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一种平面型任意多路功分器与合成器制造技术

技术编号:34470044 阅读:21 留言:0更新日期:2022-08-10 08:43
本发明专利技术公开了一种平面型任意多路功分器与合成器,包括:上介质板、与上介质板相贴设置的下介质板及设置于下介质板一端上的GND;上介质板上中间设置有于与下介质板连接的中心位置,中心位置设置有输入端口,上介质板的外周一圈均匀固接有输出端口,且上介质板围绕中心位置的一圈设置有多个上层金属层微带传输线,每个上层金属层微带传输线上开设有第一金属化通孔;下介质板的中心处设置有连接金属层,连接金属层上均匀开设有多个第二金属化通孔,围绕连接金属层周围一圈均匀设置有多个下层金属层微带传输线。根据本发明专利技术,能实现任意能实现任意路的功率分配和合成,在体积紧凑、易实现微波系统小型化的同时,有着出色的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种平面型任意多路功分器与合成器


[0001]本专利技术涉及微波元器件的
,特别涉及一种平面型任意多路功分器与合成器。

技术介绍

[0002]功分器/合成器全称功率分配器/合成器,其作用为将一路输入信号能量等分或者不等分为多路信号,可得到能量较低信号,同时,也可以逆过来使用,叫做功率合成器,将多路信号能量合成一路输出,可得到能量较大的信号。功分器在现代通信技术中有着非常重要的地位,是射频电路中不可或缺的组成部分,在天线阵列馈电系统和功率放大器中广泛使用。
[0003]目前,主要有威尔金森功分器和Gysel功分器,威尔金森结构简单,在发射前端模块应用广泛,但不能直接一分多路,如果需要多路公分,则需要多级级联,只能是2
n
路(n≥1),自由度低,而且在制作多路时,隔离电阻需要跨接,不易加工;Gysel功分器尽管可以直接一分多,但频带较窄,有着三维立体结构,体积较大,不易小型化。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的不足之处,本专利技术的目的是提供一种平面型任意多路功分器与合成器,能实现任意能实现任意路的功率分配和合成,在体积紧凑、易实现微波系统小型化的同时,有着出色的性能。为了实现根据本专利技术的上述目的和其他优点,提供了一种平面型任意多路功分器与合成器,包括:
[0005]上介质板、与上介质板相贴设置的下介质板及设置于下介质板一端上的GND;
[0006]上介质板上中间设置有于与下介质板连接的中心位置,中心位置设置有输入端口,上介质板的外周一圈均匀固接有输出端口,且上介质板围绕中心位置的一圈设置有多个上层金属层微带传输线,每个上层金属层微带传输线上开设有第一金属化通孔;
[0007]下介质板的中心处设置有连接金属层,连接金属层上均匀开设有多个第二金属化通孔,围绕连接金属层周围一圈均匀设置有多个下层金属层微带传输线,下介质板与下层金属层微带传输线相对的一端面上设置有金属焊盘,且下介质板的沿边缘一圈均匀设置有多个第二金属层。
[0008]进一步的,下层金属层微带传输线的一端组成环状电路传输线,另一端以金属层位中心呈蛇形向外发散,且下层金属层微带传输线组成环状电路传输线与连接金属层之间距离为0.3mm。
[0009]进一步的,下层金属层微带传输线呈蛇形向外发散的一端上开设有第三金属化通孔,每两个下层金属层微带传输线之间设置有第四金属化通孔,位于下介质板中心处设置有第五金属化通孔。
[0010]进一步的,下介质板一端面上设置有隔离电阻,且隔离电阻一端与下层金属层微带传输线相连,一端通过穿过下介质板的第四金属化通孔与功分器的GND相连。
[0011]进一步的,上层金属层微带传输线一端相交于上介质板的中心处,另一端等角度间隔烟花状向四周发散。
[0012]进一步的,上层金属层微带传输线包括第一段传输线及与所述第一段传输线固接的第二段传输线,且第一段传输线的直径小于第二段传输线的直径。
[0013]进一步的,上层金属层微带传输线的烟花状向四周发散端与上层金属层微带传输线的边缘对齐,烟花状向四周发散端与上层金属层微带传输线的边缘对齐之间的距离为0.3mm。
[0014]本专利技术与现有技术相比,其有益效果是:上下两层介质板和附着在所述上下两层介质板上的上下两层金属层微带传输线、焊接在所述下层金属层微带传输线和GND层之间的隔离接地电阻、连接所述上下两层金属层微带传输线的金属化通孔,附着在所述介质板上的下层金属层微带传输线围绕输入端口外导体并保持有一定距离构成环状电路,所述的平面型任意多路功分器/合成器,能实现任意路的功率分配和合成,在体积紧凑、易实现微波系统小型化的同时,有着出色的性能:合成/分配效率高、损耗小、工作带宽高、端口隔离度高,在通信
有着很大的应用前景。
附图说明
[0015]图1为根据本专利技术的平面型任意多路功分器与合成器的上介质板结构示意图;
[0016]图2为根据本专利技术的平面型任意多路功分器与合成器的下介质板结构示意图;
[0017]图3为根据本专利技术的平面型任意多路功分器与合成器的侧视图。
具体实施方式
[0018]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0019]参照图1

