一种芯片封装结构、雾化器、电子雾化装置制造方法及图纸

本申请提供一种芯片封装结构、雾化器、电子雾化装置，芯片封装结构包括封装体、芯片以及第一导电层；芯片位于封装体内；第一导电层位于封装体内，且位于芯片的一侧；其中，第一导电层与芯片电连接以作为与芯片电连接的扩充电容的电极板，扩充电容用于扩展芯片的内置电容的电容量，从而有效抵抗干扰信号，提高芯片的工作稳定性。的工作稳定性。的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装结构、雾化器、电子雾化装置


[0001]本申请涉及芯片设计
，尤其是涉及一种芯片封装结构、雾化器、电子雾化装置。

技术介绍

[0002]芯片内部的晶圆由于材料限制，使得芯片裸片内的电容容量较小，在一些极端情况下，芯片会因为内部电容容量不足，而无法有效的抵抗干扰信号，芯片的工作稳定性差。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种芯片封装结构、雾化器、电子雾化装置，以解决由于芯片电容容量较小，导致抗干扰能力差以及工作稳定性差的问题。
[0004]为解决上述问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种芯片封装结构，包括：封装体、芯片以及第一导电层；所述芯片位于所述封装体内；所述第一导电层位于所述封装体内，且位于所述芯片的一侧；其中，所述第一导电层与所述芯片电连接以作为与所述芯片电连接的扩充电容的电极板，所述扩充电容用于扩展所述芯片的内置电容的电容量。
[0005]在一实施例中，所述芯片内具有雾化器防伪电路，所述雾化器防伪电路包括第一内置电容模块和第二内置电容模块；所述第一内置电容模块和所述第二内置电容模块相互耦合构成所述芯片的内置电容；所述第一内置电容模块和所述第二内置电容模块中的一个与所述第一导电层电连接。
[0006]在一实施例中，所述芯片封装结构还包括第一引脚和第二引脚；所述第一引脚和所述第二引脚均部分位于所述封装体内，部分暴露于所述封装体外；所述芯片包括连接端子，所述连接端子包括第一通信连接端子、第二通信连接端子、第一供电连接端子VDD和第二供电连接端子VSS；所述第一通信连接端子与所述第一引脚电连接；所述第二通信连接端子与所述第二引脚电连接；所述第一供电连接端子和所述第二供电连接端子中的一个与所述第一导电层电连接。
[0007]在一实施例中，所述第一供电连接端子与所述第一导电层电连接，所述第一内置电容模块通过所述芯片的衬底与所述第一导电层形成所述扩充电容；所述扩充电容与所述内置电容并联设置；或所述第二供电连接端子与所述第一导电层电连接，所述第二内置电容模块通过所述芯片的衬底与所述第一导电层形成所述扩充电容；所述扩充电容与所述内置电容并联设置。
[0008]在一实施例中，所述第一导电层设置于所述芯片的衬底远离所述连接端子的一侧，且所述第一导电层与所述芯片的衬底之间设置有绝缘介质层。
[0009]在一实施例中，所述第一导电层、所述第一引脚和所述第二引脚同层间隔设置。
[0010]在一实施例中，所述芯片封装结构还包括第一引脚、第二引脚和第二导电层；所述第一引脚和所述第二引脚均部分位于所述封装体内，部分暴露于所述封装体外；所述芯片包括连接端子，所述连接端子包括第一通信连接端子、第二通信连接端子、第一供电连接端
子VDD和第二供电连接端子VSS；所述第一通信连接端子与所述第一引脚电连接；所述第二通信连接端子与所述第二引脚电连接；所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置于所述芯片的衬底远离所述连接端子的一侧，且所述第一导电层与所述第二导电层之间设置有绝缘介质层；所述第一导电层通过绝缘介质层与所述第二导电层形成所述扩充电容；所述第一供电连接端子和所述第二供电连接端子中的一个与所述第一导电层电连接，另一个与所述第二导电层电连接。
[0011]在一实施例中，所述芯片封装结构还包括连接层；所述第一导电层、所述连接层、所述第一引脚和所述第二引脚同层间隔设置于所述绝缘介质层靠近所述芯片的一侧，所述第二导电层设置于所述绝缘介质层远离所述芯片的一侧；所述连接层通过所述绝缘介质层上的导电通孔与所述第二导电层电连接。
[0012]在一实施例中，所述第一导电层、所述第一引脚和所述第二引脚同层间隔设置于所述绝缘介质层靠近所述芯片的一侧，所述第二导电层设置于所述绝缘介质层远离所述芯片的一侧；所述绝缘介质层对应所述第一导电层、所述第一引脚和所述第二引脚之间的间隙处具有第一开孔，以使所述第二导电层部分暴露。
[0013]在一实施例中，所述第一导电层设置于所述绝缘介质层靠近所述芯片的一侧；所述第二导电层、所述第一引脚和所述第二引脚同层间隔设置于所述绝缘介质层远离所述芯片的一侧；第一导电层和所述绝缘介质层在对应所述第二导电层、所述第一引脚和所述第二引脚处均具有第二开孔，以使所述第二导电层、所述第一引脚和所述第二引脚均部分暴露。
[0014]在一实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层均为金属片或金属膜，且所述第一导电层和所述第二导电层的面积均大于所述芯片的面积。
