连接，电阻R5...

【专利技术属性】
技术研发人员：严昭江，严俊绮，刘少平，
申请(专利权)人：佛山市圣图凝德智能控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：