一种硅晶片单面去PSG层方法技术

本申请涉及一种硅晶片单面去PSG层方法，包括上料步骤

【技术实现步骤摘要】
一种硅晶片单面去PSG层方法


[0001]本申请属于光伏硅片生产
，尤其是涉及一种硅晶片单面去PSG层方法。

技术介绍

[0002]太阳能电池硅晶片是一种半导体材料，其被用来制备太阳能电池片，太阳能电池硅晶片通常要经过清洗—制绒—扩散—刻蚀等工艺，在太阳能电池片经过扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG层，必须去除。
[0003]扩散原理：
[0004]POCl3在高温600℃下分解，产生P2O5和PCl5,然后2P2O5+5Si＝5SiO2+4P，这样生成的P就可以扩散到硅片里，实现P掺杂。在扩散中，通过通入足够的氧气使PCl5和氧气反应，生成P2O5和Cl2，从而避免产生的PCl5对硅片的不利影响。因此在实现P掺杂的同时，在硅片表面还会有二氧化硅和五氧化二磷，即所谓的PSG，PSG的存在会影响外观和电性能，同时，存在PSG层电池片容易受潮，导致电流下降，功率衰减；PSG层的存在容易导致pecvd的色差及SixNy的脱落。因此需要对太阳能电池硅晶片去除PSG层。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题是：为解决现有技术中的不足，从而提供一种硅晶片单面去PSG层方法。
[0006]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
[0007]一种硅晶片单面去PSG层方法，包括以下步骤：
[0008]S1：上料步骤，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；
[0009]S2：水膜形成步骤，在硅晶片的上表面喷淋形成保护水膜；
[0010]S3：工艺步骤，将硅晶片通过工艺段传输辊，所述工艺段传输辊的每个辊子具有上液槽，所述工艺段传输辊下方设置有工艺槽，工艺槽内设置有腐蚀液并且所述工艺段传输辊部分淹没于腐蚀液内，所述工艺段传输辊转动时工艺槽内的腐蚀液能够沿上液槽被带动到硅晶片的下表面；
[0011]S4：清洗步骤，对硅晶片进行清洗；
[0012]S5：风干步骤，使用具有一定温度的气体对晶圆表面进行风干；
[0013]S6：冷却步骤，使硅晶片在传输辊上运输一段距离，使硅晶片的温度降低；
[0014]S7：下料步骤，将硅晶片从传输辊上取下。
[0015]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，在S3工艺步骤中，在工艺段传输辊中间位置设有旋转机构，使硅晶片旋转90
°
。
[0016]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，所述旋转机构为若干竖直设置的辊，所述辊上设置有竖直方向的槽，槽的设置高度低于硅晶片的上表面。
[0017]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，所述上液槽为螺纹。
[0018]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，在S3工艺步骤中，利用螺纹形状的传
输方向使硅晶片在离开工艺段传输辊时与进入工艺段传输辊时相比旋转了90
°
。
[0019]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，在清洗步骤结束后，还包括阻水步骤，使用阻水辊压过硅晶片的上表面，以使硅晶片上表面的水分留下。
[0020]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，
[0021]工艺槽内腐蚀液的液面位于工艺段传输辊圆心到工艺段传输辊最高点处的1/2到2/3处。
[0022]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，
[0023]所述清洗步骤包括浸洗步骤和喷洗步骤。
[0024]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，
[0025]所述浸洗步骤中，使用位于硅晶片上方的刷辊对硅晶片上表面进行清洗，使硅晶片的下表面与浸洗槽内液面齐平；
[0026]所述喷洗步骤中，使用对准硅晶片上表面和下表面的喷管对硅晶片上表面和下表面进行喷淋。
[0027]优选地，本专利技术的硅晶片单面去PSG层方法，所述工艺步骤前端和后端的传输辊具有若干环状凸起，并在底部设置集液槽，所述工艺段传输辊为两个相互咬合的辊子为一组。
[0028]本专利技术的有益效果是：
[0029]1，本申请的硅晶片单面去PSG层方法，通过水膜保护上表面、将硅晶片下表面进行腐蚀去掉PSG层，之后再将硅晶片清洗干净，再经过风干、冷却完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的优点。
[0030]2，工艺段传输辊为两个相互咬合的辊子为一组时，通过咬合的辊子方便上液槽进行排液和上液。
附图说明
[0031]下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。
[0032]图1是本申请实施例的硅晶片单面去PSG层方法的流程图；
[0033]图2是本申请实施例的传输辊的结构图；
[0034]文中的附图标记为：
[0035]1 上料段传输辊；
[0036]2 水膜段传输辊；
[0037]3 第一竹节辊；
[0038]4 工艺段传输辊；
[0039]5 第二竹节辊；
[0040]6 清洗段传输辊；
[0041]7 风干段传输辊；
[0042]8 冷却段传输辊；
[0043]9 下料段传输辊；
[0044]10 阻水辊；
[0045]11 刷辊。
具体实施方式
[0046]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0047]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0048]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0049]下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。
[0050]实施例
[0051]本实施例提供一种硅晶片单面去PSG层方法，如图1所示，包括以下步骤：
[0052]S1：上料步骤(与上料段传输辊1对应)，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；
[0053]S2：水膜形成步骤(与水膜段传输辊2对应)，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：上料步骤，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；S2：水膜形成步骤，在硅晶片的上表面喷淋形成保护水膜；S3：工艺步骤，将硅晶片通过工艺段传输辊，所述工艺段传输辊的每个辊子具有上液槽，所述工艺段传输辊下方设置有工艺槽，工艺槽内设置有腐蚀液并且所述工艺段传输辊部分淹没于腐蚀液内，所述工艺段传输辊转动时工艺槽内的腐蚀液能够沿上液槽被带动到硅晶片的下表面；S4：清洗步骤，对硅晶片进行清洗；S5：风干步骤，使用具有一定温度的气体对晶圆表面进行风干；S6：冷却步骤，使硅晶片在传输辊上运输一段距离，使硅晶片的温度降低；S7：下料步骤，将硅晶片从传输辊上取下。2.根据权利要求1所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，在S3工艺步骤中，在工艺段传输辊中间位置设有旋转机构，使硅晶片旋转90
°
。3.根据权利要求2所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，所述旋转机构为若干竖直设置的辊，所述辊上设置有竖直方向的槽，且槽的设置高度低于硅晶片的上表面。4.根据权利要求1所述的硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，所述上液槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱诚，童建，李刚，
申请(专利权)人：江苏亚电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：