3,一种平面型任意多路功分器与合成器,包括:上介质板101、与上介质板101相贴设置的下介质板201及设置于下介质板201一端上的GND;上介质板101上中间设置有于与下介质板201连接的中心位置104,中心位置104设置有输入端口301,上介质板101的外周一圈均匀固接有输出端口105,且上介质板101围绕中心位置104的一圈设置有多个上层金属层微带传输线102,每个上层金属层微带传输线102上开设有第一金属化通孔103,所述第一金属化通孔103用于连接上层金属层微带传输线102与下层金属层微带传输线202;下介质板201的中心处设置有连接金属层206,连接金属层206上均匀开设有多个第二金属化通孔207,第二金属化通孔207用于穿过下介质板201连接金属层206和GND,围绕连接金属层206周围一圈均匀设置有多个下层金属层微带传输线202,下介质板201与下层金属层微带传输线202相对的一端面上设置有金属焊盘208,且下介质板201的沿边缘一圈均匀设置有多个第二金属层210,第二金属层210上设置有多个第六金属化通孔209,第六金属化通孔209用于穿过下介质板201连接GND和第二金属层210,其中输入端口301与输出端口105均设置有内导体与外导体,其中上层金属层微带传输线102与输入端口301内导体和输出端口105内导体相连,下层金属层微带传输线202围绕输入端口301外导体并保持距离构成环
状电路,输入端口301的外导体通过穿过下介质板201的金属化通孔与功分器的GND相连。
[0020]进一步的,下层金属层微带传输线202的一端组成环状电路传输线,另一端以金属层206位中心呈蛇形向外发散,且下层金属层微带传输线202组成环状电路传输线与连接金属层206之间距离为0.3mm。
[0021]进一步的,下层金属层微带传输线202呈蛇形向外发散的一端上开设有第三金属化通孔204,第三金属化通孔204用于穿过上介质板101与下介质板201连接上层金属层微带传输线102与下层金属层微带传输线202,每两个下层金属层微带传输线202之间设置有第四金属化通孔203,位于下介质板201中心处设置有第五金属化通孔205,第五金属化通孔205用于穿过上介质板101与下介质板201与上层金属层102连接。
[0022]进一步的,下介质板201一端面上设置有隔离电阻,隔离电阻位于下层金属层微带传输线202与GND之间,且隔离电阻一端与下层金属本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面型任意多路功分器与合成器,其特征在于,包括:上介质板(101)、与上介质板(101)相贴设置的下介质板(201)及设置于下介质板(201)一端上的GND;上介质板(101)上中间设置有与下介质板(201)连接的中心位置(104),中心位置(104)设置有输入端口(301),上介质板(101)的外周一圈均匀固接有输出端口(105),且上介质板(101)围绕中心位置(104)的一圈设置有多个上层金属层微带传输线(102),每个上层金属层微带传输线(102)上开设有第一金属化通孔(103);下介质板(201)的中心处设置有连接金属层(206),连接金属层(206)上均匀开设有多个第二金属化通孔(207),围绕连接金属层(206)周围一圈均匀设置有多个下层金属层微带传输线(202),下介质板(201)与下层金属层微带传输线(202)相对的一端面上设置有金属焊盘(208),且下介质板(201)的沿边缘一圈均匀设置有多个第二金属层(210)。2.如权利要求1所述的一种平面型任意多路功分器与合成器,其特征在于,下层金属层微带传输线(202)的一端组成环状电路传输线,另一端以金属层(206)为中心呈蛇形向外发散,且下层金属层微带传输线(202)组成环状电路传输线与连接金属层(206)之间距离为0.3mm。3.如权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员:扆梓轩李晨晨李美玲杨雪霞
申请(专利权)人:上海大学
类型:发明
国别省市:

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