用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法制造方法及图纸

技术编号:34447217 阅读:18 留言:0更新日期:2022-08-06 16:43
本申请涉及一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构,半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台和用于对半导体器件进行高压测试的探针组件;辅助机构包括包围框以及连接部件。连接部件的一端设置于包围框的开口端,另一端与测试台和放置在测试台上的半导体器件中的其中之一密封连接,以界定出一密封空间。其中,探针组件的探针位于密封空间内,且密封空间内填充具有预设压力值的气体。在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试的过程中,半导体器件的放电电压会小于半导体器件在高压测试所需的电压,半导体器件就不易出现放电打火现象。半导体器件就不易出现放电打火现象。半导体器件就不易出现放电打火现象。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法


[0001]本申请涉及半导体器件测试
,特别是涉及一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。

技术介绍

[0002]半导体器件的工器件的工作特点是电压高(1~3千伏甚至更高)、电流大(几十上百安培),通常需要对半导体器件进行高压测试,然而,半导体器件在高压测试过程中极易出现放电打火现象,导致损坏半导体器件的芯片。

技术实现思路

[0003]基于此,有必要针对半导体器件在高压测试过程中极易出现放电打火现象而损坏半导体器件的芯片的问题,提供一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。
[0004]根据本申请的一个方面,提供了一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构,所述半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台和用于对所述半导体器件进行高压测试的探针组件;
[0005]所述辅助机构包括:
[0006]包围框,具有朝向所述测试台的开口端;以及
[0007]连接部件,一端设置于所述包围框的开口端,另一端与所述测试台和放置在所述测试台上的所述半导体器件中的其中之一密封连接,以界定出一密封空间;
[0008]其中,所述探针组件的探针位于所述密封空间内,且所述密封空间内填充具有预设压力值的气体。
[0009]在其中一个实施例中,所述探针组件包括设置于所述包围框的探针臂,所述探针设置于所述探针臂位于所述密封空间内的部分;
[0010]所述探针臂被配置为能够可操作地驱动所述探针朝向所述半导体器件的测试点移动。
[0011]在其中一个实施例中,所述包围框与所述测试台上的所述半导体器件沿第一方向相对设置;
[0012]所述连接部件包括连接于所述包围框的开口端两侧且沿所述第一方向延伸的第一缓冲部件,以使所述探针臂能够可操作地驱动所述探针朝向所述半导体器件的测试点移动;
[0013]其中,所述第一方向垂直于所述半导体器件的表面。
[0014]在其中一个实施例中,所述第一缓冲部件包括连接于所述包围框的开口端的环形主体部,以及分别设置于所述环形主体部的径向两侧的弯折部;
[0015]所述弯折部被构造为从所述环形主体部的轴向一端至另一端弯折延伸;
[0016]所述环形主体部的中心轴线平行于所述第一方向。
[0017]在其中一个实施例中,所述探针组件还包括分别连接所述探针臂和所述探针的高压测试电路板;
[0018]所述探针臂和所述高压测试电路板中的其中之一与所述包围框密封连接。
[0019]在其中一个实施例中,还包括第二缓冲部件;
[0020]所述探针臂通过所述第二缓冲部件与所述包围框密封连接,所述第二缓冲部件沿所述第一方向延伸。
[0021]在其中一个实施例中,所述第二缓冲部件包括位于所述探针臂径向两侧的两个缓冲部;
[0022]每一所述缓冲部包括连接于所述包围框且沿第一方向延伸的第一缓冲段,以及连接所述第一缓冲段和所述探针臂之间的第二缓冲段;
[0023]所述第二缓冲段沿第二方向延伸;
[0024]其中,所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
[0025]在其中一个实施例中,所述包围框上设有与所述密封空间相连通且可闭合的高压注气口,以通过所述高压注气口给所述密封空间提供具有预设压力值的气体。
[0026]在其中一个实施例中,所述包围框包括绝缘框体,以使所述探针组件与所述包围框彼此绝缘。
[0027]根据本申请的另一个方面,提供了一种测试方法,所述测试方法利用上述的辅助机构进行测试,所述测试方法包括:
[0028]在所述密封空间内,利用所述探针组件的所述探针对所述半导体器件进行高压测试。
[0029]上述用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法,该辅助机构使用时,可使密封空间内的气压达到预设压力值,然后在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试,根据帕邢定律,密封空间内的气压提高了,半导体器件的放电电压也会随着提高,可根据半导体器件在高压测试所需的电压设定预设压力值,使该半导体器件的放电电压小于半导体器件在高压测试所需的电压,那么,在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试的过程中,半导体器件的放电电压会小于半导体器件在高压测试所需的电压,半导体器件就不易出现放电打火现象,防止半导体器件因放电打火现象而损坏。
附图说明
[0030]图1示出了本申请一实施例中的半导体器件高压测试装置和用于半导体器件高压测试装置的辅助机构的结构示意图;
[0031]图2示出了本申请另一实施例中的半导体器件高压测试装置和用于半导体器件高压测试装置的辅助机构的结构示意图;
[0032]图3示出了本申请一实施例中的第一缓冲部件的结构示意图。
[0033]图中:100、半导体器件;210、测试台;220、探针组件;221、探针臂;222、探针;223、高压测试电路板;300、辅助机构;310、包围框;311、开口端;312、高压注气口;313、注气阀;320、连接部件;321、环形主体部;3211、中心腔;322、弯折部;3220、弯折单元;3221、分支段;3222、分支腔;330、密封空间;340、第二缓冲部件;341、第一缓冲段;342、第二缓冲段。
具体实施方式
[0034]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0035]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
[0036]此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
[0037]在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构,其特征在于,所述半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件(100)的测试台(210)和用于对所述半导体器件(100)进行高压测试的探针组件(220);所述辅助机构(300)包括:包围框(310),具有朝向所述测试台(210)的开口端(311);以及连接部件(320),一端设置于所述包围框(310)的开口端(311),另一端与所述测试台(210)和放置在所述测试台(210)上的所述半导体器件(100)中的其中之一密封连接,以界定出一密封空间(330);其中,所述探针组件(220)的探针(222)位于所述密封空间(330)内,且所述密封空间(330)内填充具有预设压力值的气体。2.根据权利要求1所述的用于半导体器件高压测试装置的辅助机构,其特征在于,所述探针组件(220)包括设置于所述包围框(310)的探针臂(221),所述探针(222)设置于所述探针臂(221)位于所述密封空间(330)内的部分;所述探针臂(221)被配置为能够可操作地驱动所述探针(222)朝向所述半导体器件(100)的测试点移动。3.根据权利要求2所述的用于半导体器件高压测试装置的辅助机构,其特征在于,所述包围框(310)与所述测试台(210)上的所述半导体器件(100)沿第一方向相对设置;所述连接部件(320)包括连接于所述包围框(310)的开口端(311)两侧且沿所述第一方向延伸的第一缓冲部件,以使所述探针臂(221)能够可操作地驱动所述探针(222)朝向所述半导体器件(100)的测试点移动;其中,所述第一方向垂直于所述半导体器件(100)的表面。4.根据权利要求3所述的用于半导体器件高压测试装置的辅助机构,其特征在于,所述第一缓冲部件包括连接于所述包围框(310)的开口端(311)的环形主体部(321),以及分别设置于所述环形主体部(321)的径向两侧的弯折部(322);所述弯折部(322)被构造为从所述环形主体部(321)...

【专利技术属性】
技术研发人员:迟延庆
申请(专利权)人:上海积塔半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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