一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统，所述方法包括：获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据，并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络，所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数；若所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写；若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。本申请提供了一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统解决上述读写效率低下，无法平衡产品寿命和读写时间之间矛盾的技术问题。平衡产品寿命和读写时间之间矛盾的技术问题。平衡产品寿命和读写时间之间矛盾的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统


[0001]本专利技术涉及数据存储
，具体涉及一种基于一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统。

技术介绍

[0002]以往嵌入式系统主要应用在控制领域，在数据存储方面的要求并不是很高。随着信息技术的不断发展，嵌入式技术在诸多领域得到广泛应用，嵌入式系统中要存储的数据信息量不断增长，对数据存储和管理的需求越来越高，嵌入式设备在体积、功耗、防震等方面的要求比较苛刻。eFlash(在嵌入式设备中作为存储介质的Flash的统称)存储器具有体积小、存储容量大、能耗低、性价比高等特性，相比于传统存储介质，更适合在嵌入式系统中储存数据。因此，eFlash存储器已经成为嵌入式系统中主要使用的存储介质之一。eFlash是基于先擦除后写入的方式，每个擦写单元的擦除次数有限，擦除次数过多而被磨损的块，会影响整个eFlash的生命周期。现有的解决方案为基于空闲擦写单元的轮询算法，划分擦写单元状态位图表和DATA扇区，实现擦写单元的映射关系。每次进行数据写入时通过空闲擦写单元的搜索算法对DATA扇区进行有效调度，随后通过映射关系对目标擦写单元进行写入，以此提高擦写次数。此种方法在每次擦写之前都需要通过轮询位图表来寻找空闲的擦写单元，寻找均衡交换目标对象的效率相对较低。另外，在产品寿命到了一定程度时，并没有考虑寿命对产品读写时间的影响，并没有平衡两者的矛盾。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法及系统解决上述读写效率低下，无法平衡产品寿命和读写时间之间矛盾的技术问题。
[0004]第一方面，本申请提供了一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法，所述方法包括：所述方法包括：
[0005]获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据，并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络，所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数；
[0006]若所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写；
[0007]若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0008]优选地，所述第一神经网络的训练过程，包括：
[0009]将Nandflash芯片的多个分区的温湿度，应用场景以及使用次数作为第一神经网络的训练输入数据集；
[0010]将Nandflash芯片的多个分区的剩余擦写次数作为作为第一神经网络的训练输出数据集；
[0011]通过所述输入数据集和所述输出数据集训练得到所述第一神经网络。
[0012]优选地，所述若当Nandflash芯片的某一分区损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：
[0013]若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数第二预设值，将Nandflash芯片的各个分区的损失系数分为3个等级；
[0014]按照损失系数的等级优选选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0015]优选地，所述按照损失系数的等级优选选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：
[0016]将Nandflash芯片的各个分区的损失系数输入至第二神经网络，第二神经输出Nandflash芯片的各个分区擦写时间；
[0017]基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0018]优选地，所述基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：
[0019]所述目标函数为：J＝w1S+w2T；其中w1，w2为权重系数，S为损失系数，T为擦写时间；
[0020]选择所述目标函数最小的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0021]优选地，所述第二神经网络训练过程，包括：
[0022]将Nandflash芯片的多个分区的损失系数作为所述第二神经网络的训练输入数据集；
[0023]将Nandflash芯片的多个分区的擦写时间作为作为第二神经网络的训练输出数据集；
[0024]通过所述输入数据集和所述输出数据集训练得到所述第二神经网络。
[0025]优选地，所述第一预设值为Nandflash芯片的多个分区的擦写总擦写次数的30％；所述第二预设值为Nandflash芯片的多个分区的擦写总擦写次数的40％。
[0026]本专利技术还提供一种基于Nandflash芯片的数据擦写系统，所述系统包括：
[0027]计算模块，用于获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据，并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络，所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数；
[0028]初始管理模块，用于若所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写；
[0029]均衡管理模块，用于若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0030]优选地，包括：逻辑划分模块，用于将Nandflash芯片的各个分区的损失系数输入至第二神经网络，第二神经输出Nandflash芯片的各个分区擦写时间；
[0031]管理单元，用于基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0032]优选地，所述管理单元，用于基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：
[0033]所述目标函数为：J＝w1S+w2T；其中w1，w2为权重系数，S为损失系数，T为擦写时间；
[0034]选择所述目标函数最小的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。
[0035]本专利技术通过将第一神经网络获取Nandflash芯片的多个分区的损失系数，然后在所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，通过轮盘赌的算法，可以随机选择一个或者多个分区进行擦写，不致于集中在某些区域从而造成整个芯片的老化和损坏，同时还能提高Nandflash芯片的擦写的速率；若当Nandflash芯片的某一分区大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，可以很好的兼顾考虑其老化和损坏以及Nandflash芯片的擦写的速率，既能满足快速化的读写需求，又能有针对性的选择一个或者多个分区进行擦写，从而提高了Nandflash芯片的使用寿命。
[0036]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本申请通过采集用户的状态信息以及获取用户使用的电子设备的状态信息；将所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Nandflash芯片的数据擦写方法，其特征在于，所述方法包括：获取Nandflash芯片的多个分区的状态数据，并将所述多个分区的状态数据输入至第一神经网络，所述第一神经网络输出所述多个分区的损失系数；若所有损失系数小于第一预设值，根据轮盘赌算法选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写；若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。2.根据权利要求1所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法，其特征在于，所述第一神经网络的训练过程，包括：将Nandflash芯片的多个分区的温湿度，应用场景以及使用次数作为第一神经网络的训练输入数据集；将Nandflash芯片的多个分区的剩余擦写次数作为作为第一神经网络的训练输出数据集；通过所述输入数据集和所述输出数据集训练得到所述第一神经网络。3.根据权利要求2所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法，其特征在于，所述若当Nandflash芯片的某一分区损失系数大于第二预设值，则采用均衡策略选择Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：若当Nandflash芯片的某一分区的损失系数第二预设值，将Nandflash芯片的各个分区的损失系数分为3个等级；按照损失系数的等级优选选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。4.根据权利要求3所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法，其特征在于，所述按照损失系数的等级优选选择低等级的Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：将Nandflash芯片的各个分区的损失系数输入至第二神经网络，第二神经输出Nandflash芯片的各个分区擦写时间；基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写。5.权利要求4所述的基于Nandflash芯片的数据擦写方法，其特征在于，所述基于目标函数选取Nandflash芯片的其中一个或者多个分区进行擦写，包括：所述目标函数为：J＝w1S+w2T；其中w1，w2为权重系数，S为损失系数...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉阳，熊俊，
申请(专利权)人：深圳市芯存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：