发声器件和音频设备制造技术

本发明专利技术公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、第一磁路结构、第二磁路结构、高音振膜、高音音圈、低音振膜和低音音圈，第一磁路结构和第二磁路结构均设于导磁板，第一磁路结构位于中心区域，第二磁路结构设于第一磁路结构的外围；第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，第一磁路结构远离导磁板的一侧形成低音磁间隙；高音音圈设于高音振膜的靠近导磁板的一侧，并对应高音磁间隙设置，高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；低音音圈设于低音振膜的靠近导磁板的一侧，并对应低音磁间隙设置。本发明专利技术技术方案旨在提升高音振膜的振动稳定性，以提升发声器件的高音性能。发声器件的高音性能。发声器件的高音性能。

【技术实现步骤摘要】
发声器件和音频设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声器件和音频设备。

技术介绍

[0002]发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元发声器件，即一个发声器件中同时放置有高音单元和低音单元。然而，在现有的多单元发声器件中，高音振膜上安装的高音音圈导致高音振膜的重量分布不均匀，不利于高音振膜的高频振动，影响了发声器件的高音性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种发声器件，旨在提升高音振膜的振动稳定性，以提升发声器件的高音性能。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的发声器件，包括：
[0005]导磁板；
[0006]第一磁路结构、第二磁路结构，均设于所述导磁板，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成低音磁间隙；
[0007]高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；以及
[0008]低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置。
[0009]可选地，所述高音音圈由导线绕制而成，所述高音音圈在径向上具有多个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上具有多个导线圈；所述高音音圈在径向上至少具有六个导线层。
[0010]可选地，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上至多具有两个导线圈。
[0011]可选地，所述第一磁路结构形成有第一磁区和环设于所述第一磁区外的第二磁区，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构形成所述高音磁间隙；
[0012]所述第二磁区和所述第二磁路结构的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成所述低音磁间隙。
[0013]可选地，所述第一磁路结构包括第一磁体和第一华司，所述第一磁体固设于所述导磁板，所述第一磁区和所述第二磁区形成于所述第一磁体，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司固接于所述第一磁区，所述第二子华司固接于所述第二磁区，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述
高音磁间隙。
[0014]可选地，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有夹设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区。
[0015]可选地，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。
[0016]可选地，所述发声器件还包括辅助磁体，所述辅助磁体设置于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧。
[0017]可选地，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或所述第二磁区的充磁方向相反。
[0018]可选地，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。
[0019]可选地，当所述辅助磁体形成有所述双磁区时，所述辅助磁体设置为整体式结构，所述辅助磁体还形成有夹设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区。
[0020]可选地，所述辅助磁体包括分体设置的第一辅助磁体和第二辅助磁体，所述第二辅助磁体环设于所述第一辅助磁体外，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体。
[0021]可选地，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向均对应为轴向充磁。
[0022]可选地，所述第二磁路结构包括第二磁体和第二华司，所述第二磁体固接于所述导磁板，所述第二华司固接于所述第二磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第二磁体和所述第二磁区的充磁方向相反。
[0023]本专利技术还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。
[0024]可选地，所述音频设备为耳机。
[0025]本专利技术技术方案中，高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍，以使得高音音圈呈扁平状，高音音圈增加的重量不会过于集中于高音振膜，而能相对均匀地分布在高音振膜的径向方向上，有利于提升高音振膜的振动稳定性，从而能够提升发声器件的高音性能。并且，第一磁路结构在形成高音磁间隙的同时，还与第二磁路结构构造形成低音磁间隙，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用，从而能够减小发声器件的体积，以提升其在音频设备内的装配便利性。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0027]图1为本专利技术发声器件一实施例的装配结构示意图；
[0028]图2为本专利技术发声器件一实施例的爆炸结构示意图；
[0029]图3为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0030]图4为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0031]图5为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0032]图6为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0033]图7为图3所示的结构在盖体导磁且不设置辅助磁体时时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0034]图8为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0035]图9为图3所示的结构在盖体不导磁且设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0036]图10为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时另一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0037]图11为图4所示的结构在盖体导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。
[0038]附图标号说明：
[0039]标号名称标号名称110导磁板400高音音圈120壳体500高音振膜101出音孔620低音振膜200第一磁路结构621避让孔210第一磁体620低音音圈211第一子磁体700盖体212第二子磁体702第三避让部220第一华司800辅助磁体221第一子华司801连通孔222第二子华司802第二避让部223安装环凸803第一避让部224限位环凸810第一辅助磁体300第二磁路结构820第二辅助磁体310第二磁体H高音磁间隙320第二华司L低音磁间隙
[0040]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其特征在于，包括：导磁板；第一磁路结构、第二磁路结构，均设于所述导磁板，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有高音磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成低音磁间隙；高音振膜、高音音圈，所述高音音圈设于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置，所述高音音圈的径向环宽大于或等于其轴向高度的两倍；以及低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述低音磁间隙设置。2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述高音音圈由导线绕制而成，所述高音音圈在径向上具有多个导线层，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上具有多个导线圈；所述高音音圈在径向上至少具有六个导线层；和/或，每一所述导线层在所述高音音圈的轴向上至多具有两个导线圈。3.如权利要求1或2所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构形成有第一磁区和环设于所述第一磁区外的第二磁区，所述第一磁区和所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构形成所述高音磁间隙；所述第二磁区和所述第二磁路结构的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成所述低音磁间隙。4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁路结构包括第一磁体和第一华司，所述第一磁体固设于所述导磁板，所述第一磁区和所述第二磁区形成于所述第一磁体，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司固接于所述第一磁区，所述第二子华司固接于所述第二磁区，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述高音磁间隙。5.如权利要求4所述的发声器件，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苗苗，郭晓冬，张成飞，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：