包含半导体布局以减轻局部布局效应的设备制造技术

公开包含半导体布局以减轻局部布局效应的设备。一种实例设备包含多个标准单元，每一单元包含：有源区；隔离区，其邻近所述有源区；及第一栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上。所述第一栅极结构包含：第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；及第一接触部分，其经安置在所述隔离区上。所述设备进一步包含安置在所述有源区及所述隔离区上的第二栅极结构。所述第二栅极结构包含：第二栅极部分，其经安置在所述有源区上；及第二接触部分，其经安置在所述隔离区上。在所述设备中，第一接触点与所述第一栅极部分之间的距离基本上等于第二接触点与所述第二栅极部分之间的距离。第二接触点与所述第二栅极部分之间的距离。第二接触点与所述第二栅极部分之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
包含半导体布局以减轻局部布局效应的设备


[0001]本申请案大体上涉及存储器装置。具体来说，本申请案涉及包含半导体布局以减轻局部布局效应的设备。

技术介绍

[0002]在DRAM中，数据可经存储在DRAM的个别存储器单元中。所述存储器单元可经组织成行及列的阵列。行中的每一存储器单元可耦合到字线且列中的每一存储器单元可耦合到位线。因此，每个存储器单元耦合到字线及位线。存储器阵列外围的逻辑电路可控制各种存储器功能，例如存取存储器阵列的一或多个存储器单元以从所述存储器单元读取数据或将数据写入到所述存储器单元。
[0003]虽然用于半导体装置中的MOS FET旨在实现高性能及低功率，但同时仍然需要更高密度及低成本。因此，高性能CMOS(HPC)的使用在例如存储器及逻辑电路的半导体装置中变得更流行。HPC可能依赖于使用具有高介电常数的薄高k栅极绝缘体来以低功率及降低的泄漏电流实现其高性能。然而，HPC可能易受局部布局效应(LLE)的影响。LLE是涉及可能引发半导体装置内的HPC晶体管的阈值电压(Vt)的变异的布局设计的环境效应。因此，需要降低半导体装置中的LLE。