[0015]在一实施例中，所述第一导电层为金属片或金属膜，且所述第一导电层的面积大于所述芯片的面积。
[0016]为解决上述问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种雾化器，包括：雾化芯和芯片封装结构，所述芯片封装结构与所述雾化芯电连接，所述芯片封装结构为上述任一项所述的芯片封装结构。
[0017]在一实施例中，所述芯片封装结构与所述雾化芯的加热元件并联。
[0018]为解决上述问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种电子雾化装置，包括雾化器和电池杆，所述雾化器为上述任一项所述的雾化器；所述电池杆用于控制所述雾化芯工作，并与所述芯片封装结构中的芯片进行通信。
[0019]区别于现有技术，本申请提供的芯片封装结构、雾化器、电子雾化装置，包括封装体、芯片以及第一导电层；芯片位于封装体内；第一导电层位于封装体内，且位于芯片的一侧；其中，第一导电层与芯片电连接以作为与芯片电连接的扩充电容的电极板，扩充电容用于扩展芯片的内置电容的电容量，从而有效抵抗干扰信号，提高芯片的工作稳定性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它
的附图，其中：
[0021]图1为本申请一实施例提供的芯片封装结构的结构示意图；
[0022]图2为本申请另一实施例提供的芯片封装结构的结构示意图；
[0023]图3为本申请一实施例提供的芯片的内部功能模块示意图；
[0024]图4为图2提供的芯片封装结构的俯视图；
[0025]图5为本申请又一实施例提供的芯片封装结构的结构示意图；
[0026]图6为本申请又一实施例提供的芯片封装结构的结构示意图
[0027]图7为图6提供的芯片封装结构的俯视图；
[0028]图8为本申请一实施例提供的电子雾化装置的结构示意图；
[0029]图9为图8提供的雾化器的雾化芯与芯片封装结构的连接关系示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：封装体；芯片，位于所述封装体内；第一导电层，位于所述封装体内，且位于所述芯片的一侧；其中，所述第一导电层与所述芯片电连接以作为与所述芯片电连接的扩充电容的电极板，所述扩充电容用于扩展所述芯片的内置电容的电容量。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括第一内置电容模块和第二内置电容模块；所述第一内置电容模块和所述第二内置电容模块构成所述芯片的内置电容；所述第一内置电容模块和所述第二内置电容模块中的一个与所述第一导电层电连接。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括第一引脚和第二引脚；所述第一引脚和所述第二引脚均部分位于所述封装体内，部分暴露于所述封装体外；所述芯片包括连接端子，所述连接端子包括第一通信连接端子、第二通信连接端子、第一供电连接端子和第二供电连接端子；所述第一通信连接端子与所述第一引脚电连接；所述第二通信连接端子与所述第二引脚电连接；所述第一供电连接端子和所述第二供电连接端子中的一个与所述第一导电层电连接。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一供电连接端子与所述第一导电层电连接，所述第一内置电容模块通过所述芯片的衬底与所述第一导电层形成所述扩充电容；所述扩充电容与所述内置电容并联设置；或所述第二供电连接端子与所述第一导电层电连接，所述第二内置电容模块通过所述芯片的衬底与所述第一导电层形成所述扩充电容；所述扩充电容与所述内置电容并联设置。5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电层设置于所述芯片的衬底远离所述连接端子的一侧，且所述第一导电层与所述芯片的衬底之间设置有绝缘介质层。6.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电层、所述第一引脚和所述第二引脚同层间隔设置。7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构还包括第一引脚、第二引脚和第二导电层；所述第一引脚和所述第二引脚均部分位于所述封装体内，部分暴露于所述封装体外；所述芯片包括连接端子，所述连接端子包括第一通信连接端子、第二通信连接端子、第一供电连接端子和第二供电连接端子；所述第一通信连接端子与所述第一引脚电连接；所述第二通信连接端子与所述第二引脚电连接；所述第一导电层与所述第二导电层间隔设置于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伯松，董文杰，方伟明，周瑞龙，
申请(专利权)人：海南摩尔兄弟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：