技术实现思路

[0004]一方面，本申请案提供一种设备，其包括：多个标准单元，每一单元包含：有源区；隔离区，其邻近所述有源区；第一栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上，其中所述第一栅极结构包含：第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；及第一接触部分，其经安置在所述隔离区上，所述第一接触部分包含经配置以连接到第一接触件的第一接触点；及第二栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上，其中所述第二栅极结构包含：第二栅极部分，其经安置在所述有源区上；及第二接触部分，其经安置在所述隔离区上，所述第二接触部分包含经配置以连接到第二接触件的第二接触点，其中所述第一接触点与所述第一栅极部分之间的距离基本上等于所述第二接触点与所述第二栅极部分之间的距离。
[0005]另一方面，本申请案提供一种标准单元，其包括：隔离区；多个有源区，其在所述隔离区中；及多个栅极结构，其分别经安置在所述多个有源区上方；其中所述多个栅极结构中的每一者包含：第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；第一部分，其经安置在所述隔离区上，所述第一部分包含经配置以连接到第一接触件的第一接触点；第一端部分；第二部分，其经安置在所述隔离区上，所述第二部分包含经配置以连接到第二接触件的第二接触点；及第二端部分，其中所述第一栅极部分与所述多个栅极结构中的每一者的所述接触点之间的距离基本上相等。
[0006]另一方面，本申请案提供一种设备，其包括：第一有源区；第二有源区；隔离区，其邻近所述第一及第二有源区；第一栅极结构，其经安置在所述第一有源区及所述隔离区上，其中所述第一栅极结构包括：第一接触部分，其经安置在所述隔离区上，第一接触件，其经
连接到所述第一接触部分，及第一栅极部分，其经安置在所述第一有源区上；及第二栅极结构，其经安置在所述第二有源区及所述隔离区上，其中所述第二栅极结构包括：第二接触部分，其经安置在所述隔离区上，第二接触件，其经连接到所述第二接触部分，及第二栅极部分，其经安置在所述第二有源区上，其中所述第一接触件与所述第一栅极部分之间的第一距离基本上等于所述第二接触件与所述第二栅极部分之间的第二距离。
附图说明
[0007]图1是根据本公开中所描述的一些实例的半导体装置的框图。
[0008]图2是根据本公开中所描述的一些实例的电路的示意图。
[0009]图3是根据本公开的实施例的图2中所展示的电路的一部分的布局图。
[0010]图4是根据本公开的实施例的图3的布局图的部分横截面视图。
[0011]图5A是根据本公开的实施例的图2中所展示的电路的一部分的布局图。
[0012]图5B是根据本公开的实施例的图2中所展示的电路的一部分的布局图。
[0013]图5C是根据本公开的实施例的图2中所展示的电路的一部分的布局图。
[0014]图6是根据本公开的实施例的图2中所展示的电路的一部分的布局图。
具体实施方式
[0015]对某些实施例的以下描述本质上仅是实例性的且绝非意在限制本公开或其应用或使用的范围。在对本设备及方法的实施例的以下详细描述中，参考形成其一部分且以说明方式展示其中可实践所描述设备及方法的特定实施例的附图。充分详细地描述这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践当前所公开设备及方法，且应理解，可利用其它实施例且可在不脱离本公开的精神及范围的情况下进行结构及逻辑改变。此外，出于清楚目的，当某些特征对于所属领域的技术人员来说将显而易见时，将不论述对它们的详细描述以免混淆对本公开的实施例的描述。因此，以下详细描述不应以限制性意义理解，且本公开的范围仅由所附权利要求书界定。
[0016]各种布局设计可用于多种半导体装置，例如控制器及存储器装置中。例如，存储器装置(例如，DRAM、FeRAM、STT
‑
RAM、SRAM等)中的存储器阵列外围的逻辑电路可控制各种存储器功能，例如存取存储器阵列的一或多个存储器单元以从所述存储器单元读取数据或将数据写入到所述存储器单元。由于半导体装置中的物理尺寸随元件在有限区域中的紧凑放置而按比例缩小，可使用例如浅沟槽隔离(STI)及高k栅极绝缘体的技术来改进存储器阵列中的晶体管及存储器阵列外围的逻辑元件的性能。然而，本文中所描述的布局设计不限于这些特定应用。例如，所述布局设计可被包含在其它存储器类型(例如，FeRAM、STT
‑
RAM等)及/或其它半导体装置(例如，控制器、处理器、模拟装置、功率装置等)中。
[0017]图1是根据本公开中所描述的一些实例的半导体装置的框图。半导体装置100可为半导体存储器装置，例如集成在单个半导体芯片上的DRAM装置。半导体装置100包含存储器阵列118。存储器阵列118被展示为包含多个存储器存储体。在图1的实施例中，存储器阵列118被展示为包含八个存储器存储体BANK0
‑
BANK7。在其它实施例中，更多或更少存储体可被包含在存储器阵列118中。每一存储器存储体包含多个字线WL、多个位线BL及/BL以及布置在多个字线WL与多个位线BL及/BL的相交点处的多个存储器单元MC。字线WL的选择是由
行解码器108来执行且位线BL及/BL的选择是由列解码器110来执行。选定字线WL可由字线驱动器WD驱动到所要电荷。在图1的实施例中，行解码器108包含用于每一存储器存储体的相应行解码器且列解码器110包含用于每一存储器存储体的相应列解码器。位线BL及/BL耦合到相应感测放大器(SAMP)。
[0018]来自位线BL或/BL的读取数据是由感测放大器SAMP放大，且通过互补局部数据线(LIOT/B)提供到子放大器转移门120。子放大器转移门120可充当开关以在适当LIOT/B与适当共享主数据线(MIO)之间形成导电路径。读取数据可经由由子放大器转移门120提供到读取放大器126的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：多个标准单元，每一单元包含：有源区；隔离区，其邻近所述有源区；第一栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上，其中所述第一栅极结构包含：第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；及第一接触部分，其经安置在所述隔离区上，所述第一接触部分包含经配置以连接到第一接触件的第一接触点；及第二栅极结构，其经安置在所述有源区及所述隔离区上，其中所述第二栅极结构包含：第二栅极部分，其经安置在所述有源区上；及第二接触部分，其经安置在所述隔离区上，所述第二接触部分包含经配置以连接到第二接触件的第二接触点，其中所述第一接触点与所述第一栅极部分之间的距离基本上等于所述第二接触点与所述第二栅极部分之间的距离。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分的第一长度基本上等于所述第二栅极部分的第二长度。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分的第一宽度基本上等于所述第二栅极部分的第二宽度。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分的第一宽度与所述第二栅极部分的第二宽度不同。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一接触部分及所述第二接触部分沿着平行于所述有源区的边缘的直线安置。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一接触部分及所述第二接触部分中的每一者具有相同形状。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二接触部分经安置在所述有源区的相对于所述第一接触部分的相对侧上的所述隔离区上。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极部分包含弯曲部分。9.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括经配置以将所述第一栅极结构耦合到所述第二栅极结构的金属部分。10.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括经配置以通过所述第一及第二接触件将所述第一栅极结构耦合到所述第二栅极结构的多晶桥。11.一种标准单元，其包括：隔离区；多个有源区，其在所述隔离区中；及多个栅极结构，其分别经安置在所述多个有源区上方；其中所述多个栅极结构中的每一者包含：第一栅极部分，其经安置在所述有源区上；
第一部分，其经安置在所述隔离区上，所述第一部分包含经配置以连接到第一接触件的第一接触点；第一端部分；第二部分，其经安置在所述隔离区上，所述第二部分包含经配置以连接到第二接触件的第二接触点；及第二端部分，其中所述第一栅极部分与所述多个栅极结构中的每一者的所述接触点之间的距离基本上相等。12.根据权利要求11所述的标准单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木亮太，松本博一，佐藤誠，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：